
- •1.Кристаллозаготовка
- •1.1 Способы ориентации монокристалла по кристаллографическим плоскостям
- •1.2 Способы резки слитка на пластины
- •Среди основных способов резки слитков на пластины следующие:
- •1.3 Структура нарушенного слоя после механической обработки
- •1.4 Виды шлифовки пластин
- •Скругление краев пластин
- •1.4 Виды полировки пластин
- •1.6 Химико-механическая полировка пластин
- •1.7 Виды разделения пластины на кристаллы
- •1.8 Контрольные точки после финишной полировки
- •2. Химподготовка пластин
- •2.1 Источники загрязнения поверхности и классификация загрязнений
- •2.2 Деионизованная вода. Получение. Основные характеристики технологической деионизованной воды
- •2.3 Гидромеханическая отмывка
- •2.4 Обезжиривание пластин. Реактивы. Способы обезжиривания
- •2.5 Полирующее травление. Задачи травления. Принцип кислотного травления. Основные компоненты кислотного травителя
- •2.6 Щелочное травление кремния. Состав щелочного травителя
- •3.2 Структура установки газофазной эпитаксии кремния
- •3.3 Кинетика роста эпитаксиальной пленки
- •3.4 Процессы массопереноса в эпитаксиальном реакторе. Число Рейнольца. Толщина пограничного газового слоя
- •3.5 Основные типы газофазных эпитаксиальных реакторов
- •3.6 Легирование и автолегирование эпитаксиального слоя.
- •3.7 Основные дефекты эпитаксиальных плёнок и пути их снижения
- •3.8 Молекулярно – лучевая эпитаксия
- •1.Окисление кремния в сухом кислороде. Кинетика. Качество пленок
- •2. Окисление кремния в цикле сухой-влажный-сухой кислород.
- •3. Пирогенное окисление кремния
- •4. Модель окисления Дила- Гроува
- •5. Окисление под давлением
- •6. Контроль параметров и качества окисных пленок.
- •1. Назначение термодиффузии в технологии и основные механизмы термодиффузии в кремнии
- •2. Основные законы термодиффузии.
- •3. Диффузия из неограниченного источника (загонка).
- •4. Диффузия из ограниченного источника (разгонка)
- •5. Основные источники n- и р- примесей для кремния
- •6. Технологические методы проведения диффузии.
- •7. Диффузия из твердого планарного источника
- •8. Контроль толщины диффузионного слоя
- •9. Контроль концентрации легирующей примеси в диффузионном слое.
- •1. Эффект каналирования
- •2. Атомное и электронное торможение имплантированных ионов.Боковое рассеяние.
- •4. Принцип работы масс сепаратора при ионном легировании.
- •5. Источник ионов установки ионного легировании. Конструкция и принцип работы
- •6. Измерение ионного тока. Ячейка Фарадея
- •6. Металлизация
- •Назначение металлизации в ис. Контактное сопротивление металл- полупроводник.
- •3.Механические вращательные насосы. Принцип работы. Применимость.
- •4.Паромасляный (диффузионный) насос. Принцип работы. Применимость.
- •5.Насос Рутса (двухроторный). Принцип работы. Применимость.
- •6.Турбомолекулярный насос. Принцип работы. Применимость.
- •7.Геттерный и криосорбционный насосы. Принцип работы. Применимость.
- •Криосорбционные насосы.
- •8.Термопарный и ионизационный вакуумметры. Принцип работы. Применимость.
- •9.Электронно- лучевое испарение. Принцип. Применимость.
- •10.Импульсное испарение тугоплавких металлов. Основные методы.
- •11.Магнетронное распылительное устройство.
- •12.Ионно- лучевой источник нанесения- травления (типа Кауфман). Принцип, конструкция, применимость.
- •13.Контроль толщины пленок в процессе нанесения (по «свидетелю», кварцевый).
- •14.Электромиграция в металлических пленках. Технологические пути снижения электромиграции.
- •15.Создание омических контактов. Технологические пути повышения омичности контакта.
- •7. Микролитография.
- •Укрупненная схема техпроцесса фотолитографии.
- •2.Химподготовка химически активных технологических слоев.
- •3.Химподготовка химически неактивных технологических слоев.
- •4.Нанесение резиста на технологический слой. Основные методы.
- •5.Нанесение сверхтонкого слоя фоторезиста (Ленгмюровские пленки).
- •Травление кремния в щелочных растворах и кислотных травителях.
- •Использование травления кремния для выявления дефектов пластин.
- •Химическое травления диоксида кремния.
- •Электрохимическое травление кремния.
- •Удаление фоторезиста химическим методом и в кислородной плазме.
- •Взрывная фотолитография.
- •Проекционная фотолитография. Используемые варианты.
- •Рентгеновская литография. Техпроцесс изготовления рентгеновского шаблона.
- •Основные типы плазменных реакторов.
1.4 Виды шлифовки пластин
Методы шлифовки разделяют по виду используемого абразива на обработку свободным и связанным абразивом, а по конструкции станка и характеру удаления припуска – на одностороннюю и двустороннюю.
При односторонней шлифовке пластины наклеивают будущей рабочей стороной на дюралевые блоки наклеечной мастикой из воскоканифольной смеси или синтетического воска. Блоки устанавливают пластинами вниз на шлифовальник из стекла, чугуна или стали (при шлифовке свободным абразивом) или навинчивают на шпиндель станка при шлифовке связанным абразивом.
При шлифовке свободным абразивом абразив виде суспензии на водной основе подают в рабочую зону. В процессе работы зерна абразива не связанные между собой, образуют между пластинами и шлифовальником прослойку, и перекатываясь, выкалывают частицы как обрабатываемого материала, так и материала шлифовальника.
Рис.1. Процесс односторонней шлифовки пластин.
Таким образом одновременно происходит обработка поверхности пластин и износ шлифовальника. Так как материалы пластин и шлифовальника отличаются высокой твердостью и хрупкостью, зерна абразива не могут ни внедрятся, ни закрепиться в них.
Шлифованная поверхность полупроводниковых пластин имеет матовую фактуру и состоит из большого числа кратерообразных выколок. Размеры выколок находятся в прямой зависимости от размеров зерен абразива и давления на них.
Сначала обрабатывают нерабочую сторону пластины. Затем её переклеивают, сделав базовой, и обрабатывают рабочую сторону. Двойная наклейка обычно ухудшает точность формы окончательно обработанных плоскостей из-за неравномерности толщины клеющего слоя.
В настоящее время в связи с переходом на обработку пластин большого диаметра (150 и 200 мм), все больше начинают использовать двустороннюю шлифовку свободным абразивом.
Рис.2. Установка для двустороннего шлифования.
Достоинства метода обработки: 1. Высокая производительность; 2. Высокая точность обрабатываемых поверхностей.
Двусторонняя шлифовка позволяет уменьшить прогибы пластин, связанные с деформацией кромки алмазного диска при резке, и обеспечить наименьшую разницу в толщинах. Высокая производительность шлифовки достигается за счет удаления материала одновременно с двух сторон пластин. Пластины уложены в отверстия сепараторов, расположенных на нижнем шлифовальнике. Верхний шлифовальник свободно самоустанавливается по поверхностям пластин. Пластины совершают в сепараторе сложные движения относительно поверхности шлифовальника, что способствует более равномерному их износу.
Шлифовальники вращаются со скоростью 22–30 об/мин в противоположные стороны. Давление на одну пластину диаметром 76 и 100 мм составляет 12–13 и 21–22 кг.
Шероховатость после шлифовки находится в пределах Rz=0,5–1 мкм, Ra=0,1 мкм. Глубина нарушенного слоя, состоящего из трех зон может достигать 10–15 мкм.
Скругление краев пластин
Края пластины скругляют шлифовкой по периферии профильным алмазным кругом зернистостью АСМ28/20.
Рис.3. Процесс скругления краев пластин: 1 – алмазный круг; 2 – пластина; 3 – вакуумный столик.
Пластину (2) закрепляют на шпинделе с вакуумным столиком (3). Частота вращения алмазного круга (1) составляет 6000–8000 об/мин, столика с пластиной – 15–20 об/мин. Время шлифовки 4–8 с.
Алмазный круг прижимается к пластине пружиной или пневмоприводом.