Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Радиопередающие устройства РПУ - конспект лекци...doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
3.6 Mб
Скачать

З аполнив таблицу, ставим точки на статических характеристиках

В активной области транзистор хорошо управляется по базовому электроду. В случае недонапряженного режима транзистор хорошо управляется по коллекторному электроду.

Iкm – высота импульса для коллекторного тока;

Iк1 – ток первой гармоники;

P0= IкoEk – подводимая мощность;

P1 – полезная мощность;

Pк – мощность, рассеиваемая на коллекторе.

Достоинства и недостатки трёх режимов.

Режим

Недонапряжённый

Критический

Перенапряжённый

Umk

Umk< Umk крит.

Umk крит.

Umk> Umk крит.

Ikm

Max

max

<<max

Po

max

max

<<max

P1

<<max

=max

<<min

Pk

=max

max

=min

=min

max

=max

такой способ анализа называется графоаналитическим.

Усовершенствование предыдущего анализа заключается в отказе от криволинейности.

Идеализация статических характеристик

П роходные и выходные идеализированные характеристики выглядят так:

Eб’ – напряжение отсечки, - крутизна линии критического режима

АО-активная область,

ОН-область насыщения.

Уравнения статических идеализированных характеристик.

в АО: , где E’б – напряжение отсечки.

в ОН: .

Для критического режима справедливо следующее:

, критический режим наступает тогда, когда ек снижается до величины, близкой к еб.

Таким образом:

Если еб>Кек –то недонапряжённый режим.

Если еб<Кек –то перенапряжённый режим.

Теперь посмотрим, как ведёт себя активный элемент в динамическом режиме.

в АО:

в перенапряжённом режиме (ОН):

О чевидно, что в те моменты времени, когда , он представляет собой гармоническую функцию (см. рис.1.25 а ). В перенапряжённом режиме импульс коллекторного тока описывается по косинусоидальному закону, но с провалом макушки. Рассмотрим первый случай. Какие же гармоники содержатся в косинусоидальном импульсе.

Угол отсечки коллекторного тока

Рассмотрим недонапряженный режим:

Д ля вывода выражения для угла отсечки ( ) воспользуемся формулой:

,

При имеем , следовательно,

Для того, чтобы это было справедливо, необходимо, чтобы:

,

тогда: посмотрим, как это будет выглядеть на статической характеристики (см. рис 1.27).

При Еб=Е’б имеем =90о.

Построение ДХ в семействе идеализированных статических характеристиках.

  1. Если Umк=0; Ек=const, то это будет прямая, перпендикулярная Ек.

  2. Если Umк= Umк кр, еб max будет при ек min, следовательно получаем точку А и проводим прямую.

  3. Перенапряжённый режим:

если Umк> Umк кр., то транзистор управляется по базе до Umк= Umк кр.. При Umк> Umк кр транзистор управляется только по коллектору.

Построение ДХ показано на рисунке 1.28.

Лекция №5

Идеализация формы импульса (коллекторного тока).

АО: , но , тогда: .

П опробуем упростить ещё

,

тогда:

Проведём анализ, используя формулу Фурье

Iко - 1 - ая гармоника коллекторного тока:

Ikn - ток n - ой гармоники

, где

- коэффициенты разложения , или коэффициенты Берга.

Приведём графики некоторых коэффициентов Берга (см. рис. 1.30):

соответствует =120о

соответствует =60о

соответствует =40о

соответствует =30о

Очень важно знать отношение

- коэффициент формы (см. рис. 1.31).

- коэффициент формы - определяет КПД.

, где - коэффициент использования. Из формулы видно, что чем меньше угол отсечки и больше коэффициент использования, тем больше коэффициент полезного действия.

Зависимость КПД от номера гармоники при = 0,9:

40о

60о

80о

120о

N

0,85

0,81

0,71

0,59

n=1

0.72

0.57

0.3

0.1

n=2

0.56

0.29

0

--

n=3

Слишком малые углы отсечки стараются не выбирать, т.к. уменьшается коэффициент усиления по мощности (уменьшение угла отсечки приводит к уменьшению площади усиления, а для её увеличения необходимо увеличивать потребляемую мощность, а, следовательно падает КПД).

RESUME: Был рассмотрен принцип действия каскада. Установили целесообразность работы в критическом режиме при угле отсечки лежащем а пределах 60о-90о.

Найдём условия, при которых каскад будет генерировать нужную мощность, оставаясь в критическом режиме при небольшом угле отсечки ( ).

В ывод формулы для . Дано: мощность Р1. Выбираем транзистор, Ек, , т.е. найдём, каким должно быть для критического режима.

Рисунок 1.32 - частный случай ДХ при =90о

;

;

=

= .

, тогда:

отсюда находим :

При положительном коэффициенте >0.5

При отрицательном коэффициенте <0.5

Какой же результат нужно выбирать?

S1= S2 (см. рис. 1.33), но S2 не имеет практического применения, т.к. мал КПД (огромная мощность выделяется в виде тепла на коллекторе). Тогда:

Порядок расчёта каскада на заданную мощность в критическом режиме.

Дано: Мощность Р1, Выбираем: АЭ, Ек, Sкр, Рк допустимую

Задаёмся , , , .

  1. , 7) .

  2. , 8) .

  3. , 9) .

  4. , 10) .

  5. , 11) .

  6. .

Где Рк - мощность, рассеиваемая на транзисторе,

Rэ кр - требуемое сопротивление нагрузочного контура.

Итак, энергетический расчёт каскада закончен, Посмотрим, как каскад работает в режиме умножения частоты:

Вносятся поправки: P1 Pn , Ik1 Ikn , .

Тогда изменится формула 1, 5, 6, 9, 10, 11 соответствующим образом.

  1. , 7) .

  2. , 8) .

  3. , 9) .

  4. , 10) .

  5. , 11) .

  6. .

Энергетический расчёт цепи базы (входной цепи каскада)

  1. , где rэ= , 6) .

  2. , 7) .

  3. , 8) .

  4. , 9) -

  5. , -баланс мощностей в базовой

цепи.