- Барьерный режим

В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя своеобразный диод, включенный последовательно с токозадающим резистором.

широкое распространение в аналоговой электронике. Если быть точнее, то чаще всего их используют в качестве усилителей в дискретных цепях (схемах, состоящих из отдельных электронных компонентов).

6) Работа полевого транзистора

транзистор, в котором сила проходящего через него тока регулируется внешним электрическим полем, т.е напряжением.

Также имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора напряжения управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Режим обогащения: если подаем «+»потенциал на затвор то транзистор открыт, сопротивление между истоком и стоком стремится к «0». Если на затвор подать «0» то транзистор закрыт, сопротивление между истоком и стоком стремится к бесконечности.

Режим обеднения: если ничего не подавать на затвор то сопротивление между истоком и стоком стремится к «0». Если на затвор подать потенциал обратный(-) основным носителям канала, то этот заряд будет вытеснять носителей зарядов из канала. В результате сопротивление между истоком и стоком будет стремиться к бесконечности, транзистор закрыт.

7) Схемы включения транзисторов с общим эммитером, с общим коллектором, с общей базой.

Коэффициент усиления по току I_вых/I_вх. Входное сопротивление R_вх = U_вх/I_вх.

Схема включения с общей базой

С реди всех трех конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Фаза сигнала не инвертируется.

Входное сопротивление для схемы с общей базой мало и не превышает 100 Ом для маломощных транзисторов, так как входная цепь транзистора при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.

Достоинства

• Хорошие температурные и частотные свойства.

• Высокое допустимое напряжение

Недостатки схемы с общей базой

• Малое усиление по току, так как α < 1

• Малое входное сопротивление

• Два разных источника напряжения для питания.

Схема включения с общим эмиттером

I _вых = I_к I_вх = I_б U_вх = U_бэ U_вых = U_кэ

• Коэффициент усиления по току: I_вых/I_вх = I_к/I_б = I_к/(I_э-I_к) = α/(1-α) = β [β>>1].

• Входное сопротивление: R_вх = U_вх/I_вх = U_бэ/I_б.

Достоинства

• Большой коэффициент усиления по току.

• Большой коэффициент усиления по напряжению.

• Наибольшее усиление мощности.

• Можно обойтись одним источником питания.

• Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.

Недостатки

• Худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой.

Схема с общим коллектором

I _вых = I_э I_вх = I_б U_вх = U_бк U_вых = U_кэ

• Коэффициент усиления по току: I_вых/I_вх = I_э/I_б = I_э/(I_э-I_к) = 1/(1-α) = β [β>>1].

• Входное сопротивление: R_вх = U_вх/I_вх = (U_бэ + U_кэ)/I_б.

Достоинства

• Большое входное сопротивление.

• Малое выходное сопротивление.

Недостатки

• Коэффициент усиления по напряжению меньше 1.

Схему с таким включением называют «эмиттерным повторителем».