Лекция №7

Любой контур должен выполнять одно обязательное условие, а именно иметь определённое излучение за полосой приёма приёмника, для того, чтобы не создавать помехи другим радиостанциям.

,

где Р_1А - мощность антенны по первой гармоники,

Р_nА - мощность антенны по n-ой допустимой гармоники.

Приведём некоторые данные передатчиков, по излучению антенной допустимой мощности n-ой гармоники при различных мощностях 1-ой гармоники на различных частотах.

Р1А	fo	РnА_допустимое
< 5Вт	< 30 МГц	Р1А
< 50Вт	< 30 МГц	Р1А, но <50 Вт
< 25Вт	(30-235) МГц	Р1А, но <25 мкВт
> 25Вт	(30-235) МГц	Р1А, но <1 мВт
< 25Вт	(235-470) МГц	<25 мкВт

Рассмотрим на примере П – образного контура.

Контур, приведённый на рисунке 1.54 низкодабротен, т.к. ёмкостное реактивное сопротивление равно индуктивному.

Л учше использовать контур, приведённый на рисунке 1.55. За счёт того, что индуктивное реактивное сопротивление увеличивается с увеличением частоты он лучше отфильтровывает высшие гармоники, а, следовательно, имеет лучший коэффициент фильтрации. , , .

Полная схема каскада с П – образным фильтром.

,

.

С₁ – регулирует R_{э_кр} – сопротивление при котором каскад работает в критическом р

C₂ – настройка контура в резонанс;

C₃ – обеспечивает связь с нагрузкой.

Настроечные и нагрузочные характеристики ум вч

Сопротивление любого контура зависит от того, настроен или не настроен он. При его настройки в резонанс контур обладает наибольшей добротностью, а, следовательно, его сопротивление достигает наибольшего значения.

Необходимо понять, как влияет изменение сопротивление нагрузки на режим работы каскада.

Тогда, когда динамическая характеристика перпендикулярна е_к входное сопротивление ( ), т.к. U_mk=0;

При достижении критического режима R_э достигает значения R_{э_кр}, при котором при котором наблюдается оптимальный режим работы каскада. В перенапряжённом режиме R_э> R_{э_кр}; форма импульса коллекторного тока преобритает провал (см.рис. 1.58).

На рисунке 1.59 изображены настроечные характеристики каскада, из которых видно, что в базовой цепи происходит перераспределение тока эмиссии, управляющий электрод требует большего тока, поэтому наблюдается подъём амплитуды базового тока, амплитуду тока первой гармоники базы, и постоянной составляющей тока базы. При настройке контура в резонанс возрастает мощность возбуждения, в то время при С_{к_рез} уменьшается мощность рассеивания на транзисторе, а, следовательно, наблюдается провал I_km., I_ko, I_k1.

Построим графически напряжение на контуре (см.Рис.1.60)

При С_{к_рез} (С_{к_опт}) контур обладает высшей добротностью, а, следовательно, его сопротивление достигает наибольшего значения, а е_{к_min} – минимальна.

При критическом режиме:

P_o=I_koE_k; P₁=0.5U_kI_k1; P_k= P_o- P_1.

Как видно из рисунка 1.61 подводимая мощность уменьшается, т.к. мы работаем в режиме близком к критическому. Провал характеристики говорит о том, что резонансное напряжение велико. При резонансе мы имеем нормальную работу каскада. Потребляемая мощность в момент резонанса достигает наибольшего значения, т.к. в этом случае достигается максимальное значение напряжения на контуре.

Принципиальная схема, поясняющая принцип настройки каскада в резонанс приведена на рисунке 1.62. Необходимо настраивать так, чтобы получить минимальный ток коллектора и максимальный ток базы.

Рассмотрим некоторые другие настроечные зависимости:

Постоянная составляющая коллекторного тока, ток первой гармоники, амплитуда максимального коллекторного тока до критического режима (недонапряжённый режим) приблизительно const, т.к. семейство статических характеристик в этом режиме также линейны. При R_э=0 ДХ перпендикулярна е_к а, следовательно, U_k=0; при увеличении R_э, увеличивается наклон ДХ, а, следовательно, увеличивается напряжение на контуре и уменьшается е_{к min}.

Поведение токов и напряжений изображённых на рисунке 1.63 определяет поведение мощностей, изображённых на рисунке 1.64, из которого видно, что в критическом режиме происходит наибольшее использование полезной мощности и минимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора.

На рисунке 1.65 изображена зависимость коэффициента полезного действия от резонансного сопротивления, при котором каскад работает в критическом режиме. При сопротивление <R_экр большая мощность рассеивается на коллекторе транзистора, поэтому в недонапряжённом режиме КПД мал, но увеличивается при приближении к резонансному сопротивлению (критический режим). При R_э> R_экр перенапряжённый режим. В этом режиме каскад работать может, но нежелательно из других соображений.