- •1.Кристаллозаготовка
- •1.1 Способы ориентации монокристалла по кристаллографическим плоскостям
- •1.2 Способы резки слитка на пластины
- •Среди основных способов резки слитков на пластины следующие:
- •1.3 Структура нарушенного слоя после механической обработки
- •1.4 Виды шлифовки пластин
- •Скругление краев пластин
- •1.4 Виды полировки пластин
- •1.6 Химико-механическая полировка пластин
- •1.7 Виды разделения пластины на кристаллы
- •1.8 Контрольные точки после финишной полировки
- •2. Химподготовка пластин
- •2.1 Источники загрязнения поверхности и классификация загрязнений
- •2.2 Деионизованная вода. Получение. Основные характеристики технологической деионизованной воды
- •2.3 Гидромеханическая отмывка
- •2.4 Обезжиривание пластин. Реактивы. Способы обезжиривания
- •2.5 Полирующее травление. Задачи травления. Принцип кислотного травления. Основные компоненты кислотного травителя
- •2.6 Щелочное травление кремния. Состав щелочного травителя
- •3.2 Структура установки газофазной эпитаксии кремния
- •3.3 Кинетика роста эпитаксиальной пленки
- •3.4 Процессы массопереноса в эпитаксиальном реакторе. Число Рейнольца. Толщина пограничного газового слоя
- •3.5 Основные типы газофазных эпитаксиальных реакторов
- •3.6 Легирование и автолегирование эпитаксиального слоя.
- •3.7 Основные дефекты эпитаксиальных плёнок и пути их снижения
- •3.8 Молекулярно – лучевая эпитаксия
- •1.Окисление кремния в сухом кислороде. Кинетика. Качество пленок
- •2. Окисление кремния в цикле сухой-влажный-сухой кислород.
- •3. Пирогенное окисление кремния
- •4. Модель окисления Дила- Гроува
- •5. Окисление под давлением
- •6. Контроль параметров и качества окисных пленок.
- •1. Назначение термодиффузии в технологии и основные механизмы термодиффузии в кремнии
- •2. Основные законы термодиффузии.
- •3. Диффузия из неограниченного источника (загонка).
- •4. Диффузия из ограниченного источника (разгонка)
- •5. Основные источники n- и р- примесей для кремния
- •6. Технологические методы проведения диффузии.
- •7. Диффузия из твердого планарного источника
- •8. Контроль толщины диффузионного слоя
- •9. Контроль концентрации легирующей примеси в диффузионном слое.
- •1. Эффект каналирования
- •2. Атомное и электронное торможение имплантированных ионов.Боковое рассеяние.
- •4. Принцип работы масс сепаратора при ионном легировании.
- •5. Источник ионов установки ионного легировании. Конструкция и принцип работы
- •6. Измерение ионного тока. Ячейка Фарадея
- •6. Металлизация
- •Назначение металлизации в ис. Контактное сопротивление металл- полупроводник.
- •3.Механические вращательные насосы. Принцип работы. Применимость.
- •4.Паромасляный (диффузионный) насос. Принцип работы. Применимость.
- •5.Насос Рутса (двухроторный). Принцип работы. Применимость.
- •6.Турбомолекулярный насос. Принцип работы. Применимость.
- •7.Геттерный и криосорбционный насосы. Принцип работы. Применимость.
- •Криосорбционные насосы.
- •8.Термопарный и ионизационный вакуумметры. Принцип работы. Применимость.
- •9.Электронно- лучевое испарение. Принцип. Применимость.
- •10.Импульсное испарение тугоплавких металлов. Основные методы.
- •11.Магнетронное распылительное устройство.
- •12.Ионно- лучевой источник нанесения- травления (типа Кауфман). Принцип, конструкция, применимость.
- •13.Контроль толщины пленок в процессе нанесения (по «свидетелю», кварцевый).
- •14.Электромиграция в металлических пленках. Технологические пути снижения электромиграции.
- •15.Создание омических контактов. Технологические пути повышения омичности контакта.
- •7. Микролитография.
- •Укрупненная схема техпроцесса фотолитографии.
- •2.Химподготовка химически активных технологических слоев.
- •3.Химподготовка химически неактивных технологических слоев.
- •4.Нанесение резиста на технологический слой. Основные методы.
- •5.Нанесение сверхтонкого слоя фоторезиста (Ленгмюровские пленки).
- •Травление кремния в щелочных растворах и кислотных травителях.
- •Использование травления кремния для выявления дефектов пластин.
- •Химическое травления диоксида кремния.
- •Электрохимическое травление кремния.
- •Удаление фоторезиста химическим методом и в кислородной плазме.
- •Взрывная фотолитография.
- •Проекционная фотолитография. Используемые варианты.
- •Рентгеновская литография. Техпроцесс изготовления рентгеновского шаблона.
- •Основные типы плазменных реакторов.
9.Электронно- лучевое испарение. Принцип. Применимость.
Испарение
(точнее, испарительное осаждение) в
вакууме является важным способом
получения тонких пленок.
Использование
электронных пучков в процессах, связанных
с испарением материалов, обусловлено
особенностями распределения потоков
энергии при нагреве этого материала.
При электронно-лучевом испарении
испаряемая поверхность непосредственно
нагревается бомбардирующими ее
электронами. Такой способ подвода
энергии дает электронно-лучевому
испарению ряд преимуществ по сравнению
с традиционными.
Другим
стимулом внедрения электронно-лучевого
испарения является возможность, управляя
электронным пучком во времени и
пространстве, управлять тем самым и
потоком энергии в испаряемое вещество
и воздействовать на скорость испарения
и распределение плотности потоков
пара.
Испарительное
осаждение - это процесс вакуумного
нанесения покрытий, при котором между
испарителем и подложкой создается
направленный поток пара.
Принцип
электронно-лучевого испарения пояснен
на рис. 2.1.
Рис.
2.1. Принцип электронно-лучевого испарения
материалов: 1 - электронная пушка; 2 -
электронный пучок; 3 - поверхность,
бомбардируемая пучком; 4 - кожух
технологической камеры; 5 - водоохлаждаемый
тигель; 6 - испаряемый материал; 7 -
расплавленная часть материала; 8 -
поверхность испарения; 9 - откачка
вакуума; 10 - диафрагма испарителя; 11
-поток пара; 12 - напыляемый слой; 13 -
подложка; 14 - подогреватель подложки
В
основных чертах установка для
электронно-лучевого испарения состоит
из технологической камеры с системой
откачки, тигля с испаряемым материалом,
электронной пушки, заслонки для пара и
подложки с приспособлениями для её
крепления, а иногда – нагрева.
Для
того чтобы электронный пучок в поток
пара распространялись в технологической
камере беспрепятственно, давление в
ней должно поддерживаться достаточно
малым.
Нанесение
покрытий из сплавов требует обеспечение
одинакового соотношения компонентов
сплава как по всей поверхности подложки,
так и по толщине слоя. Слои из сплавов
напыляют двумя методами: многотигельного
испарения или однотигельного
испарения.
При
многотигельном испарении компоненты
испаряются порознь, каждый из своего
тигля, а конденсируются на подложке
совместно. При однотигельном испарении
поток пара создается и конденсируется,
имея тот состав, который требуется для
покрытия. Вариантом однотигельного
испарения является процесс, аналогичный
фракционной возгонке, когда из тигля с
большим количеством расплавленного
вещества его испаряют покомпонентно,
изменяя мощность подогрева по определенному
графику.
Испарение
соединений сопровождается частичной
или полной их диссоциацией, и получить
из таких соединений простым испарением
тонкие пленки заданного состава
невозможно. Однако для ряда соединений.
таких, как хлориды, сульфиды, селениды,
теллуриды, а также полимеры, благодаря
малой степени диссоциации или вследствие
рекомбинации компонентов при конденсации,
возможность теоретического напыления
все же существует.
Промышленное
применение электронно-лучевого испарения,
благодаря его преимуществам, существенно
потеснило традиционные способы испарения
и открыло новые возможности.
