Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
1 ТИГР.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
1.01 Mб
Скачать

10 Тиэуиэм

  1. Как производится раскрой листовой и рулонной электротехнической стали? Если по ширине листа с учетом прпуска разместяться 2 и более деталей раскрой свод к порезке сортимента на полосы, ширина к-ых равна габар размеру детали плюс припуск на штамповку. Из листа должно получ целое число заготовок. Для раскроя листов и лент исп гильотинные и роликовые ножницы.

  2. Типы вырубных штампов, их устройство. Простые предназ для производства вырубки по одному заменутому контуру. Исп простые пазовые штампы. При одном ходе пуансона формир в газотовке один раз. Совмещенные обеспеч вырубку дет по всем контурам за один ход блоку пуансонов. Матрица закреплена на штампе. Подвижн чать штампа сост из режущ элем: пуансона и обсечного кольца. Между ними выталкиватели. Последовательные исп в крупносерийном производстве. Блок матрицы – монолитная плита, состоящ из 4х позиций.

  3. Распушение зубцов шихтованного магнитопровода, причины их предотвращения. Данная погреш возник при осевой прессовке собранного магнитопровода, т.к. не предоставл возможн усиление осевой прессовке распред на торпах одноврем. Торцевые участки зубц зоны должны быть свобод для вых проводников из пазов, для размещ лобовых частей обмотки или КЗ-колец «беличьей клетки». На зубцовый слой это усилие передается за счет жесткости зубцов, но из-за малой толщины листа этой жест недостаточно, поэтомц зубцы отсылаются в наравл противополож напрв прессовки. Поэтому осевой раземер магнитопровода в обл зубзов оказ больше осевого размера якоря. Возник распушение зубцов., что отриц влияет на хар-ки и надеж М. так при перемегн они будут вибрировать, что со врем приведет к разруш зуба, пазовой изоляции, увел магн сопротивл на пути основ магн потока М. для уменьш два решения: склеивание зубцов и размещ на краяхмагнитопроводов листов с повыш жесткостью зубов.

  4. Как и для чего выполняется калибровка коллекторных пластин. Для повеш точности коллекторных пластин. пластины укладыв в приспособление друг на друга. Стопку прессуют с усилием бокового распора и измеряют ее высоту. Подбором медных пластин обеспеч нужную высоту стопки.

  5. Как и для чего производится динамическая формовка коллектора? Коллектор подогревают до 600, устанавливают на вал и раскручивают. Потом подпрессовывают. На токарном станке подтачивают. Служит для окончательной стабилизации коллекторных пластин

  6. Как выполнить пайку петушков коллектора без перегрева пакета пластин? При помощи паяльной лампы. Надо делать быстро, чтобы коллектор не нагрелся.

  7. Способы наложения изоляции в обмотках ЭМ. Гильзовая представлена изоляционными петлями, к-ые сначала изгот-ся, а затем сопрягаются с отдельными участками катушки магнитопровода. Непрерывная прим в машинах с Uот 1000В и выше. Быв: вразбежку – между соседними витками ленты образ зазор, исп для мех стяжки проводов; встык – без зазора, исп для более прочной стяжки проводов; внахлест – каждый последующ виток перекрывает предыдущий.

  8. Технологическая классификация обмоток ЭМ. Рцчные обм, всыпная обм, шаблонная обм, одновитковая обм.

  9. Для чего обмотки ЭМ подвергают пропитке? Повыш нагревостойкость, улучш теплоотвод от проводников, повыш влагостойкость изоляции, повыш эл и мех прочнсти изоляции, повыш хим стойкость.

  10. Как отбалансировать ротор ЭМ. Осущ корректировка распределения массы относительно оси вращ путем добавления балансировочных грузов на легких сторонах или удаления части материала ротора на утяжеленных местах.

11 ФОЭ

  1. Линейные размеры. Резисторы. Конденсаторы. Индуктивности. Классификация, параметры. Резисторы предназ для перераспред и регулир эл энергии между элем схемы. Принц дейст осн на способ радиоматер оказ сопрот проек черех них эт току. По назнач дискретные рез дел на рез общ назнач, прецизион, высокастот, высоковольт, высокоомные, спец-ые. По постоянству знач сопрот пост, перм, спец. Осн пар рез: номин сопротивл, рассив мощ, допуск. Конденсаторы. Прин дейс осн способ накапл на обкладках эл заряд при прилож к нему разности потенциалов. По назнач дел на контурн, блокирочн, разделит, фильтровые, термокомпенсирующ, подстроечн. По хар-ру изм емк: пост, пер, полуперем. По матер диэл: с газообразн, жидк и тверд диэлектриком. Стаб емк конд опред ее изм под действ факторов: t, старение, влага и др. Индуктивность физ велич, хар-щая магн св-ва эл цепи. Зависит от геометрии, размеров контура, магн прониц среды и проводник, образ эл цепь. Для класс радиочаст инд элем можно исп разн призн: налич или отсутст сердечника, характер намотки, раб частота, кол-во обм, нал или отсут каркаса, экрана.

  2. Р -n переход. Вольтамперная хар-ка p-n перехода. Тонкий слой полупроводника между 2мя област, одна из к-ых прел полупровдн p-типа, др n-типа наз p-n пер. концентрация осн носителй заряда в p и n обл могут быть равны (симметричные) или сущ различ (несимм). ВАХ это зависим тока через p-n переход от напряж на p-n переходе.

  3. Полупроводниковые диоды. Классифик полупр диодов. Пол диод наз полупр прибор с двумя выводами и одним p-n переходом. Дел на выпрямительные (для преобр пер тока в пост), стабилитроны (диоды исп участок ВАХ хар-ки p-n пер, соот обрат эл пробою), импульсные, диоды Шоттки (в основе выпр диода исп не только перех между полуп типа p и n, но и иежду провд и металлом), фотодиоды (полупр диод, в к-ом обеспеч возм возд опт излуч на p-n пер), светодиоды (способны генерир оптич излуч), варикапы (диод, раб к-ых основ на явлении барьерной емкости запертого p-n пер), оптроны (полупровод приборы исп пары светод-фотод).

  4. Т ранзисторы. Биполярный транз: принцип действия, ВАХ. Транз наз полупроводн прибор, примен для усиления или генерации сигналов. По структ быв биполярные и полевые. Бипол тран это полупр прбор, состоящ из 3х чередующихся областей полупроводника с разл типом проводимости (p-n-p или n-p-n) с выводом от каждой обл. Принц дейст транз заключ в том, что 2 р-п перех располож настолько близко друг к другу, что происх взаимное их влияние, вследствие чего они усил эл сигналы. Осн вах явл вх и вых хар-ки. Входная ВАХ – это зависимость тока базы (IБ) от напряжения база-эмиттер (UБЭ). Выходная ВАХ – это зависимость тока коллектора (IК) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).

  5. О сновные схемы выпрямителей на полупроводниковых диодах. Параметры выпрямителей. Пар: max знач сред прям тока через диод, ему соотв прям сред знач max напряж, обрат сред знач max тока, мощность диода. 1 Однополупроводниковый выпр,2 трехфазный трансформат выпр

  6. У силители эл сигналов на биполярных транзисторах. Схемы включения. Параметры усилителей. Усил это устройство, увелич интенсивность вх сигнала, исп энергию источника питания. Осн пар явл коэф-ты усиления по напряж, току, мощн, а так же его вых и вых сопротив. 1 БТ p-n-p транз, 2 n-p-n транз

  7. Усилитель мощности на транзисторах. В промыш электроники часто возник неоюбх получ в нагрузочном устройстве max мощн усиленного сигнала. Уселит каскады, обеспеч вып это усл на усилит мощн. Нагруз устр явл обмотки, реле, и др элем эл цепей. Осн парм хар-щим раб усил мощ явл коэф усиления по мощн. Получ треб мощн обеспеч прежде всего выбор соотв транз. При равенстве сопротивл генерирующего и приемного устройства получ max мощн. Различ: одноконтактные (исп для получ сравнительно небольш мощностей), двухконтактные, бестрансформаторные, питаемые от источн переем напряж.

  8. Элементы цифровой техники. Алгебра Буля. К элем отн: RS-триггер, D-триггер, Т-триггер, универс JK-триггер, регисторы (послед, параллельно-последов, последов-паралл), счетчики импульсов (суммирующий двоичный асинх счетчик с послед переносом, со сквозным переносом, реверсивный). Алгебра Буля описывается радом правил, или аксиом, с помощ к-ых определены разл операции над элем этой алгебры. Они предст собой множ элем (х1,х2…хn,a,b…), для к-ых определены отнош эквивалентности и три опреации дизъюнкции (ИЛИ), конъюнкции (И), отрицание (инверсия операц НЕТ).

  9. Основные лог операции и их реализация на электронных устройствах. Конъюнкция – лог умнож. Кон 2х высказывания А и В соотв «И» и обоз симв ^ и & или *. Кон 2х взыс истина тогда и только тогда, когда истенны оба взыск. В проогр «AND». Дизъюнкция - лог слож. Соот «ИЛИ», обоз V и +. Диз 2х выск ложна тогда и только тогда. Когда ложны оба взыск. Обз «OR». Инверсия (отрииц) – лог не. Говорят, что имея суждение А, можно образ нов суж «не А» или «наверно, что А». сим ¬ и ―. Инв лог переменной истина, если сама прем ложна, и наоборот. «NOT». Импликация – лог следование. Имп соот союзу «ЕСЛИ… ТО». Обоз →. Имп 2х выск истина всегда, кроме случая, если перв высказ истинно, а второе ложно. «IMP». Эквивалентность – ф-ия тождества. Обоз ≡ и <=>. Экв 2х выск истина только в тех случ, когда оба выск ложны или оба истинны. «EQV».

  10. Триггеры. Счетчики. Классификация и область применения. Триггером наз устройство, обладающ 2мя состояниями устойчивого равновесия и способное скачком переходить из одного состян в др под возд внешнего управляющ сигнала. По моменту реаку на вх сигнал дел: асинхронный тр измен свое состояние непосредственно в момент измен сигнала на его инф выходах; синх измен свое сост в строго опред тактовые моменты рем при налич сигнала. По виду акт лог сигн: статические (управляемые уровнем), динамич (упр переходом вх сигн). Прим в цифр микросхемах. Счетчиком наз узел для подсчета вх сигн и хран двоичного кода числа подсчитанных сигн. Классиф на суммирующие, реверсивные. Прим для счета числа импульсов, для хран числа имп. Счте имп, поступ на вход с выс частотой необх в вычис тех, автоматике, инф-измер тех, ядерн физ.