5.Расчет температурных допусков

Проверка термостабильности схемы. Для каскада, включенного по схеме с общим эмиттером, можно записать: ,то есть полное приращение тока коллектора будет определяться приращением тока базы, обратного теплового тока коллектора и коэффициента передачи тока базы:

Дифференцируя это соотношение и переходя к конечным приращениям, получим:

где

Расчеты показывают, что ,это является свидетельством наличия ООС по постоянному току, поскольку ток базы с ростом температуры уменьшается.

Для определения тока базы преобразуем схему транзистора, включенного по схеме с ОЭ, в схему по Тевенину (рис.10).

Рис.10.Приведенная схема включения транзистора по Тевенину.

В соответствии с теоремой Тевенина потенциал базы определяется по следующей формуле: , а .

Для потенциала базы относительно общего провода можно записать следующее выражение:

,пренебрегая , получим .

Так как , то

, выражая отсюда ток базы , получим:

Теперь рассчитаем полное приращение тока коллектора:

Допустимое температурное отклонение тока коллектора от его значения в рабочей точке А оценивается по формуле:

В нашем случае ­­­­– значит схема термостабильна.

Теперь выполним расчет температурного коэффициента тока коллектора. На основании формулы произведем расчет коэффициентов влияния:

Рассчитываем температурные коэффициенты входных параметров:

Тогда температурный коэффициент тока коллектора будет равен

6.Обоснование выбора элементной базы

Таблица 3.Сводная таблица элементов схемы

Элементы	Расчетные значения	Выбранные значения	Компоненты
R1	10,7 кОм	10 кОм	МЛТ-4,0-10 кОм±5%
R2	2,2 кОм	2,2 кОм	МЛТ-0,75-2,2 кОм±5%
R3 (RK)	400 Ом	390Ом	МЛТ-0,125-390 Ом±5%
R4 (RЭ)	200 Ом	200 Ом	МЛТ-0,1-200 Ом±5%
С1г	60,6 пФ	62 пФ	К10-73-МП0-62 пФ 5 % -В
C2, С2г	84,7 пФ	82 пФ	К10-73-МП0-82 пФ 5 % -В
С3, С3г	6,5 пФ	6,8 пФ	К10-73-МП0-6,8 пФ 5 % -В
Cбл	7,4 нФ	7,5 нФ	К10-73-МП0-7,5 нФ 5 % -В
Ск	17,4 пФ	18 пФ	К10-73-МП0-18 пФ 5 % -В
Срг	486,9 нФ	470 нФ	К10-73-МП0-470 нФ 5 % -В
Срк	61,2 пФ	62 пФ	К10-73-МП0-62 пФ 5 % -В
L1г	2,8 мкГн	2,7 мкГн	ДМ-0.1А-2,7 мкГн
L2г	2,65 мкГн	2,7 мкГн	ДМ-0.1А-2,7 мкГн
Lкг	5,4 мГн	5,6 мГн	ДМ-0.1А-5,6 мГн
VT1			КТ312А

7.Заключение

В ходе выполнения данного курсового проекта был произведен схемотехнический расчет схемы контура гетеродина радиоприемника.

При заданной полосе пропускания, равной , и промежуточной частоте резонансный контур имеет невысокую эквивалентную добротность .

Так же расчеты показали, что обратная связь значительно уменьшает коэффициент усиления по напряжению каждого из каскадов, а ,соответственно, и всего усилителя.

В целом, конструкция спроектированного контура гетеродина радиоприемника отвечает требованиям технического задания.