1.4 Бақылау сұрақтары

1.4.1 р-n ауысудың вентильдік қасиеті немен түсіндіріледі?

1.4.2 Диодтың тура және кері қосылуы дегеніміз не?

1.4.3 Диодтың ВАС температураға тәуелділігі.

1.4.4 Диодтың негізгі көрсеткіштері қандай?

1.4.5 Диодтың сипаттамаларында, статикалық және дифференциалдық кедергілерін көрсетіңіз.

1.4.6 Қарапайым кернеу тұрақтандырғышында стабилитрон мен жүктеме қалай қосылады, параллель ме, әлде тізбектей ме?

1.4.7 Тұрақтандыру коэффициентінің мағынасы неде?

1.4.8 Тұрақтандыру коэффициенті стабилитронның дифференциалдық кедергісімен қалай байланысқан?

2 Зертханалық жұмыс. Биполярлық транзисторды және басқарылатын р-n ауысуы бар өрістік транзисторды зерттеу

Жұмыстың мақсаты:

• биполярлық транзистордың кіріс және шығыс ВАС түсіру;

• транзистордың h- параметрлерін графикалық түрде анықтау;

• басқарылатын р-n ауысуы өрістік транзистордың ВАС және арнасының кедергісін зерттеу.

2.1 Жұмыс тапсырмалары

2.1.1 Транзистордың кіріс сипаттамасын I_б = f(U_бэ) коллекторлық кернеу U_кэ= 0В болған кезде, түсіріп, графигін тұрғызыңыз.

2.1.2 Транзистордың кіріс сипаттамасын I_б = f(U_бэ) коллекторлық кернеу U_кэ= 5В болған кезде, түсіріп, графигін тұрғызыңыз.

2.1.3 Транзистордың кіріс сипаттамасын I_б = f(U_бэ) коллекторлық кернеу U_кэ= 10В болған кезде, түсіріп, графигін тұрғызыңыз.

2.1.4 Транзистордың шығыс сипаттамасын I_к =f(U_кэ) базалық тоқты 0 ден 100 мкА дейін өзгерте отырып, түсіріп, графигін тұрғызыңыз.

2.1.5 Өрістік транзистордың құймалық сипаттамасын түсіріңіз.

2.1.6 Өрістік транзистордың құйма тиектік сипаттамасын түсіріңіз.

2.1.7 Өрістік транзистор арнасының кедергісін өлшеңіз.

2.2 Жұмысты орындауға әдістемелік нұсқаулар

2.2.1 2.1 суреттегі сұлба орналасқан, ЕВ – 111 баспа платасын DEGEM system фирмасының PU 2000 стендына орнатыңыз.

2.2.2 Rv1, R4, R5 резисторларының кедергілерін өлшеңіз.

2.2.3 Транзистордың кіріс сипаттамасын I_б = f(U_бэ) коллекторлық кернеу U_кэ= 0В болған кезде, түсіру үшін сұлбаны жинаңыз (2.1 суретті қар.).

2.2.4 Rv1 айнымалы резисторының көмегімен базалық тоқты 10 мкА интервалымен өзгерте отырып, өлшенген базалық кернеудің U_бэ мәндерін 2.1 кестесіне жазыңыз.

2.1 Сурет – Коллектордағы кернеу нөлге тең болғанда, кіріс сипаттаманы түсіруге арналған сұлба

Кесте 2.1

Iб, µA	10	20	30	40	50	60	70	80	90	100
Uбэ, В

2.2.5 Транзистордың кіріс сипаттамасын I_б = f(U_бэ) коллекторлық кернеу U_кэ=5В және U_кэ=10В болған кезде, түсіру үшін сұлбаны жинаңыз (2. 2 суретті қар.).

2.2.6 PS-1 қоректендіру көзінің реттегіші арқылы U_кэ=5В коллекторлық кернеуінің мәнін орнатыңыз.

2.2.7 Rv1 айнымалы резисторының көмегімен базалық тоқты өзгертіп, өлшенген U_бэ кернеуінің мәнін 2.2 кестесіне енгізіңіз.

2.2.8 PS-1 қоректендіру көзінің реттегіші арқылы U_кэ=10В коллекторлық кернеуінің мәнін орнатыңыз.

2.2.9 Rv1 айнымалы резисторының көмегімен базалық тоқты өзгертіп, өлшенген U_бэ кернеуінің мәнін 2.2 кестесіне енгізіңіз.

2.2 Сурет – Коллектордағы кернеу 5В және 10В болғанда, кіріс сипаттаманы түсіруге арналған сұлба

Кесте 2.2

Iб, µA	10	30	50	70	100	130
Uбэ, В, Uкэ=5В
Uбэ, В, Uкэ=10В

2.2.10 Транзистордың шығыс сипаттамасын I_к=f(U_кэ) базалық тоқ нөлге тең болған кезде, түсіру үшін сұлбаны жинаңыз (2.3 суретті қар.).

2.2.11 PS-1 қоректендіру көзінің реттегіші арқылы коллекторлық кернеуді нөлден 9В дейін, 1В интервалымен, өзгерте отырып, өлшенген коллекторлық тоқтың мәндерін 2.3 кестесіне жазыңыз.

2.2.12 Транзистордың шығыс сипаттамасын I_к=f(U_кэ) фиксирленген базалық тоқ болған кезде, түсіру үшін сұлбаны жинаңыз (2.4 суретті қар.).

2.2.13 Rv1 айнымалы резисторының көмегімен базалық тоқтың шамасын 20мкА етіп орнатыңыз, PS-1 қоректендіру көзінің реттегіші арқылы коллекторлық кернеуді нөлден 9В дейін, 1В интервалымен, өзгерте отырып, өлшенген коллекторлық тоқтың мәндерін 2.3 кестесіне жазыңыз.

2.3 Сурет – Транзистордың шығыс сипаттамасын, базалық тоқ нөлге тең болғанда, түсіруге арналған сұлба

2.2.14 I_к=f(U_кэ) сипаттамаларын, берілген базалық тоқтарда, түсіру.

2.4 Сурет – Биполярлық транзистордың шығыс сипаттамаларын, берілген базалық тоқтарда, түсіруге арналған сұлба

Кесте 2.3

Iб, µA	Iк, mА Uкэ=1В	Iк, mА Uкэ=2В	Iк, mА Uкэ=3В	Iк, mА Uкэ=4В	Iк, mА Uкэ=5В	Iк, mА Uкэ=6В	Iк, mА Uкэ=7В	Iк, mА Uкэ=8В	Iк, mА Uкэ=9В
0
20
40
60
80
100

2.2.15 Өрістік транзисторды зерттеу үшін жиналған сұлба орналасқан, ЕВ – 112 баспа платасын DEGEM system фирмасының PU 2000 стендына орнатыңыз.

2.2.16 R₁, R₂, R₃, R₄, RV1 резисторларының кедергілерін өлшеңіз.

2.2.17 Құймалық сипаттаманы I_қ = f(U_қб) түсіру үшін 2.5 суретте көрсетілген сұлбаны жинаңыз.

2.5 Сурет – Өрістік транзистордың сипаттамаларын түсіруге арналған сұлба

2.2.18 Тиекте U_тб фиксирленген кернеудің мәндерін орнатып, құймадағы тоқтың құймадағы кернеуге тәуелділігін I_қ = f(U_қб.), PS-1 көзінің кернеуін өзгерте отырып, түсіріңіз. Өлшенген мәндерді 2.4 кестесіне енгізіңіз.

Кесте 2.4

Uтб, В	Iқ, Uқб =0,1В	Iқ, Uқб =0,5В	Iқ, Uқб =1В	Iқ, Uқб =2В	Iқ, Uқб =5В	Iқ, Uқб=10В
0
-0,5
-1,0
-1,5
-2,0

2.2.19 Құймада U_қб фиксирленген кернеудің мәндерін орнатып, құймадағы тоқтың тиектегі кернеуге тәуелділігін I_қ = f(U_тб.), PS-2 көзінің кернеуін өзгерте отырып, түсіріңіз. Өлшенген мәндерді 2.5 кестеге енгізіңіз.

Кесте 2.5

Uқб, В	Iқ при Uтб = =0 В	Iқ, Uтб = =-0,25В	Iқ , Uтб = =-0,5В	Iқ, Uтб = =-1В	Iқ, Uтб = =-2В	Iқ, Uтб тоқсыз
0,5
1
2
5
10

2.2.20 Құйма тоғы тоқтатылатын, U_тб тоқсыз кернеуін өлшеңіз.

2.2.21 Бастау-құйма арнасының кедергісін өлшеуге арналған, 2.6 суретте көрсетілген сұлбаны жинаңыз.

2.2.22 PS-1 көзінің кернеуін 10В тең етіп орнатып, вольтметрдің көрсетуін түсіріңіз. Өлшенген мәндерді 2. 6 кестеге енгізіңіз.

Кесте 2.6

Uтб, В	0 В	-0,25В	-0,5В	-1В	-2В	Uтб тоқсыз
Uқб
Rқб

2.6 Сурет – Бастау-құйма арнасының кедергісін өлшеуге арналған сұлба