
- •1.Аналитические выражения для вах р-n-переходов
- •2.Входное сопротивление, коэффициент усиления по току, коэффициент усиления по напряжению, коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора на низкой частоте в схеме с общей базой
- •3.Лавинный пробой электронно-дырочного перехода. Тепловой пробой.
- •4.Физические эквивалентные схемы бт
- •Физическая эквивалентная схема бт для малого сигнала в схеме с об
- •5.Составляющие прямого и обратного тока p-n перехода.
- •6.Полевые транзисторы
- •Полевые транзисторы
- •7.Эффект оттеснения тока эмиттера на край эмиттера.
- •8.Параметры моп - транзистора. (Статические параметры; Дифференциальные параметры; Электрофизические параметры (подвижность и механизмы рассеяния носителей в канале).
- •9. Статические вах биполярного транзистора.
- •10 Резкий несимметричный электронно-дырочный переход в состоянии теплового равновесия
- •11 Статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •12.Высота потенциального барьера (q ). Зависимость q от температуры (т), концентрации примеси (n) и ширины запрещённой зоны
- •13. Электрические зонные диаграммы, поясняющие случаи обогащения, обеднения слабой и сильной инверсии моп структур.
- •14 Граничная концентрация неосновных носителей заряда в базе электронно-дырочного перехода
- •15. Переходные процессы в диоде:
- •16. Величина порогового напряжения моп-транзистора, и пути его регулирования:
- •17. Туннельный пробой диода. Сравнительный анализ туннельного и лавинного пробоя:
- •18.Частотные свойства бт
- •19.Эффект Эрли и его следствия
- •21.Импульсные свойства биполярного транзистора: случай малого и большого сигналов.
- •Импульсные свойства бт при малом сигнале
- •Импульсный режим работы бт при большом сигнале
- •22.Модель Эберса-Молла.
- •23.Реальные моп-структуры с n и p подложками. Энергетические зонные диаграммы, разности работ выхода металл – затвора – полупроводник (моп структур) с Al и поликремниевым затворами
- •24. Барьерная ёмкость диода
- •25. Электронно-дырочный переход при нарушении теплового равновесия. Токи инжекции и экстракции
- •26. Генерация и рекомбинация носителей в - -переходе
- •27. Коэффициент передачи тока эмиттера идеализированной модели биполярного транзистора.
- •Виды пробоя биполярного транзистора (смыкание эмиттерного и коллекторного перехода, лавинный пробой, вторичный пробой)
- •База отключена
- •Диффузионная ёмкость диода
- •Барьер Шотки. Диод Шотки. Транзистор Шотки Барьер Шоттки
- •Диод Шоттки
- •Вопрос 31. Распределение концентрации неосновных носителей в базе(случай тонкой базы).
- •Вопрос 32. Аналитические выражения вах электронно-дырочного перехода(случай тонкой базы).
- •Вопрос 33. Распределение потоков носителей в реальной одномерной бт
- •34. Особенности работы p-n перехода при высоком уровне инжекции вуи
- •35. Биполярные транзисторы
- •36. Образование электронно-дырочного (р-n) перехода
- •37. Зависимость коэффициентов передачи тока от тока эмиттера
- •38. Распределение концентрации неосновных носителей в базе (общий случай)
- •40.Входное сопротивление, коэффициент усиления по току, коэффициент усиления по напряжению, коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора на низкой частоте в схеме с общим коллектором
- •41 Характеристические частоты биполярного транзистора
41 Характеристические частоты биполярного транзистора
Частотные св-ва БТ свзязаны с физич. cтруктурой транзистора через время задержки
неравновесного
заряда, переносимого от эмиттера к
коллектору
.
Предельная частота (частота отсечки) БТ – частота, на которой модуль коэффициента усиления по току в режиме короткого замыкания схемы с ОЭ равен 1,-определяется как
fT=
,
где
–суммарное
время задержки сигнала, характеризующее
последовательные фазы движения носителей
от эмиттера к коллектору.(
=
+
,)
Максимальной
частотой
называют частоту, на которой коэффициент
усиления по мощности равен 1, таким
образом, при частоте
транзистор становится пассивным
элементом:
–
граничная частота
в схеме с ОБ или частота, на которой
модуль коэффициента передачи тока
эмиттера уменьшается в
раз по сравнению со своим низкочастотным
значением.
граничная частота
в схеме с ОЭ или частота, на которой
модуль коэффициента передачи тока базы
уменьшается в
раз по сравнению со своим низкочастотным
значением.
Характеристические частоты биполярного транзистора