Физическая химия материалов и процессов электронной техники

9. Химическая термодинамика. Свободная энергия реакции. Второй закон термодинамики. Направление химической реакции. Расчет ΔG_T.

10. Термодинамика растворов. Расчет парциальных молярных величин в двухкомпонентной системе. Химический потенциал. Уравнения Гиббса-Дюгема. Уравнения Рауля и Генри.

11. Равновесие в гетерогенных химических системах. Константа равновесия. Уравнение Клайперона-Клаузиуса.

Физика твердого тела

12. Зависимость концентрации носителей заряда в полупроводниках от концентрации легирующей примеси и температуры.

13. Виды и механизмы рекомбинации носителей заряда в полупроводниках; рекомбинация носителей заряда в кремнии.

14. Эффективная масса носителей заряда. Дырки в полупроводниках.

15. Электропроводность полупроводников, ее зависимость от температуры.

16. Влияние сильных электрических полей на электропроводность полупроводников.

17. Диффузионные и дрейфовые токи в полупроводниках. Соотношение Эйнштейна.

18. Тепловые свойства твердых тел. Теплоемкость, теплопроводность, тепловое расширение.

19. Рассеяние носителей заряда в полупроводниках. Механизмы рассеяния. Подвижность носителей заряда.

Твердотельная электроника

20. Электронно-дырочные p-n-переходы: распределение пространственного заряда, электрического поля и концентрации носителей заряда в p-n-переходе, энергетические зонные диаграммы, высота потенциального барьера.

21. Переходы на основе контакта металл-полупроводник: энергетические зонные диаграммы, высота потенциального барьера, вольтамперная характеристика диода Шоттки.

22. Переходные процессы в диоде. Барьерная и диффузионная емкости диода. Эквивалентная схема замещения диода.

23. Статические параметры биполярного транзистора.

24. Малосигнальные параметры биполярного транзистора и эквивалентные схемы замещения.

25. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом: конструкция, принцип действия, основные параметры и характеристики.

26. МДП-транзисторы: конструкция, принцип действия, основные параметры и характеристики.

Физика полупроводниковых и микроэлектронных приборов

27. Вольтамперная характеристика p-n-перехода в приближении диодной теории выпрямления (вывод уравнения, графический анализ).

28. Вольтамперные характеристики реальных диодов и их анализ.

29. Виды пробоя p-n-перехода: туннельный, лавинный, тепловой, поверхностный. Их отличительные признаки.

30. Лавинный пробой p-n-перехода. Условие лавинного пробоя. Микроплазменный пробой реальных p-n-переходов. Причины микроплазменного пробоя.

31. Гетеропереходы. Энергетические зонные диаграммы. Механизмы токопрохождения.

32. МДП-структуры: энергетические зонные диаграммы, анализ вольтфарадной характеристики.

33. Физическая модель плоскостного транзистора, энергетическая зонная диаграмма. Режимы работы. Токи и внутренние параметры.

34. Зависимость коэффициента усиления по току биполярного транзистора от напряжения и тока.

35. Физическая модель тиристорной структуры, вольтамперные характеристики, условия включения и выключения.