10. Запоминающие устройства.

Рис. 61. (с. 168,170). Статическое ОЗУ емкостью 8 байт (16 ячеек х 4 разряда).

Рис. 62. Статическое ОЗУ емкостью 512 байт (1024 х 4). Выводы DIO используются в качестве информационных входов при записи и в качестве информационных выходов при считывании.

Р ис. 63. Статическое ОЗУ емкостью 512 байт (4096 х 1).

Рис. 64. Статическое ОЗУ емкостью 2 Кбайт (2048 х 8). Имеет дополнительно вход ЕО (разрешение по выходу): пассивный уровень сигнала на этом входе переводит микросхему в Z-состояние независимо от значения сигнала на входе CS. Выводы DIO используются в качестве информационных входов при записи и в качестве информационных выходов при считывании.

Рис. 65. Динамическое ОЗУ емкостью 2 Кбайт (16384 х 1) со стробами адреса строки RAS и адреса колонки CAS.

Рис. 66. Масочное ПЗУ емкостью 2 Кбайт (2048 х 8).

Рис. 67. Программируемое ПЗУ емкостью 128 байт (256 х 4). Поступает к потребителю в первоначальном состоянии, соответствующем логическому 0 (элементы памяти всех ячеек установлены в состояние 0). При программировании потребителем запись информации производится с выходов DO. В режиме хранения на всех выходах DO удерживаются постоянные уровни логической 1.

Рис. 68. Репрограммируемое ПЗУ с электрическим стиранием информации емкостью 2 Кбайт (2048 х 8). В режимах записи выводы DIO используются в качестве информационных входов. Может работать в следующих режимах:

1. Хранение. Осуществляется при CS = 1, в этом случае микросхема переходит в Z-состояние.

2. Считывание происходит при активных уровнях сигналов на входах CS, ЕО и подключенном ко входу U_PR (см. с. 270) напряжении питания U_CC. Допускается сигналы CS и ЕО подавать не только уровнями, но и импульсами.

3. Общее стирание, когда элементы памяти всех ячеек устанавливаются в состояние 1, и на всех выходах DIO также появляются сигналы логической 1. Производится подачей импульса амплитудой 22В на вход U_PR при CS = 0 и EO = +12В.

4. Избирательное (байтовое) стирание, то есть стирание информации в одной ячейке происходит при CS = 0, ЕО = 1 и подаче импульса амплитудой 22В на вход U_PR. В этом случае состояние логической 1 устанавливается лишь в одной выбранной ячейке и на выходах DIO.

5. Общая запись, когда элементы памяти всех ячеек устанавливаются в состояние 0. Осуществляется подачей импульса амплитудой 22В при CS = +12В, EO = 1 и безразличных сигналах на входах DIO.

6. Избирательная (байтовая) запись, то есть запись в одну ячейку. Производится при CS = 0, ЕО = 1 и подаче импульса амплитудой 22В на вход U_PR.

Шуакаева А.К.

СБОРНИК

АКТИВНОГО РАЗДАТОЧНОГО МАТЕРИАЛА

ПО ДИСЦИПЛИНЕ

«ЦИФРОВЫЕ УСТРОЙСТВА И МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ СИСТЕМЫ»

ДЛЯ УЧАЩИХСЯ СПЕЦИАЛЬНОСТЕЙ:

«РАДИОЭЛЕКТРОНИКА И СВЯЗЬ»,

«ОПТИЧЕСКОЕ И ЭЛЕКТРОННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ»

2-Й КУРС

Подписано в печать

Формат 60х84 1.16 Бумага типографская. Ризограф.

Усл.печ.л. 3. Уч.изд.л. 2,3. Тираж

Заказ №______

Издательский дом ТОО «Hit Print»

050043, г.Алматы, ул.Рыскулбекова, 28

108