6.6.1. Динистор

Характеристики динистора

ВАХ динистора.

А – работа при обратном напряжении .

Вид характеристики такой же, как для p-n перехода при обратном напряжении (через 2 p-n перехода верхнее и нижнее обратное напряжение).

В – работа динистора при .

Представим динистор в виде двух взаимодействующих p-n переходов.

В этих взаимодействующих транзисторах необходимо учитывать явление инжекции из эмиттера в базу и экстракции из базы в коллектор.

Параметр - коэффициент передачи тока эмиттера.

Участок ОС – один из p-n переходов закрыт, поэтому ток будет маленьким.

Участок CD – при увеличении увеличивается - коэффициент передачи по току.

На участке CD коллекторный переход открывается (при больших ), уменьшается сопротивление и возрастает ток – участок ED.

EF – характеристика открытого транзистора.

Точка D характеризуется напряжением включения динистора (при котором он открывается).

Точка E характеризуется (током удержания) – минимальный ток, ниже которого динистор отключается.

Также точку E характеризует - остаточное напряжение.

6.6.2. Тиристор

За счёт управляющего электрода можно управлять током инжекции и, следовательно, величиной напряжения включения.

Применение: могут применяться как включающие устройства. Динистор используется для защиты (предохранитель).

7. Технологические основы интегральных микросхем.

7.1. Основные понятия.

Обеспечение миньютеризации и надежности основано на создании интегральных микросхем.

ИМС – это электрическая схема с очень высокой плотностью упаковки (интеграции). Все элементы выполнены на одной плате (подложке). Каждая ИС предназначена для выполнения определенных функции с определенным сигналом (усиление, преобразование (по частоте, форме), выполнение логических функций).

Элементы ИМС делятся на активные (которые могут усиливать – транзисторы, диоды, тиристоры и др.) и пассивные.

7.2 Классификация интегральных микросхем.

а) По типу подложки.

Бывает активная (из полупроводника, когда все элементы делаются внутри подложки), плёночная ИС (когда подложки делается из хорошего, хорошо обрабатываемого изолятора), на её поверхности наносятся (напыляются) плёночные пассивные элементы (RCL). Если требуется активный элемент, то его берут готовый полупроводниковый, безкорпусной с микровыводами, которые размещаются на этой подложке. Такая схема называется гибридной.

б) По степени интеграции.

Если число элементов в интегральной схеме составляет 10 штук – 1я степень интеграции.

11-100 штук – 2я степень интеграции (малая степень интеграции).

10²-10³ – 3я степень.

10⁴-10⁵ – 4я степень. (3я и 4я – БИС).

и т.д. 10⁶ - … - СБИС.

в) По типу сигналов и функциональному назначению

Аналоговые и дискретные (в частном случае цифровые).

7.3. Гибридные ис.

Подложка – хорошо обрабатываемый диэлектрик.

1. Плёночный резистор.

Полоска резистивной плёнки, заканчивающейся контактами из полупроводников.

З а основу расчёта взяли удельное поверхностное сопротивление [Ом/□].

[Ом/□].

Расчёт размеров осуществляется за счёт коэффициента формы ,

- сопротивление на схеме.

Пример.

= 10000 Ом.

1000 Ом/□.

10000 Ом / 1000 Ом/□ = 10□

Если размер большого номинала, то его делают в форме меандра.

2. Конденсатор

.

Если требуется в схеме конденсаторы и резисторы больших номиналов, то их делают выносными (или используются специальные готовые элементы).

3. Индуктивность.

Плёночные проволоки в виде спирали.

L = 1-100 мкГн.

Ом.

Для получения нормальной добротности такие индуктивности можно использовать с очень и сверхбольшими частотами.

[Ом]. Если в схеме требуются большие индуктивности, то используют специальные электрические схемы – гираторы, которые имеют (на транзисторах и ёмкостях) индуктивный импеданс (сопротивление), или делают выносные элементы (глупо).

4. Соединения в соответствии заданной схемы.

Делаются проводниковыми плёнками.

5. Навесные элементы.

Транзисторы □ (1.1 (1.5) Χ 1.1 (1.5) мм) – безкорпусные.

6. Разработка топологии (размещения элементов на подложке).

Элементы расположены равномерно по подложке.