3. Содержание отчета

3.1. Титульный лист.

3.2. Цель работы.

3.3. Схема электрическая принципиальная для исследования стоковой характеристики полевого транзистора.

3.4. Результаты измерений, сведенные в таблицу.

3.5. Результаты измерений в виде графиков стоковой и стоко-затворной характеристик.

3.6. Основные справочные параметры исследуемого транзистора.

3.7. Выводы о работе.

4. Контрольные вопросы и задания

4.1. Какой прибор называется полевым транзистором, какие существуют виды полевых транзисторов и чем отличается их устройство?

4.2. Нарисуйте стоковые характеристики каждого вида полевых транзисторов и объясните, чем они отличаются.

4.3. Покажите, как определяются по характеристикам основные параметры полевых транзисторов.

4.4. Приведите примеры обозначения полевых транзисторов в зависимости от мощности и частоты.

4.5. В чем главные отличия биполярных от полевых транзисторов?

4.6. Какова величина входного сопротивления полевого транзистора?

Лабораторная работа № 9

Исследование вольт-амперной характеристики триодного тиристора

Цель работы. Исследовать вольт-амперную характеристику (ВАХ) триодного тиристора.

Оборудование. Лабораторный стенд 87Л-01, сменная панель 4.

Объект исследования. Тиристор КУ101А или аналогичный.

1. Общие сведения

Тиристор - это полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, который имеет три (или более) p-n-перехода и может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот. Различают диодные и триодные тиристоры, или, соответственно, динисторы и тринисторы.

Диодные тиристоры подразделяют на: тиристоры, запираемые в обратном направлении; проводящие в обратном направлении и симметричные (симисторы).

Триодные тиристоры подразделяют: на запираемые в обратном направлении с управлением по аноду или катоду; проводящие в обратном направлении с управлением по аноду или катоду; симметричные (двунаправленные). Кроме того, в их составе выделяют группу выключаемых тиристоров.

Структура триодного тиристора состоит из четырёх областей полупроводника с чередующимся типом проводимости (рис. 1). Такая структура имеет три выпрямляющих p-n-перехода (П1,П2 и П3) и два омических перехода. Электрод, примыкающий к n₁-области называется катодом, электрод, примыкающий к p₂-области - анодом. Управляющий электрод присоединяется к одной из базовых областей p₁ или n₂.

Если напряжение на аноде меньше некоторого напряжения включения U_вкл, то триодный тиристор находится в закрытом состоянии. Переключение триодного тиристора в открытое состояние осуществляется путём подачи на управляющий электрод положительного напряжения. Обычно триодные тиристоры не запираются с помощью управляющей цепи, и для запирания необходимо уменьшить ток в нём до значения ниже некоторого значения тока удержания I_уд (изменить полярность напряжения питания, разорвать цепь нагрузки). У выключаемых триодных тиристоров выключение происходит путём подачи через управляющий электрод короткого импульса обратного напряжения.

Тиристоры находят широкое применение в силовой электронике для выпрямления тока, инвертирования и преобразования частоты, в схемах автоматики для регулирования, управления и в цепях быстродействующей защиты, в системах электропривода переменного и постоянного тока, а также в импульсной и цифровой технике.

Термины, определения и обозначения параметров тиристоров приведены в ГОСТ 20332-84. Основными параметрами тиристоров являются:

1) постоянное напряжение в открытом состоянии U_ОС;

2) отпирающее напряжение управления U_{у. от};

3) отпирающий постоянный ток управления I_{у. от} ;

4) время включения t _вкл и время выключения t _выкл;

5) постоянный анодный ток в закрытом состоянии I_зс;

6) максимально допустимое постоянное анодное напряжение в закрытом состоянии U_зс;

7) максимально допустимое обратное напряжение U_обр;

8) средний анодный ток в открытом состоянии I_{ос. ср};

9) максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии du_зс/dt;

10) средняя рассеиваемая мощность в открытом состоянии P_ос.ср ;

11) максимально допустимая скорость нарастания анодного тока в открытом состоянии di_ос/dt.