
- •К практическим занятиям и расчетно-графическим работам
- •160801, 160400 – Ракетостроение,
- •151001, 151900 - Технология машиностроения,
- •230101 – Автоматизация систем обработки информации и управления
- •160801, 160400 – Ракетостроение,
- •Тема 1. Полупроводниковые элементы
- •Связь между током, напряжением и сопротивлением проводника
- •1.2. Свойства полупроводниковых p-n-переходов
- •Тема 2. Полупроводниковые диоды и стабилитроны
- •2.1. Оценим параметры диодов в цепи с различными источниками эдс
- •Тема 3. Транзисторные ключи
- •3.2. Динамический режим работы транзисторного ключа
- •Тема 4. Усилители низкой частоты на транзисторах
- •Тема 5. Источники стабилизированного питания
- •5.1. Параметрические линейные стабилизаторы
- •5.2. Компенсационные стабилизаторы с операционным усилителем
- •Тема 6. Активные фильтры
- •6.1. Дифференциатор на оу. Фильтр высоких частот
- •6.2. Интегратор на оу. Фильтр низких частот.
- •6.3. Примеры схем активных фильтров первого порядка
- •6.4. Примеры схем активных фильтров второго порядка
- •Тема 7. Генераторы импульсных сигналов
- •7.1. Автоколебательный мультивибратор.
- •7.2. Автоколебательный генератор на операционных усилителях
- •7.3. Ждущий мультивибратор на биполярных транзисторах.
- •Тема 8. Формирователи импульсов заданной длительности Цель занятия: Рассчитать параметры усилителя–формирователя импульсов с использованием дифференцирующих и интегрирующих rc-цепей
- •8.1. Пассивные фильтры
- •8.2. Формирование задержанного импульса
- •8.3. Формирование коротких импульсов
- •8.4. Пороговые устройства (триггеры Шмитта) на базе компаратора
- •К практическим занятиям и расчетно-графическим работам
- •160801, 160400 – Ракетостроение,
- •151001, 151900 - Технология машиностроения и приборостроения,
- •230101 – Автоматизация систем обработки информации и управления.
- •426069, Г.Ижевск, Студенческая,7
Тема 5. Источники стабилизированного питания
Цель занятия: Приобретение умений и навыков оценки параметров схем
источников стабилизированного питания, и методами расчета их параметров
Схема, устраняющая колебания напряжения питания при изменении тока в нагрузке, называется стабилизатором напряжения. Существует большое разнообразие схем стабилизаторов с нерегулируемым и регулируемым напряжением, отличающихся сложностью построения и способом преобразования. Основными параметрами стабилизатора являются: отдаваемая мощность и диапазон напряжений и токов в нагрузке, амплитуда пульсаций и коэффициент стабильности.
5.1. Параметрические линейные стабилизаторы
Определяющим критерием при выборе и расчете РЭ и ИЭ являются массообменная характеристика, мощность потребления, точность и стабильность во времени напряжения UН на нагрузке, высокий КПД (η) и надежность схемы.
Рассмотрим схемы параметрических и компенсационных стабилизаторов, КПД которых зависит от величины мощности потерь на регулируемом элементе.
В
схеме параметрического стабилизатора
транзистор (VT) включают
либо по схеме с общим эмиттером (ОЭ),
либо по схеме с общим коллектором (ОК)
(эмиттерный повторитель - рис. 5.1). Такая
схема обладает невысокой мощностью РН
≤ 20 Вт и низким коэффициентом
стабилизации КСТ ≤ 500 и η ≤ 75.
Ток в нагрузке IН зависит от тока базы IБ.VT, задаваемого цепью R1 и стабилитроном VD.
Основные расчетные соотношения для схемы:
UН = (UОП –UБЭ.VT) = (UВХ –UКЭ.VT) (5.1)
UОП = (UВХ –UR1); (напряжение опорное на стабилитроне) (5.2)
UR.1 = (IR1∙R1) = (UВХ –UОП); (напряжение на ограничивающем резисторе) (5.3)
R1 = (UВХ–UОП)/IR1 = [UВХ–(UН+UБЭ)]/IR1 = UR1/(IОП+IБ.VT); (5.4)
IОП = [(UВХ–UR1)/R1] (ток стабилизации через стабилитрон) (5.5)
IИ = (IН + IR1); *(IН.Мах. ≤ 0,9∙IИ.Доп.). (5.6)
IН = (UН/RН) = IБ.VT∙β ≈ IЭ.VT. *(IН.Мах. ≤ 0,8∙IК.VT.Доп). (5.7)
IБ = IR.1 – IVD = (UБЭ+UН)/rБ. *(IБ < IБ.Нас.); *(IБ ≈ (⅔)IОП.Ном.). (5.8)
РИ = (РН + РVТ + РVD); *(РН.Мах ≤ 0,9∙РИ.Доп). (5.9)
РН = (IН∙UН) = (IН2∙RН) = UН2/RН; (5.10)
РVD = (IОП∙UОП); РVТ = (IК.VT∙UКЭ.VT); *(РVТ ≤ 0,9∙РVТ.Доп.) (5.11)
ηСТ = РVT/РСТ ≤ 0,92. ηИ = РСТ/РИ ≤ 0,85. (5.12)
Пульсации UН в нагрузке (рис. 5.2) в зависимости от изменения тока IН в нагрузке определяются выходным сопротивлением rВых. схемы стабилизатора:
rВых. = UН/IН = 1/S = φT/IН. (5.13)
где S = (I0/φT)exp(Uбэ/φT) = (IК/φT) – крутизна.
(при φT ≈ 0,026В и IН = 0,1А получим rВых. ≈ 0,26).
Колебания UН напряжения сглаживаются благодаря малой величине rДиф. стабилитрона.
Изменение величины UН составит:
UН = ΔUОП = [rДиф./(rДиф.+R1)]∙ΔUИ ≈ (rДиф./R1)∙ΔUИ. (5.14)
* ΔUН ≤ 0,02∙UН на выходе схемы (рис. 6.1) и подобной схеме при оптимальной нагрузке.
* rДиф. = UОП/IОП ≈ φT/IОП - дифференциальное сопротивление стабилитрона.
КСТ = (ΔUН/ΔUИ) = (R1/rДиф) ≤ 200 - коэффициент стабилизации. (5.15)
Для снижения чувствительности к пульсациям UИ источника – часто на входе и выходе схемы стабилизатора ставят С0.Ф и С2.Ф из условия:
τРАЗР = С0.Ф∙RН’ ≈ (3÷5)Т, либо С∙ΔU = I ∙ t, откуда СФ = I∙t /ΔU
[0,08 c = 0,002Ф∙40ом ≈ 4∙0,02с]. [0,001 = 0,5A∙0,02c/5B]
Достаточным для выбора С0.Ф является условие, если ΔUВЫПР ≤ (0,1∙UВЫПР).
При оптимальном значении С0.Ф величина UВЫХ.ВЫПР увеличится в 1,41 раз.
Очень высокая величина С вызывает рост пикового тока IDS при заряде С
длительностью до t ≤ (20/2) mс (для схемы мостового выпрямителя), амплитудой:
I
DS
≈ UИ / 2rИ∙
r’Н = 12/ (2*1,18*11)
= 12/5 = 2,35 A. (5.16)
Величина колебаний ΔUИ напряжения источника (выпрямителя). с учетом частоты fПУЛЬС. пульсации (сети) и тока IН нагрузки, при установке C0 составляет:
Δ
UИ
= [IН/(C0∙2fПульс.)]∙[1–
4 (rИ/2∙r’Н)];
[T = (1/2f)
= 0,01 c] (5.17)
или СФ.0 = T/(UН/IН) = 0,00166 (Ф) = [IН/(ΔUИ∙2fПульс.)]∙[1– 4√(rИ/2∙r’Н)]. (5.18)
Более точное значение СФ – на выходе выпрямителя (Г-обр. фильтра) составит:
С0.Ф = [ I2∙(KПУЛ.2П.∙КВЫПР.2П)]/(ΔЕИ∙2fПУЛ) = [(0,5A∙0,9∙0,66)/(5B∙2∙50Гц)] = 600мкФ.
где ΔЕИ ≤ 0,2∙ЕИ = 0,2∙25V = 5V (для схем выпрямителей с оптим. нагрузкой).
fПУЛ. – частота пульсаций напряжения на выходе выпрямителя (f = 2*50Гц);
rИ – выходное сопротивление нестабилизированного источника (выпрямителя);
* обычно, rИ = 2 ÷ 0,1 Ом (при РИ = 10 ÷ 100 Вт и при ЕИ ≤ 40 В);
r’Н = (rВХ+R Н) ≈ (5÷10)∙rИ – эквивалентная нагрузка, подключенная к источнику.
* В данном случае r’Н это (rВХ+R Н) схемы стабилизатора с подключенной на выходе нагрузкой.
В эмиттерном повторителе (в схеме с ОК) выполняется условие: rВХ ≈ (5÷10)∙rВЫХ.
Например, при IН =1А; UН =12В; ΔЕИ ≈ 3В; rИ = 1,18ОМ и r’Н = 11ОМ получим:
С
0
= [1А/(3В∙2∙50ГЦ)]∙[1–
4 (1,18ОМ/2∙11ОМ)] = 0,00166
Ф ≈ 1700 мкФ.
и наоборот, при С0 = 0,0017Ф:
Δ UИ. = [1А/(0,0017Ф∙2∙50ГЦ)]∙[1– 4 (1,18ОМ/2∙11ОМ)] = 2,95 В ≈ 3 В.
IDS ≈ 12В /√2∙1,18ОМ∙11ОМ = 2,35 А при ЕИ ≈ 12В (5.16’)
Пример схем стабилизаторов повышенной мощности приведен на рис. 5.3 – 5.5.
Для регулировки напряжения на нагрузке в диапазоне UН = (2/3 ÷ 6/8)ЕИ в цепь базы транзистора (или в цепь входа ОУ) вводят резистор R2 ≈ (5÷10)R1.
Здесь для лучшего подавления пульсаций транзистор включен по схеме с ОЭ.
При одинаковой сложности схем стабилизаторов, схема с ОЭ обеспечивает более высокий коэффициенты стабилизации КСТ, но выходное сопротивление rВЫХ схемы с ОЭ выше, чем в схеме с ОК. Поэтому, если стабилизатор работает с переменной (регулируемой) RН нагрузкой, то выгодно включать VT по схеме с ОК.
Для расчета схем (рис. 5.3 – 5.5) по заданным параметрам ЕИ, UН, IН или RН достаточно определить параметры: транзисторов (РVT, UКЭ, IК, IБ, β); стабилитрона VD (IОП, UОП, rДиф.); коэффициент КСТ и напряжение ΔUСТ пульсации.