- •Введение
- •1. Конструкторская часть
- •1.1. Технические характеристики
- •1.2. Разработка и описание принципиальной схемы
- •1.3. Выбор элементной базы
- •1.4. Конструкторский расчет печатной платы
- •1.5. Расчет надежности конструкции
- •1.6. Выводы и предложения по повышению надежности
- •2. Технологическая часть
- •2.1. Анализ исходных данных
- •2.2. Выбор типового технологического процесса
- •2.3. Разработка маршрутного технологического процесса сборки
- •3. Регулировка, настройка, контроль и испытания
- •3.1. Технологические операции регулировки и настройки
- •3.2. Виды неисправностей и их устранения
- •3.3. Инструкция по эксплуатации внимание! перед использованием устройства прочитайте руководство по эксплуатации.
- •Заключение
- •Раздел 1.5 содержит расчет надежности конструкции, который показал, что разрабатываемое устройство с большой вероятностью может работать 34110 часов без ремонта.
- •Библиографический список
1.3. Выбор элементной базы
Резистор — пассивный элемент электрической цепи, в идеале характеризуемый только сопротивлением электрическому току, то есть для идеального резистора в любой момент времени должен выполняться закон Ома для участка цепи: U(t)=R*I(t) мгновенное значение напряжения на резисторе пропорционально току проходящему через него . На практике же резисторы в той или иной степени обладают также паразитной ёмкостью, паразитной индуктивностью и нелинейностью вольт-амперной характеристики.
Таблица 1.3.1.
Позиционное обозначение |
Тип |
Номинальное значение сопротивления, Ом |
Номинальная мощность, Вт |
Придельное значение напряжения, В |
Интервал рабочих темп-р, ºС |
Размеры, мм |
|
Диаметр |
длина
|
||||||
R1,R5, R8 |
МЛТ- 0,125 |
1Мом |
0,125 |
250 |
От -60 до +125 |
3,0 |
7,0 |
R2 |
МЛТ- 0,125 |
1кОм |
0,125 |
250 |
От -60 до +125 |
3,0 |
7,0 |
R3, R6 |
МЛТ- 0,125 |
100 кОм |
0,125 |
250 |
От -60 до +125 |
3,0 |
7,0 |
R4,R10, R11, R12 |
МЛТ- 0,125 |
10 кОм |
0,125 |
250 |
От -60 до +125 |
3,0 |
7,0 |
R7 |
МЛТ- 0,125 |
220 Ом |
0,125 |
250 |
От -60 до +125 |
3,0 |
7,0 |
R9 |
МЛТ- 0,125 |
2 Мом |
0,125 |
250 |
От -60 до +125 |
3,0 |
7,0 |
Конденсатор — двухполюсник с определённым значением ёмкости и малой проводимостью; устройство для накопления заряда и энергии электрического поля. Конденсатор является пассивным электронным компонентом. В простейшем варианте конструкция состоит из двух электродов в форме пластин (называемых обкладками), разделённых диэлектриком, толщина которого мала по сравнению с размерами обкладок. Практически применяемые конденсаторы имеют много слоёв диэлектрика и многослойные электроды, или ленты чередующихся диэлектрика и электродов, свёрнутые в цилиндр или параллелепипед со скруглёнными четырьмя рёбрами (из-за намотки).
Виды конденсаторов:
Бумажные конденсаторы. Применяются при низких частотах в качестве фильтровых, блокировочных и переходных. Диэлектриком в таких конденсаторах служит бумага, бумага пропитанная специальным составом.
Металлобумажные. Имеют меньшие размеры, чем бумажные, при одинаковой емкости. Диэлектриком является лакированная конденсаторная бумага, обкладками — тонкий слой металла, нанесенный на бумагу. Сопротивление изоляции — меньше, чем у бумажных.
Пленочные и метало пленочные. Отличаются высокой стабильностью параметров, большим сопротивлением изоляции (до 10s ГОм) и высокой добротностью (до 2000). Диэлектрик — тонкая пленка из полистирола или фторопласта. В металлопленочных конденсаторах обкладки выполнены в виде тонкого слоя металла, нанесенного на пленку.
Электролитические и оксиднополупроводниковые. Имеют малые размеры при значительной емкости. Применяются в фильтрах, в блокировочных цепях пульсирующего тока, а также в качестве переходных в усилителях и транзисторах. Диэлектрик — оксидный слой на металле. Одной обкладкой является металл, второй — электролит, либо слой полупроводника. Оксидная пленка обладает односторонней проводимостью, поэтому при подключении конденсатора нужно строго соблюдать указанную полярность
Таблица 1.3.2.
Позиционное обозначение |
Характеристика |
Тип конденсатора |
Емкость, Ф |
Допустимое отклонение величины емкости, ±% |
Номи-нальное напряжение, В |
Допусти-мые изменения темпера-туры, ºС |
C1 |
Оксидный |
К73-16 |
0.47 мк |
10; 20; 30 |
3 – 100 |
От -60 до +85 |
C2 |
Электролитический |
К50-35 |
47 мк |
10; 20; 30 |
3 – 100 |
От -60 до +85 |
C3, C5,C6 |
Оксидный |
К73-16 |
0,1 мк |
10; 20; 30 |
3 – 100 |
От -60 до +85 |
C4 |
Электролитический |
К50-35 |
10 мк |
10; 20; 30 |
3 - 100 |
От -60 до +85 |
Интегральная микросхема — микроэлектронное устройство — электронная схема произвольной сложности, изготовленная на полупроводниковом кристалле (или плёнке) и помещённая в неразборный корпус, или без такового, в случае вхождения в состав микросборки. На сегодняшний день большая часть микросхем изготавливается в корпусах для поверхностного монтажа.
Часто под интегральной схемой (ИС) понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой (МС, чипом) — ИС, заключённую в корпус. В то же время выражение чип-компоненты означает «компоненты для поверхностного монтажа» (в отличие от компонентов для пайки в отверстия на плате).
DD1 К561ЛА7:
Напряжение питания – 3-18 В
Ток потребеления – 15-30 мА
Выходной ток – 42 мА
Время задержки – 80 нС
DD2 К561КТ3:
Время задержки – 50 нс
Напряжение питания – 3-15 В
Rоткр. – 80 Ом
4 двунаправленных переключателя
Ток потребления – 2 мкА
DD3 К561ИЕ8:
Время задержки – 170 нс
Напряжение питания – 3-15 В
Частота входного сигнала – 2МГц
Выходной ток – 0,18 мА
Ток потребления – 0,2 мА
Ключ (переключатель, выключатель) — электрический коммутационный аппарат, служащий для замыкания и размыкания электрической цепи. Выключателем может называться коммутационный аппарат, не имеющий собственного названия, имеющий как минимум два фиксированных положения своих контактов (включено/отключено) и способный изменить это положение под действием внешних сил, на другое положение контактов (включено/отключено) на сколь угодно малое или большое значение времени.
Таблица 1.3.4.
Позиционное обозначение |
Тип |
U |
I |
Температура |
SB1 |
П2К |
125 В |
3 А |
-25…+70 |
Светодиод - светодиодом называется полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования электрической энергии в энергию некогерентного светового излучения. При протекании через диод прямого тока происходит инжекция неосновных носителей заряда (электронов или дырок) в базовую область диодной структуры Процесс самопроизвольной рекомбинации инжектированных неосновных носителей заряда, происходящих как в базовой области, так и в самом p-n переходе, сопровождается переходом их с высокого энергетического уровня на более низкий; при этом избыточная энергия выделяется путем излучения кванта света.
HL1 КИПД40:
Цвет свечения – красный
Сила света – 3000 мКд
Прямой ток – 20 мА
Температура 25°С
|
|
Дио́д — электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электрод диода, подключаемый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключаемый к отрицательному полюсу —катодом.
VD1-VD3 КД522Б
Тип диода – импульсный
Максимальное обратное напряжение – 50 В
Максимальный прямой ток – 0,1 А
Максимальный обратный ток – 1 мкА
Рабочая температура - -60…125
