
- •1 .Опишите фазы основного производства ис и назначение основного оборудования входящего в состав соответствующей фазы. Наименование фаз.
- •2.Опишите фазы вспомогательного производства и назначение вспомогательного оборудования, входящего в состав соответствующей фазы. Наименование фаз.
- •3.Классификация помещений по микроклимату и запылённости.
- •4.Опишите конструкцию боксов с применением схем данной конструкции.
- •Пылезащитные камеры без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •5. Опишите устройство, порядок работы, принцип действия установки очистки газы
- •6. Опишите устройство, порядок работы, принцип действия установки очистки газа водорода(угов) с использованием схемы угов.
- •7. Опишите устройство оборудования для очистки воды с использованием схемы установки, принцип действия установки, объясните понятие централизованной очистки и финишной очистки.
- •8. Опишите основные характеристики автомата "алмаз-6м" контролируемые наладчиком, для проверки готовности автомата к работе.
- •9. Опишите устройство, принцип действия автомата "алмаз-6м" с использованием кинематической схемы автомата.
- •10. Опишите порядок крепления алмазного круга с внутренней режущей кромкой и его натяга с использованием схемы крепления и натяга.
- •11. Опишите устройство и порядок работы станции очистки сож с использованием схемы.
- •12. Опишите устройство турбомолекулярного насоса, принцип его действия, порядок работы.
- •13. Опишите устройство, порядок работы с использованием схемы установки шлифовки с двухсторонним шлифованием.
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •14. Опишите устройство, порядок работы установки полировки (химико-механической) с использованием схемы установки.
- •15. Опишите назначение, устройство и порядок работы установки посадки кристаллов в корпус эм-4085.
- •16. Опишите устройство, порядок работы установки снятие фаски с использованием кинематической схемы установки.
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •17. Опишите назначение, устройство и порядок работы, автомата гидромеханической отмывки с использованием схемы.
- •18. Опишите устройство нагревательной камеры с использованием схемы камеры, основные отказы в работе.
- •19. Опишите назначение, устройство, градуированные характеристики преобразователей температуры (термопар), типы, пределы измерения.
- •20 .Изложите понимание вакуума, опишите примерную схему вакуумного оборудования с пояснением назначения узлов, приборов входящих в оборудование.
- •21.Опишите устройство механических объемных вращательных (пластинчато-роторных, пластинчато-статорных) насосов с использованием схем насосов, принцип действия данных насосов.
- •22. Опишите устройство преобразователя манометрического теплового с использованием его схемы, принцип действия преобразователя, с каким вакуумметром используется пмт.
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •23. Опишите устройство высоковакуумного насоса (паромасляного) насоса с использованием схемы насоса, принцип действия, технические характеристики насоса.
- •24. Опишите устройство преобразователя манометрического ионизационного с использованием схемы преобразователя, принцип действия, с какими вакуумметрами он применяется.
- •25. Опишите назначение, устройство, порядок работы установки присоединения выводов эм-4020б.
- •26. Опишите устройство установки наращивания эпитаксиальных слоев типа унэс-100 с использованием схемы установки, порядок работы установки.
- •27.Опишите устройство скруббера, назначение скруббера, принцип действия, его связь с системой газораспределения унэс-100 с применением схемы.
- •28. Опишите устройство ионного источника с применением схемы ионного источника, принцип действия ионного источника,
- •29. Опишите устройство цилиндра Фарадея, с применением схемы цилиндра, принцип действия. Изложите необходимость применения заземляющих и подавляющей диафрагмы.
- •30.Опишите устройство линейного шагового двигателя (лшд) с использованием схемы индуктора и статора, схемы расположения индуктора на статоре.
24. Опишите устройство преобразователя манометрического ионизационного с использованием схемы преобразователя, принцип действия, с какими вакуумметрами он применяется.
Назначение. Применяется для измерения давлений от 1.3 •10-3 до 10-1 Па.
Принцип действия. Принцип действия основан на движении заряженных частиц в вакууме.
Ионизационный манометрический преобразователь представляет собой электровакуумный прибор-триод, в стеклянный баллон 4 которого заключены катод 1, сетка 2 и анод 3. На анод подается отрицательный по отношению к катоду потенциал, равный 25 В, а на сетку-положительный, равный 200 В.
Когда ионизационный преобразователь(рис.5.12) вакуумно-плотно соединен с откачиваемым объемом и подано питание, электроны с раскаленного катода 1, ускоренные положительным потенциалом сетки 2, ионизируют находящийся в баллоне 4 разреженный газ, в котором возникает ионный ток, пропорциональный давлению газа в баллоне.
Образующиеся при ионизации разреженного газа ионы собираются анодом 3, находящимся под отрицательным потенциалом относительно катода.
Рис.5.12. Ионизационный манометрический преобразователь:
1 – катод; 2 - сетка; 3 – анод; 4 -стеклянный баллон;5-электрод анода.
25. Опишите назначение, устройство, порядок работы установки присоединения выводов эм-4020б.
Назначение.
Автомат предназначен для присоединения по заданной программе проволочных выводов к металлизированным контактным площадкам кристалла и корпуса внахлестку без подогрева изделий.
Принцип действия.
Принцип действия основан на методе ультразвуковой сварки с осуществлением подачи в рабочую зону прибора, предназначенного к разварке, распознавании и определении положения кристалла и корпуса, выполнении разварки по введенным координатам в режиме “Самообучение”.
Рис.15.3. Автомат ультразвуковой микросварки ЭМ-4020Б:
1-генератор ультразвуковой; 2- блок управления;3-контроллер загрузочно-разгрузочного устройства; 4-блок управления загрузочно-разгрузочного устройства; 5-устройство распределительное; 6-корпус блока (резервный); 7-блок вычислительный; 8-стол электрооборудования ; 9-плита; 10-устройство загрузочно-разгрузочное;11-блок управления;12-устройство видеоконтрольное; 13-блок питания;14-датчик телевизионный ;15- блок оптический;16-устройство микросварки;17-пульт оператора;18-ролик;19-опора;20-винт заземления.
26. Опишите устройство установки наращивания эпитаксиальных слоев типа унэс-100 с использованием схемы установки, порядок работы установки.
Рис.8.2. Реактор установки УНЭС-100:
1-охлождаемый колпак;2-рассекатель;3-кварцевыйстакан;4-индуктор; 5-подложкодержатель;6-пластины (подложки);7-отводная труба;8-кварцевая подставка;9-асбоцементная плита; 10-уплотнительная прокладка;11-механизм вращения;12-пневмоприжим.
Назначение.
Установка УНЭС-100(рис.8.2) предназначенная для наращивания эпитаксиальных слоев кремния из газовой фазы.
Принцип действия. Принцип действия основан на восстановлении тетрахлорида кремния в газообразном водороде с последующим осаждением кремния на подложку.
Реактор установки выполнен по вертикальной схеме и включает охлождаемый водой колпак 1, рассекатель 2 для равномерного распределения ПГС, подложкодержатель 5 в виде полого графитового цилиндра, закрепленного через кварцевую подставку 8 на механизме вращения 11. На внешней поверхности подложкодержателя выполнены наклонные гнезда для пластин 6, а внутри него размещен кварцевый стакан 3 с ВЧ-индуктором 4. Подача ПГС,водорода производится через штуцер в нижнем фланце.