1. Тип мікросхеми для побудови блоку пам’яті
Щоб правильно вибрати мікросхему потрібно добре орієнтуватися в її параметрах.
Основними характеристиками мікросхем пам’яті є організація пам’яті (Ni х ni, де число комірок х розрядність комірки ), швидкодія, потужність споживання, режим роботи.
Організація пам`яті – вказує кількість комірок пам`яті і величину кожної в бітах
Швидкодія – швидкість запису/зчитування/доступу.
Потужність – від потужності залежить кількість виділеного тепла.
Режим роботи – найчастіше – тип доступу до пам`яті.
Для побудови блоку пам’яті я буду використовувати мікросхему з організацією 2К х 4 - К573РФ23, наведену у методичці до РГР, бо відшукати мікросхему з організацією 4К х 4 у довідниках Нефьодова мені не вдалося.
Організація мікросхеми – 2К х 4.
Час доступу до комірки пам’яті становить до 450 нс.
Напруга живлення типова, як і для всіх мікросхем цієї серії – 5В.
Інші технічні параметри мікросхеми КР573РФ23 наведено в таблиці 1
Таблиця 1
Час вибору адреси |
Не більше 450 нс |
Час зберігання інформації, при виключеному живлені |
Не менше 25 000 год. |
Час зберігання інформації, при включеному живлені |
Не менше 25 000 год. |
Число циклів програмування |
Не менше 100 |
Напруга живлення |
Ucc = 5 В ±5% Upr = 5 В ±5% (в режимі читання) |
Діапазон температур |
-45…+70°C |
Вихід |
Три стани |
Сумісність за входом і виходом |
З ТТЛ-схемами |
Тепер розглянемо принципову схему КР573РФ23:
Рис.1. Умовно-графічне зображення К573РФ2 на схемі електрично-принциповій.
К573РФ23 має інформаційну ємність 8 Кбіт, тому за виходом даних задіяні лише чотири розряди. Інші розряди вільні.
Призначення виводів мікросхеми К573РФ23 наведено в таблиці 2.
Таблиця 2.
-
Призначення виводів мікросхеми К573РФ23
Вивід
Призначення вивода
Позначення на МС
1-8, 19, 22, 23
Адресні входи
А1,…,А11
9, 10, 11, 13, 15
Інформаційний вхід-вихід
В2, В3, В4, В6
18
Вхід сигналу дозволу звертання
CE
12
Загальний
Ucc
20
Вхід сигналу дозволу виходу
OE
21
Вхід сигналу запису-читання
PR
24
Напруга живлення
В таблиці 3 представлена таблиця істинності.
Таблиця 3
CE |
OE |
PR |
A0…A10 |
В1..В7 |
В1..В7 |
1 |
Х |
Ucc |
Х |
Roff |
Зберігання (не вибір) |
1 |
1 |
25В |
А |
Вхідні дані в прямому коді |
Програмування |
0 |
0 |
25В |
А |
Вихідні дані в прямому коді |
Контроль після програмування |
0 |
0 |
Ucc |
А |
Вихідні дані в прямому коді |
Зчитування |