6. Контрольные вопросы
1. Как показать на
зонной диаграмме полупроводника процессы
генерации и рекомбинации ?
2. С чем может быть
связано появление неравновесных
носителей заряда в полупроводнике ?
3. Что называется
временем жизни неравновесных носителей
заряда ? Каков физический смысл этого
параметра ?
4. Какие факторы и
почему влияют на время жизни носителей
заряда в полупроводнике ?
5. Как определяется
время жизни в данной работе ?
Объяснить
зависимость обратного тока p-n-перехода
от времени жизни неосновных носителей.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ
СПИСОК
Епифанов Г.Н.
Физические основы микроэлектроники.
М.: Советское радио, 1971. 375 с.
Епифанов Г.Н.
Физика твердого тела. М.: Высшая школа,
1977. 288с.
Дулин В.Н. Электронные
приборы. М.: Энергия, 1977. 424 с.
Смит З. Полупроводники.
М.: Мир, 1982. 560 с.
Росадо Л. Физическая
электроника и микроэлектроника. М.:
Высшая школа, 1991. 351 с.
