В отчете по второй части представить:

Схему SPS-модель полупроводникового диода, временные диаграммы процессов при различных сочетаниях параметров диода и нагрузки.

В отчете привести временные диаграммы переходных процессов при 3-х различных сочетаниях параметров диода и нагрузки.

Обьяснить различие полученных результатов

Контрольные вопросы по второй части

1. Как выбрать параметры диода?

2. Как изменяется прямое падение напряжения на диоде при изменении проходящего через него тока, если положительный потенциал питающего напряжения приложен к аноду ?

3.На вход схемы, собранной для снятия ВАХ диода подано синусоидальное напряжение. Какую форму имеет напряжение на диоде.?

4. Обьяснике смысл постановки демпфирующей цепи?

5. Какой сигнал формирует выходной порт?

Лабораторная работа n 3

“ИССЛЕДОВАНИЕ ВХОДНЫХ И ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРОВ”

Лабораторная работы состоит из двух частей.

Цель работы:

1. Получение экспериментальным путем входных и выходных характеристик транзисторов, получение навыков работы со справочной литературой.

2. Изучение особенностей построения, настройки полупроводниковых ключевых елементов (транзисторов) в пакете MATLAB

Часть первая

Выполнение лабораторной работы

1.Для данного транзистора, используя справочные данные, определить тип, цоколевку и выписать эксплуатационные параметры.

2.Составить принципиальную схему для исследования входных и выходных характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером, с учетом его структуры. (Обратить внимание на правильность полярности подключения источников питания).

3.Расчитать значения резисторов R_Б, R_К при U_{БЭ max} = 15 В, U_{KЭ max} = 30 В, исходя из требования ограничения токов базы и коллектора на уровне максимально допустимых. Собственным сопротивлением переходов база-эмиттер и коллектор-эмиттер пренебречь.

4.Собрать схему для проведения исследования.

6.Снять семейство входных характеристик I_Б = f(U_БЭ) при:

U_KЭ = 0, U_KЭ = 0.1U_{KЭ max}, U_KЭ = 0.5U_{KЭ max}

5.Снять семейство выходных характеристик I_K = f(U_KЭ) при:

I_Б= 0.05I_{Б max} I_Б = 0.1 I_{Б max} I_Б = 0.2 I_{Б max}

Приведенные значения тока базы могут изменяться в зависимости от используемого транзистора и должны уточняться у преподавателя.

6.Расчитать:

коэффициент усиления по току при U_KЭ = 10 В,;

входное сопротивление при U_KЭ = 5 В;

выходную проводимость .

Рис. 1 - Схема исследования характеристик биполярного транзистора

Рис. 2 - Схема исследования характеристик полевого транзистора

В отчете по первой части представить:

1. Электрические параметры и цоколевку исследуемого транзистора.

2. Принципиальную схему для проведения исследований.

3. Расчет значений резисторов R_Б, R_К.

4. Графики входных и выходных характеристик транзистора.

5. Расчет значений h - параметров транзистора.

Контрольные вопросы по первой части

1.К переходам транзистора структуры p-n-p приложены напряжения U_БЭ и U_КЭ в соответствии с рисунком. Чему равен ток коллектора?

2.Какую полярность должно иметь напряжение на базе относительно эмиттера, чтобы транзистор типа n-p-n был открыт?

3.Какая зависимость называется входной характеристикой транзистора ?

4.Какая зависимость называется выходной характеристикой транзистора? Что понимается под выражением "семейство выходных характеристик транзистора"?

5.Укажите на графике рабочую область выходных характеристик транзистора.

6.Объясните название схемы включения транзистора "схема с общим эмиттером".

7.Что характеризуют h - параметры транзистора?

8.При экспериментальном определении характеристик транзисторов получены следующие значения h параметров:

Транзистор	H11	h21Э
1	10	25
2	0.5	25
3	20	40
4	20	60

Какой из транзисторов вы выбрали для установки в схему и почему?

10.Как изменяется начальный коллекторный ток I_КО с повышением температуры?

11.Какое утверждение является правильным:

при увеличении температуры параметр h₂₁

а) увеличивается; б) не изменяется; в) уменьшается.

12. По диапазону рабочих частот транзисторы делятся на низкочастотные (до 3 МГц), среднечастотные (13-30 МГц), высокочастотные (30-300 МГц). Что называется граничной частотой передачи тока f_ГР ?