Среди основных способов резки слитков на пластины следующие:

1. Резка диском с алмазной внутренней кромкой. Режущим инструментом является металлический диск толщиной 0,1-0,15 мм с внутренней режущей кромкой, армированный искусственными или природными алмазами. Чаще всего, такая установка дисковой резки применяется для R&D и лабораторных исследований.

2. Резка проволокой с применением абразива. Резка слитка на пластины происходит в процессе перемотки проволоки (как правило, изготовленной из вольфрама, стали, никеля или нихрома) диаметром 0,1-0,15 мм с одного вала на другой. При этом над слитком по все длине натянуты параллельные нити проволоки, которые прорезают слиток снизу вверх или сверху вниз, в зависимости от используемого оборудования. На проволоку непрерывно подается суспензия с частицами абразива на основе алмазного порошка. Метод широко используется в полупроводниковой промышленности. К недостаткам метода относятся: низкая скорость резки, высокая стоимость алмазного порошка, загрязнение пластин суспензией, сложности с использованием для малых объемов производства (высокая стоимость эксплуатации оборудования при малой загрузке).

3. Резка алмазной проволокой. Процесс резки алмазной проволокой является наиболее современным и постепенно приходит на смену процессу резки суспензией. Процесс резки полностью аналогичен резке суспензией, однако в данном случае сама проволока покрыта алмазным порошком, а вместо суспензии используется жидкость на основе воды. Благодаря алмазной проволоке, скорость резки может быть увеличена в 5 и более раз, по сравнению с резкой суспензией (в зависимости от материала и размера слитка). Используемый водный агент не загрязняет подложки в процессе резки. Алмазную проволоку возможно останавливать в процессе резки и возобновлять процесс без порчи слитка, как это происходит в случае с резкой суспензией. Возможность многократного использования алмазной проволоки в итоге позволяет сделать рез слитка дешевле, чем в случае с суспензией.

4. Диск с внешней режущей алмазной кромкой.

1.3 Структура нарушенного слоя после механической обработки

После механических операций на поверхности полупроводника ос­тается нарушенный слой, который существенным образом влияет как на дальнейшую технологическую обработку (травление, окисление), так и в конечном счете на параметры полупроводниковых приборов, особенно с мелкими (меньше 1 мкм) активными слоями. Поэтому контроль струк­туры нарушенного слоя и способы его удаления представляют важную задачу современной планарной технологии.

Структуру нарушенного слоя полупроводниковой пластины после резки и шлифовки условно мож­но представить в виде четырех пос­ледовательных областей (рис. 1.3): верхняя область - микрорельеф, под ней расположена область микротре­щин, далее область, содержащая петли и скопления дислокаций, затем следует слой кремния, где число дислокации повышено по сравнению с остальным объемом полупроводника. В структурном отношении области микрорельефа и микротрещин представляют собой аморфные или мелкокристаллические состояния кремния. Области скопления и повышенной плотности дис­локаций имеют монокристаллическую структуру. В нарушенном слое, кроме структурных, возможно образование и концентрационных неоднородностей, которые связаны с сегрегацией примесей на дислокациях, что может изменять электрофизические свойства материала, влияя на электрические параметры элементов микросхем.