Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ответы на уто.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
1.31 Mб
Скачать

24. Опишите устройство преобразователя манометрического ионизационного с использованием схемы преобразователя, принцип действия, с какими вакуумметрами он применяется.

Назначение. Применяется для измерения давлений от 1.3 •10-3 до 10-1 Па.

Принцип действия. Принцип действия основан на движении заряженных частиц в вакууме.

Ионизационный манометрический преобразователь представляет собой электровакуумный прибор-триод, в стеклянный баллон 4 которого заключены катод 1, сетка 2 и анод 3. На анод подается отрицательный по отношению к катоду потенциал, равный 25 В, а на сетку-положительный, равный 200 В.

Когда ионизационный преобразователь(рис.5.12) вакуумно-плотно соединен с откачиваемым объемом и подано питание, электроны с раскаленного катода 1, ускоренные положительным потенциалом сетки 2, ионизируют находящийся в баллоне 4 разреженный газ, в котором возникает ионный ток, пропорциональный давлению газа в баллоне.

Образующиеся при ионизации разреженного газа ионы собираются анодом 3, находящимся под отрицательным потенциалом относительно катода.

Рис.5.12. Ионизацион­ный манометричес­кий преобразова­тель:

1катод; 2 - сет­ка; 3 – анод; 4 -стеклянный баллон;5-электрод анода.

25. Опишите назначение, устройство, порядок работы установки присоединения выводов эм-4020б.

Назначение.

Автомат предназначен для присоединения по заданной программе проволочных выводов к металлизированным контактным площадкам кристалла и корпуса внахлестку без подогрева изделий.

Принцип действия.

Принцип действия основан на методе ультразвуковой сварки с осуществлением подачи в рабочую зону прибора, предназначенного к разварке, распознавании и определении положения кристалла и корпуса, выполнении разварки по введенным координатам в режиме “Самообучение”.

Рис.15.3. Автомат ультразвуковой микросварки ЭМ-4020Б:

1-генератор ультразвуковой; 2- блок управления;3-контроллер загрузочно-разгрузочного устройства; 4-блок управления загрузочно-разгрузочного устройства; 5-устройство распределительное; 6-корпус блока (резервный); 7-блок вычислительный; 8-стол электрооборудования ; 9-плита; 10-устройство загрузочно-разгрузочное;11-блок управления;12-устройство видеоконтрольное; 13-блок питания;14-датчик телевизионный ;15- блок оптический;16-устройство микросварки;17-пульт оператора;18-ролик;19-опора;20-винт заземления.

26. Опишите устройство установки наращивания эпитаксиальных слоев типа унэс-100 с использованием схемы установки, порядок работы установки.

Рис.8.2. Реактор установки УНЭС-100:

1-охлождаемый колпак;2-рассекатель;3-кварцевыйстакан;4-индуктор; 5-подложкодержатель;6-пластины (подложки);7-отводная труба;8-кварцевая подставка;9-асбоцементная плита; 10-уплотнительная прокладка;11-механизм вращения;12-пневмоприжим.

Назначение.

Установка УНЭС-100(рис.8.2) предназначенная для наращивания эпитаксиальных слоев кремния из газовой фазы.

Принцип действия. Принцип действия основан на восстановлении тетрахлорида кремния в газообразном водороде с последующим осаждением кремния на подложку.

Реактор установки выполнен по вертикальной схеме и включает охлождаемый водой колпак 1, рассекатель 2 для равномерного распределения ПГС, подложкодержатель 5 в виде полого графитового цилиндра, закрепленного через кварцевую подставку 8 на механизме вращения 11. На внешней поверхности подложкодержателя выполнены наклонные гнезда для пластин 6, а внутри него размещен кварцевый стакан 3 с ВЧ-индуктором 4. Подача ПГС,водорода производится через штуцер в нижнем фланце.