3.Химподготовка химически неактивных технологических слоев.

Группа химически неактивных слоёв – кремний и диоксид кремния:

- смесь Каро: H₂SO₄:H₂O₂ = 3:1 при 90-150°С

(очищает органические загрязнения и, частично, ионные и атомарные)

• перекисно-аммиачные растворы ПАР: NH₄OH:H₂O₂:H₂O = 1:1:5 при 90-150°С

• перекисно-соляные растворы: H₂O:H₂O₂:HCl = 5:1:1 при 70-90°С

Контроль качества химподготовки

• - под микроскопом в тёмном поле (подсчёт светящихся точек)

• - измерение угла смачивания воды (окунание, распыление)

• - измерение трения (грязная поверхность скользит)

4.Нанесение резиста на технологический слой. Основные методы.

• Центрифугирование

• Пульверизация

• В электростатическом поле

• Нанесение сухого фоторезиста с последующим удалением несущей плёнки

• Двусторонняя литография

5.Нанесение сверхтонкого слоя фоторезиста (Ленгмюровские пленки).

Этот метод послойного наращивания на подложках однородных и стабильных кристаллических молекулярных пленок с желаемым числом слоев является, по-видимому, единственным, с помощью которого на гладкие подложки (например, стеклянные или металлические) можно наносить сплошные

ориентированные пленки многих органических веществ (стеарата бария, стеариновой кислоты, некоторых стеринов и многих других) известной и контролируемой толщины от единиц нанометров до нескольких микрометров с точностью ~2,5 нм.

Ленгмюровские пленки принимают форму той поверхности, на которую их наносят, и могут быть полезными для травления металлических пленок, которые пересекают ступеньки. Методики, основанные на технологии Ленгмюра–Блоджетт, позволяют без значительных материальных затрат воспроизводимо получать двумерные молекулярные моно- и мультислои на основе органических амфифильных веществ. Особенностью данных методик является то, что сплошной упорядоченный мономолекулярный слой, представляющий собой своего рода двумерный кристалл, предварительно фор-

мируется на поверхности субфазы и впоследствии целостно переносится на поверхность подложки (см. рис. 2.19).

1. Совмещение и экспонирование.

2. Оптические эффекты при контактной печати.

3. Проявление изображения в фоторезисте. Основные профили проявления и технологические пути достижения этих профилей.

Проявление фоторезиста после экспонирвания

-проявители негативных резистов : трихлорэтилен, бензол, толуол,..

-проявители позитивных резистов : водноглицериновые растворы щелочей ( 2% раствор тринатрийфосфата)

4. Факторы, определяющие качество травления технологического слоя.

• Адгезия фоторезиста к слою

• Степень задубливания фоторезиста

• Смачиваемость вытравливаемых областей слоя( краевой угол смачивания)

• Состав травителя

Угол смачивания зависит от :

-загрязнённости поверхности (органика)

-наличия неконтролируемых окислов на кремнии и металлизации

-адсорбции поверхности газов из воздуха

-шероховатости поверхности

5. Травление алюминия и его сплавов.

Травление алюминия и его сплавов применяют не только для удаления химических загрязнений поверхности металла, но и для легкого протравливания металла. Для этого рекомендуется применять растворы щелочей и кислот. Раствор щелочей берут обычно 10 - 20 % - ный; при температуре 50 - 80 процесс травления длится 1 - 2 мин. Добавка в раствор щелочи хлористого и фтористого натрия улучшает процесс травления и делает его более равномерным. После травления в щелочах сплавы алюминия имеют темный цвет.