Методы исследования материалов и структур электроники

36. Методы измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов

37. Основные методы измерения времени жизни носителей заряда в полупроводниках

Технология материалов электронной техники

38. Требования к материалам полупроводникового качества. Очистка сырья до уровня кремния полупроводникового качества.

39. Требования к материалам полупроводникового качества. Выращивание монокристаллов кремния по методу Чохральского.

40. Методы очистки веществ. Описание процесса кристаллизации как метода очистки при помощи фазовой диаграммы.

41. Разделение заряженных частиц в скрещенных магнитном и электрическом полях.

42. Условия осуществления направленной кристаллизации. Выращивание монокристаллов по методу Бриджмена.

43. Радиационное легирование кремния в твердой фазе.

44. Индексы Миллера. Оптический и рентгеновский методы ориентации монокристаллов.

Процессы микро- и нанотехнологии

45. Сухие процессы химической обработки. Классификация.

46. Установка диодного типа для проведения сухих процессов химической обработки.

47. Автономный ионный источник «Радикал» для проведения сухих процессов химической обработки.

48. Факторы, влияющие на скорость травления в жидкостном травителе.

49. Фотолитография. Назначение и последовательность выполнения операций.

50. Электронная литография в производстве ИМС.

51. Эпитаксия кремния из газовой фазы на установке с вертикальным реактором.

52. Параметры эпитаксиальных слоев и методы их контроля.

53. Математическое описание процесса диффузии. Решение уравнения Фика для случая ограниченного источника.

54. Математическое описание процесса диффузии. Решение уравнения Фика для случая неограниченного источника.

55. Термическая диффузия примеси по методу открытой трубы.

56. Схема ионно-лучевой установки для проведения имплантации примеси в полупроводниках.

57. Кремниевая эпитаксиальная структура. Ее основные элементы и обозначение.

Микроэлектроника

58. Классификация микросхем по степени интеграции, частотному диапазону, функциональному назначению и конструктивно-технологическому исполнению.

59. Особенности интегральной транзисторной структуры, паразитный транзистор.

60. Разновидности планарных n-p-n транзисторов.

61. Разновидности планарных p-n-p транзисторов.

62. Структуры полевых транзисторов для интегральных микросхем: транзисторы с управляющим p-n – переходом.

63. Структуры полевых транзисторов для интегральных микросхем: МДП–транзисторы. Комплементарные МДП–структуры.

64. Диффузионные и ионно-легированные резисторы для интегральных микросхем.

65. Диффузионные и МОП–конденсаторы для интегральных микросхем.

Микросхемотехника

66. Основные аналоговые функции и интегральные микросхемы для их реализации.

67. Схемотехнические принципы построения ИМС операционных усилителей.

68. Способы улучшения характеристик и параметров цифровых ИМС.

69. Логические элементы ТТЛ.

70. Логические элементы на основе полевых транзисторов.

71. Последовательная логика, принцип построения регистров и счетчиков.

72. Логические элементы интегральной инжекционной логики.

73. Интеграторы на основе операционных усилителей.