- •Часть 1
- •Лабораторная работа №1 микрополосковые свч – коммутаторы
- •1.1 Общие сведения о полупроводниковых свч-коммутаторах
- •1.2 Выключатели как элемент коммутаторов
- •1.3 Коммутаторы
- •1.3.1 Коммутаторы с параллельным включением диодов
- •1.3.2 Коммутаторы с последовательным включением диодов
- •1.3.3 Коммутаторы 2x2
- •1.4 Анализ и синтез гибридной интегральной схемы свч
- •Анализ конструкции свч-коммутатора
- •Синтез конструкции свч-коммутатора
- •1.7 Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №2 полупроводниковые фазовращатели
- •2.1. Полупроводниковые фазовращатели с непрерывным изменением фазы
- •2.2. Дискретно-коммутационные полупроводниковые фазовращатели
- •2.2.1. Фазовращатели на переключаемых отрезках линий
- •2.2.2. Отражательные фазовращатели с устройствами разделения падающей и отраженной волн
- •2.2.3. Фазовращатель в виде периодически нагруженной линии.
- •2.2.4. Многоэлементные дискретные фазовращатели.
- •2.4. Проектирование фазоврщателей свч
- •2.5. Анализ дискретного фазовращателя
- •Синтез фазовращателя
- •Контрольные вопросы
- •Оглавление
- •Часть 1
- •Муромский институт (филиал)
2.2.2. Отражательные фазовращатели с устройствами разделения падающей и отраженной волн
Эквивалентные схемы таких фазовращателей представлены на рисунке 2.8.
В качестве устройства разделения падающей и отраженной волн используются либо взаимные многополюсники (рисунок 2.8, а), либо невзаимные (циркуляторы) рисунок 2.8, б. При этом энергия, отраженная от диодов, полностью попадает в выходное плечо многополюсника. Собственно, фазовый сдвиг (дискрет фазы) на выходе таких фазовращателей образуется за счет изменения фазы коэффициента отражения при переключении диодов в соответствующих отрезках линии.
В простейшем случае, когда сопротивление диода может принимать лишь два значения; близкое к сопротивлению, обеспечивающему режим короткого замыкания, в месте установки диода, (при этом сигнал отражается от диода), и близкое к сопротивлению, обеспечивающему режим холостого хода, при этом отражение происходит от короткозамкнутого конца линии, в которую включен диод, дискрет фазы
, (2.10)
где Ф1 - электрическая длина линии от места включения диода до короткозамкнутого конца линии.
Рис. 2.8. Эквивалентные схемы отражательных фазовращателей.
Но при этом способе трудно добиться одинаковых вносимых потерь в обоих фазовых состояниях. Для уравнивания потерь в обоих фазовых состояниях и расширения рабочей полосы частот в линию, соединяющую диод и разделительное устройство, включается шлейф.
В этом случае требуемое значение коэффициентов отражения определяется местом включения шлейфа, его длиной и волновым сопротивлением.
Дискрет фазы определяется выражением:
,
(2.11)
где Г1 и Г2 - коэффициенты отражения от шлейфа в точках А и В, при соответствующих состояниях управляемых элементов.
Схема электрическая принципиальная дискретного проходного фазовращателя представляет собой восьмиполюсник, два плеча которого используются как вход (плечо 1) и выход (плечо 2), а два плеча (3 и 4) нагружены идентичными отражающими ячейками. Выходной сигнал подается в плечо 1 и делится на два сигнала равной амплитуды, поступающих в плечи 3 и 4. Фазы этих сигналов отличаются на 90°. Фазы отраженных в плечах 3 и 4 сигналов, определяются входным сопротивлением отражателей и, следовательно, наличием или отсутствием положительного смещения на p-i-n диодах. Отраженные сигналы складываются синфазно в плече 2 и поступают в нагрузку. Согласование по входу такого фазовращателя в полосе частот определяется, главным образом, частотными свойствами моста и идентичностью коэффициента отражения ячеек. В качестве разделительного устройства применяются: шлейфный мост, кольцевой мост и ответвитель с электромагнитной связью, например, тандемный 3 дБ ответвитель.
Один из вариантов построения такого фазовращателя представлен на рисунке 2.9.
Рис. 2.9. Отражательный фазовращатель
Если предположить,
что реактивные параметры диода Сд =
0 и ZД =О, то отражающие секцию, можно
представить в виде двух подключаемых
резисторов: rпр- активное сопротивление
открытого диода и
, закрытого (
- качество диода) (рисунок 2.10).
Характеристическое
сопротивление Z1 отрезка
можно найти из следующих рассуждений.
Из теории длинных линий, известно,
что при выборе rПР<Z1 и R > Z1 фазы
коэффициентов отражения можно найти
из выражений:
И
(2.12)
Фазы в сечении а-а отличаются на п. Для исключения паразитной амплитудной модуляции при переключении диода требуется равенство модулей Г1 и Г2, т.е. необходимо
или имеем,
.
Поскольку
1 Ом, а К= 100 ... 2000, то в зависимости от типа
диода Z1, может принимать значения от 10
до 45 Ом. Таким образом, для цепи согласования
плеч 3 и 4 моста с отрезком линии, может
быть необходим четвертьволновый
согласующий трансформатор с волновым
сопротивлением
,
(2.13)
где Z3(4) - волновое сопротивление плеч моста, исходя из которого он рассчитан.
Дальнейшая детализация схемы (рисунок 2.13) связана с необходимостью учета реактивных параметров диода. Из теории длинных линий известно, что подключение к ее разомкнутому концу (диод выключен) конденсатора в виде емкости диода (от 0,2 до 0,5 пФ), эквивалентно удлинению линии на величину
,
(2.14)
Погрешность дискрета фазы при этом составит
(2.15)
Например, дли f0=1,8 ГГц, Сд =0,63пФ. Z1 = 45 Om,
.
Включение на конце линии индуктивности вывода диода (диод включен) эквивалентно включению отрезка короткозамкнутой линии длиной:
. (2.16)
Погрешность дискрета фазы при этом можно оценить из выражения
.
(2.17)
Для исключения или уменьшения погрешности дискрета фазы, необходимо применить согласующие цепи, содержащие компенсирующие реактивные элементы. Эквивалентная схема отражающей секции в этом случае будет выглядеть следующим образом (рисунок 2.10).
Рис. 2.10. Эквивалентная схема отражательной секции
с согласующим четырехполюсником.
Реактивные параметры диода Сд и Lд включены в реактивные параметры L и С согласующего четырехполюсника:
L = Lд+Ln, C = Cд+Cn,
где Ln,Cn - необходимые значения подстроечных элементов.
