
- •Метод конечных элементов.
- •Построение сетки конечных элементов
- •Создание нового макроса
- •Добавление аргументов
- •Добавление шагов процесса к макросу
- •Вставка макросов в процесс
- •Лабораторная работа № 1 "Составление описания технологического процесса формирования кмоп-инвертора"
- •Порядок выполнения работы:
- •Приложение 1. Код командного файла
- •Лабораторная работа № 2 "Составление описания технологического процесса формирования биполярного транзистора"
- •Порядок выполнения работы:
- •Формирование эпитаксиального слоя.
- •Формирование контакта к заглубленному слою.
- •Формирование базовой области транзистора.
- •Формирование эмиттерной области транзистора.
- •Формирование металлической разводки.
Лабораторная работа № 1 "Составление описания технологического процесса формирования кмоп-инвертора"
Порядок выполнения работы:
Используя схематичное изображение сечения структуры КМОП-инвертора (рис. 2) и бланк сопроводительного листа (табл. 1), составить описание технологического процесса изготовления полевого транзистора по технологии самосовмещенного поликремниевого затвора в сочетании с LOCOS-процессом формирования изолирующего оксида.
Используя пример листинга программы моделирования процесса изготовления КМОП-инвертора (Приложение 1), откорректировать описание процесса в сопроводительном листе, определить параметры технологических операций и заполнить столбец "Основные режимы" (табл. 1). При этом необходимо учесть следующие особенности процесса:
Формирование легированных областей проводится в порядке убывания глубины залегания p-n-переходов;
Формирование легированных областей проводится методом ионной имплантации с последующим отжигом для активации и разгонки примесей. Области стоков-истоков транзисторов создаются в два этапа: слаболегированные области с глубиной залегания p-n-перехода 1,6 мкм – после формирования кармана, приповерхностная область дополнительно подлегируется после формирования затвора и изолирующего слоя боро-фосфоросиликатного стекла для обеспечения омического контакта. Глубина перераспределения примеси в n+ и p+ областях – 0,8 мкм.
В структуре формируется двухслойный окисел: толстый изолирующий – между областями транзисторов и тонкий подзатворный диэлектрик в области каналов;
В сопроводительном листе должны присутствовать операции очистки, которые необходимо проводить перед наиболее ответственными операциями, например, окислением или нанесением металла (хотя при моделировании очистка не учитывается), а также контрольные операции.
В заголовочной части сопроводительного листа указывается тип изготавливаемого прибора, номер партии пластин (не заполняется) и описание подложки (материал, тип и концентрация легирующей примеси).
Создать шаблоны для формирования КМОП-инвертора, используя программный модуль Ligament Layout Editor.
В модуле Ligament Flow Editor составить последовательность операций технологического процесса в соответствии с сопроводительным листом. Оттранслировать файл в формат командного файла, выполняемого в SProcess, сохранить транслированный файл.
Запустить программу на выполнение, просмотреть результат моделирования в виде диффузионных профилей в Tecplot_sv и Inspect.
Подготовить отчет по лабораторной работе. Отчет должен содержать сопроводительный лист; эскизы шаблонов; копию экрана Ligament Flow Editor с изображением составленного Вами процесса; текст командного файла; двумерные изображения структуры, полученные после выполнения всех основных операций в модуле Tecplot; профили легирования в областях стока-истока обоих транзисторов, построенные в модуле Inspect.
ВНИМАНИЕ!!! Примерный текст командного файла приводится только для ознакомления с синтаксисом основных команд. Последовательность операций и параметры должны быть откорректированы в соответствии со спецификацией и указаниями преподавателя.
Таблица 1.
Сопроводительный лист технологического процесса
Сопроводительный лист –
Партия |
Пластины |
№ |
Наименование операции |
Дата |
Основные режимы |
Кол-во |
Примечание |
Подпись |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|