0. - Сохранение промежуточных результатов моделирования в файл типа .tdr. Используйте команду save из колонки Generic, задайте имя сохраняемого файла: vert_npn2.

0. Формирование базовой области транзистора.

   0. - Перестроение сетки в области базы. Используйте команду insert, как описано в пункте 7. В окне String Editor наберите текст:

refinebox clear

refinebox Silicon min= { 0 0.2 } max= { 1.5 14.4 } xrefine = { 0.1 0.1 0.2 } yrefine = { 0.1 0.2 0.1 } add

refinebox remesh

и нажмите ОК.

0. - Формирование маски. Добавьте процесс pattern и задайте значения аргументов в соответствии с таблицей:

   Аргумент	Значение	Комментарий
   слой (layer)	BASE
   полярность (polarity)	light_field	Светлые области соответствуют позитивному фоторезисту
   толщина (sickness)	1 <um>

1. - Имплантация бора. Добавьте процесс implant и задайте следующие значения аргументов:

   Аргумент	Значение
   примесь (species)	Boron
   доза (dose)	1e14<cm-2>
   энергия (energy)	50<keV>
   наклон (tilt)	0
   разворот (rotation)	0

2. - Травление фоторезиста. Добавьте процесс etch и задайте следующие значения аргументов:

   Аргумент	Значение
   материал (material)	resist
   толщина (thickness)	1 <um>
   тип травления (etchtype)	strip

3. - Высокотемпературный отжиг. Добавьте процесс anneal, задайте аргументы в соответствии с таблицей:

   Аргумент	Значение
   температура (temperature)	1100<C>
   время (time)	35<min>

4. - Сохранение промежуточных результатов моделирования в файл типа .tdr. Используйте команду save из колонки Generic, задайте имя сохраняемого файла: vert_npn3.

0. Формирование эмиттерной области транзистора.

   0. - Формирование маски. Добавьте процесс pattern и задайте значения аргументов в соответствии с таблицей:

      Аргумент	Значение	Комментарий
      слой (layer)	EMITTER
      полярность (polarity)	light_field	Светлые области соответствуют позитивному фоторезисту
      толщина (sickness)	1 <um>

   1. - Имплантация мышьяка. Добавьте процесс implant и задайте следующие значения аргументов:

      Аргумент	Значение
      примесь (species)	Arsenic
      доза (dose)	5e15<cm-2>
      энергия (energy)	55<keV>
      наклон (tilt)	7
      разворот (rotation)	0

   2. - Травление фоторезиста. Добавьте процесс etch и задайте следующие значения аргументов:

      Аргумент	Значение
      материал (material)	resist
      толщина (thickness)	1 <um>
      тип травления (etchtype)	strip

   3. - Высокотемпературный отжиг. Добавьте процесс anneal, задайте аргументы в соответствии с таблицей:

      Аргумент	Значение
      температура (temperature)	1100<C>
      время (time)	25<min>

   4. - Сохранение промежуточных результатов моделирования в файл типа .tdr. Используйте команду save из колонки Generic, задайте имя сохраняемого файла: vert_npn4, а также команду insert, в окне текстового редактора при задании аргументов введите следующий текст:

SetPlxList {BTotal SbTotal AsTotal PTotal}

WritePlx Final.plx y=5.0

WritePlx Sinker.plx y=23.0

для записи профилей распределения примесей в сечении с координатами y=5.0 и y = 23.0 в файлы формата plx.