• ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

«КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. А.Н. ТУПОЛЕВА-КАИ»

Нижнекамский институт информационных технологий и телекоммуникаций

Кафедра: «Информационных технологий»

Расчетно-графическая работа

на тему:

«Расчет параметров транзистора».

по дисциплине «Физические основы электроники»

Выполнил: ст. гр. _____

ФИО.________________

Проверил: д.т.н., профессор

В. В. Звездин ___________

г. Нижнекамск

2013

Методические указания к практическим работам

Методические указания по дисциплине «Физические основы электроники» составлены в соответствии с программой курса и включают справочные материалы к расчетным заданиям по разделам: «Полупроводниковые приборы», «Усилитель-ные устройства» и «Импульсная техника».

Расчетные задания предназначены для развития у студентов навыков самостоятельно решать сложные технические вопросы, работать с технической литературой.

Теоретические сведения

1. Транзисторы

1.1. Классификация и система обозначений транзисторов

Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойст-вам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит свое от-ражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с появ-лением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений.

Система обозначений существующих типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919-81 и базируется на ряде классифика-ционных признаков. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор. Для обозначения исходного мате-риала используются следующие символы:

Г или 1 – для германия и его соединений;

К или 2 – для кремния или его соединений;

А или 3 – для соединений галлия (практически для арсенида галлия, используемого для создания полевых транзисторов);

И или 4 – для соединений индия (эти соединения для производства транзисторов пока в качестве исходного материала не применяются).

Второй элемент обозначения – буква, определяющая подкласс (или группу) транзисторов. Для обозначения подклассов используется одна из двух букв: Т – для биполярных и П – для полевых транзисторов.

Третий элемент – цифра, определяющая основные функциональные возможности транзистора (допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту).

Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков транзисторов применяются следующие цифры.

Для транзисторов малой мощности (максимальная мощность, рассеи-ваемая транзистором, не более 0,3 Вт):

1 – с граничной частотой коэффициента передачи тока или максималь-ной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более 3 МГц;

2 – с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

3 – с граничной частотой более 30 МГц.

Для транзисторов средней мощности (максимальная мощность, рассеи-ваемая транзистором, более 0,3, но не более 1,5 Вт):

4 – с граничной частотой более 3 МГц;

5 – с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

6 – с граничной частотой более 30 МГц.

Для транзисторов большой мощности (максимальная мощность, рас-сеиваемая транзистором, более 1,5 Вт):

7 – с граничной частотой не более 3 МГц;

8 – c граничной частотой от 3МГц до 30 МГц;

9 – с граничной частотой более 30 МГц.

Четвертый элемент – число, обозначающее порядковый номер разра-ботки технологического типа транзисторов. Для обозначения порядкового номера используют двузначные числа от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то применяют трехзначные числа от 001 до 999.

Пятый элемент – буква, условно определяющая классификацию по па-раметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии. В качестве классификационной литеры применяют буквы русского алфавита (за исклю-чением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э). Стандарт предусматривает также вве-дение в обозначение ряда дополнительных знаков если необходимо отметить отдельные существенные конструктивно-технологические особенности боров.

Транзистором называют полупроводниковый прибор, служащий для усиления электрических сигналов.

Транзисторы делятся:

1. Биполярный транзистор — ток в нём определяется движением носителей заряда двух типов: электронов и дырок (отсюда и название биполярный)

2. Униполярный транзистор с n или p типом проводимости (полевой транзистор) в свою очередь униполярные делятся на транзисторы:

• с p-n переходом

• с индуцированным каналом

• с встроенным каналом

Транзистор с индуцированным или встроенным каналом называют МДП-транзистор или МОП-транзистор

МДП-транзистор — структура металл-диэлектрик-полупроводник

МОП-транзистор — металл-окисид-полупроводник (оксид – диоксид кремния)

3. Однопереходные транзисторы — трёхэлектродный прибор, имеющий один тип проводимости полупроводника, и проводимость канала полупроводника между двумя базами зависит от потенциала на эмиттере

4. Тиристоры имеют три p-n перехода они называются динисторами. Тиристор с управляющим электродом называется тринистором (катод, анод, управляющий электрод).