
- •2. Последовательное соединение Определение последовательного соединения элементов
- •Формулы для расчета эквивалентного сопротивления при последовательном подключении элементов
- •Формула для расчета параллельного соединения сопротивлений
- •Формула для расчета параллельного соединения емкостей (конденсаторов)
- •Формула для расчета параллельного соединения индуктивностей
- •Пример свертывания параллельного сопротивления
- •Ток при параллельном соединении
- •Напряжение при параллельном соединении
- •Применение параллельного соединения
- •5. Прямая ветвь вах реального p-n перехода
- •Прямое включение диода. Прямой ток.
- •Обратное включение диода. Обратный ток.
- •6. Обратная ветвь вах реального p-n перехода
- •7. Классификация диодов] Типы диодов по назначению
- •Основные характеристики и параметры диодов
- •10. Стабилитроны Принцип действие стабилитрона
- •Основные параметры стабилитронов
- •Режим отсечки[править | править исходный текст]
- •Барьерный режим[править | править исходный текст]
- •Схемы включения[править | править исходный текст]
- •Основные параметры[править | править исходный текст]
- •Коэффициент передачи тока эмиттера биполярного транзистора в схеме с общей базой
- •Эксплуатационные параметры транзисторов
- •Классификация тиристоров
- •Принцип работы динистора.
- •Описание
- •Параметры и характеристики фотодиодов
- •Классификация
- •21. Дифференциатор на оу
- •23. Оптроны
- •Возможности и применение
- •Принцип работы lc-генераторов
- •Устройство и принцип действия
- •Структура усилителя[править | править исходный текст]
- •Каскады усиления
- •Режимы (классы) мощных усилительных каскадов
- •Классификация Аналоговые усилители и цифровые усилители
- •Виды усилителей по элементной базе
- •Виды усилителей по диапазону частот
- •Виды усилителей по полосе частот
- •Виды усилителей по типу нагрузки
- •Специальные виды усилителей
- •Некоторые функциональные виды усилителей
- •Усилители в качестве самостоятельных устройств Усилители звуковой частоты
23. Оптроны
Устройство оптронов
Излучатель - бескорпусный светодиод, - как правило, помещают в верхней части металлического корпуса, а в нижней - на кристаллодержателе - укрепляют кристалл кремниевого фотоприемника, например фототиристора. Все пространство между светодиодом и фототиристором заливают твердеющей прозрачной массой. Эту заливку покрывают отражающим внутрь световые лучи слоем, который препятствует рассеянию света за пределы рабочей зоны.
Мало отличается от описанной конструкция резисторного оптрона. Здесь в верхней части металлического корпуса укреплена сверхминиатюрная лампа накаливания, а в нижней - фоторезистор на основе селенистого кадмия.
Фоторезистор изготавливают отдельно, на тонкой подложке из ситалла. На нее напыляют пленку из полупроводникового материала - селенида кадмия, а затем - формообразующие электроды из токопроводящего материала (например алюминия). К электродам приваривают выходные выводы. Жесткое соединение лампы и подложки между собой обеспечивается затвердевшей прозрачной массой.
Отверстия в корпусе для выводов оптрона залиты стеклом. Герметичное соединение крышки и основания корпуса обеспечено сваркой.
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) тиристорного оптрона примерно такая же, что и у одиночного тиристора. При отсутствии входного тока (I=0 - темновая характеристика) фототиристор может включиться только при очень высоком значении приложенного к нему прямого напряжения (800...1000 В). Так как практически приложение столь большого напряжения недопустимо, то эта кривая имеет чисто теоретический смысл.
Если приложить к фототиристору прямое рабочее напряжение (от 50 до 400 В, в зависимости от типа оптрона), включение прибора возможно только при подаче входного тока, который теперь является управляющим.
Скорость включения оптрона зависит от значения входного тока. Типичные значения времени включения t=5...10 мкс. Время выключения оптрона связано с процессом рассасывания неосновных носителей тока в переходах фототиристора и зависит только от значения протекающего выходного тока. Реальное значение времени выключения находится в пределах 10...50 мкс.
Максимальный и рабочий выходной ток фоторезисторного оптрона резко уменьшается при увеличении температуры окружающей среды выше 40 градусов по цельсия. Выходное сопротивление этого оптрона до значения входного тока 4 мА остается постоянным, а при дальнейшем увеличении входного тока (когда яркость свечения лампы накаливания начинает возрастать) резко уменьшается.
Кроме описанных выше, существуют оптроны с так называемым открытым оптическим каналом. Здесь осветителем служит светодиод инфракрасного излучения, а фотоприемником могут быть фоторезистор, фотодиод или фототранзистор. Отличие этого оптрона в том, что его излучение выходит наружу, отражается от какого-либо внешнего предмета и возвращается в оптрон, к фотоприемнику. В таком оптроне выходным током может управлять не только входной ток, но также изменение положения внешней отражающей поверхности.
У оптронов с открытым оптическим каналом оптические оси излучателя и приемника расположены либо параллельно, либо под небольшим углом. Существует конструкции подобных оптронов с соосным расположением оптических осей. Такие приборы называют оптопрерывателями.
Основное назначение оптронов - обеспечение гальванической развязки между сигнальными цепями. Исходя из этого общий принцип действия этих приборов, несмотря на различие фотоприемников, можно считать одинаковым: входной электрический сигнал, поступающий на излучатель, преобразуется в световой поток, который, воздействуя на фотоприемник, изменяет его проводимость.
Оптрон (или оптопара, как его стали называть в последнее время) конструктивно состоит из двух элементов: излучателя и фотоприемника, объединенных, как правило, в общем герметичном корпусе.
Существует много разновидностей оптронов: резисторные, диодные, транзисторные, тиристорные. Эти названия указывают на тип фотоприемника. В качестве излучателя обычно применяют полупроводниковый светодиод инфракрасного излучения с длиной волны в пределах 0,9...1,2 мкм. Используют также светодиоды красного свечения, электролюминесцентные излучатели и сверхминиатюрные лампы накаливания.
Условное графическое обозначение оптопары показано на рисунке а:
24. RC-генератор с мостом Вина
Это наиболее распространенный тип RC-генератора. Основу его составляет последовательно-параллельная RC-цепочка, включенная в цепь обратной связи (рис. 1.8).
Рис. 1.8. Схема RC-генератора с мостом Вина
Генератор с мостом Вина — разновидность электронных генераторов синусоидальных колебаний. Схема основывается на электрической цепи (полосовом фильтре), первоначально разработанной Максом Вином в 1891 г. и известной, как мост Вина. Генератор представляет из себя электронный усилитель, охваченный частотнозависимой положительной обратной связью через мост Вина. Может генерировать в широком диапазоне частот и позволяет получить сигнал с очень малыми отличиями от идеальной синусоиды.
Современная схема происходит из работы Уильяма Хьюлетта на степень магистра в 1939 г. в Стэнфордском университете. Хьюлетт с Дэвидом Паккардомосновали фирму Хьюлетт-Паккард. Их первой продукцией был прецизионный синусоидальный генератор HP200A, основанный на мосте Вина. Генератор HP200A был одним из первых приборов с такими низкими искажениями.
Частота генерации:
,
где R — сопротивление резисторов R1, R2; C — ёмкость конденсаторов C1, C2 (см. схему).
Генератор с мостом Вина (выделен зеленым) на операционном усилителе. R1=R2, C1=C2
25. Светодио́д или светоизлучающий диод (СД, СИД, LED англ. Light-emitting diode) — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока в прямом направлении. Излучаемый свет лежит в узком диапазоне спектра. Его спектральные характеристики зависят во многом от химического состава использованных в нём полупроводников. Иными словами, кристалл светодиода излучает конкретный цвет (если речь идёт об СД видимого диапазона), в отличие от лампы, излучающей более широкий спектр и где конкретный цвет отсеивается внешним светофильтром.
Тип - Активный электронный элемент |
Принцип работы - Электролюминесценция |
Изобретён - Олег Лосев (1927), Ник Холоньяк (1962) |
Впервые создан - 1962 |
Символьное
обозначение -
|
Электролюминесценция — люминесценция (нетепловое свечение вещества, происходящее после поглощения им энергии возбуждения.), возбуждаемая электрическим полем.
Конструкция:Из полупроводникового кристалла на подложке, корпуса с контактными выводами и оптической системы. Современные светодиоды мало похожи на первые корпусные светодиоды, применявшиеся для индикации.