Мдж транзистордың тесілуі

Металл-жартылай өткізгіш түйіспе түйіскен металмен n-типтегі жартылай өткізгіш үшін болса, онда электрондар металдан жартылай өткізгішке өтеді де, олардың зарядталуы керісінше болады. Жартылай өткізгіштің контактыға жақын аймағы электрондармен байытылу нәтижесінде энергетикалық зонаның өисығы төмен қарай бағытталып, энергетикадық диаграмасы 1,а суретте көрсетілгедей түрде келеді. Негізгі заряд тасушылармен байытылған және кедергісі өте аз болатын жартылай өткізгіш қабатын антижапқыш қабат деп атайды. Металл мен p-типтегі жартылай өткізгіштерді түйістіргенде де олардың шығу жұмыстарының өзара қатыстарына байланысты жартылай өткізгіштердің контактыға жақын аймағында негізгі заряд тасушылар (кемтіктер) азайған жапқыш қабат ( ), не негізгі заряд тасушылармен байытылған антижапқыш қабат пайда болады. Оларға сәйкес энергетикалық диаграммалар 2,а және 2,б суреттерінде көрсетілген.

а б

Сурет 1

Металл-жартылай өткізгіш түйіспесінің түзеткіштік қасиеті

Металл-жартылай өткізгіш түйіспесінің энергетикалық диаграммасы Металл мен p-типтегі жартылай өткізгіштерді түйістіргенде де олардың шығу жұмыстарының өзара қатыстарына байланысты жартылай өткізгіштердің контактыға жақын аймағында негізгі заряд тасушылар (кемтіктер) азайған жапқыш қабат ( ), не негізгі заряд тасушылармен байытылған антижапқыш қабат пайда болады. Оларға сәйкес энергетикалық диаграммалар 2,а және 2,б суреттерінде көрсетілген.

Оптрондар және оның түрлері Оптрон деп оптикалық байланысы бар жарық көзі мен сәуле қабылдағыштан тұратын жартылай өткізгіштік құралды айтады. Жарық көзінде электр сигналы сәулеге түрленіп сәуле қабылдағышқа әсер еткеннен кейін қайтадан электр сигналына айналады. Егер оптрон бір сәуле шығарушы мен бір жарық қабылдағыштан тұрса оны оптопара немесе қарапайым оптрон деп аталады. Бір немесе бірнеше оптопарадан тұратын үйлестіруші және күшейткіш қондырғылары бар микросхема оптоэлектронды интегралды микросхема деп аталады. Оптронның кірісі мен шығысында әрқашанда электр сигналдары бар, ал өзара байланыс жарық сигналдарының көмегімен жүзеге асады. Сәуле шығарушы тізбек басқарушы, ал фотоқабылдағыш басқарылатын тізбек болып табылады.Оптронда жарық көзі мен сәуле қабылдағыш бір қорапшаға орнатылып, арасы оптикалық мөлдір желіммен толтырылады ( 5- сурет). 5 – сурет. оптопараның құрылымдық принципі1- сәуле шығарғыш; 2- оптикалық мөлдір желім; 3 – фотоқабылдағыш. 6 – сурет. Оптикалық арнасы ашық оптопаралар1- сәуле шығарғыш, 2 – фотоқабылдағыш, 3 – объект.Гибридті микросхемаларда қолдану үшін корпуссыз кішігірім оптрондар шығарылған. Ашық оптикалық каналы бар оптопаралардың құрылымы ерекше болады. Сәуле шығарушы мен фотоқабылдағыш арасында ауа саңылауы болады (6- сурет). Бұл аралықтан жарық өткізетін бөгет қозғала алады. Мысалы: тесігі бар перфолента. Перфолента көмегімен жарық ағынын басқаруға болады Қабылдағыш түріне байланысты оптрондар резисторлық, диодтық, транзисторлық, тиристорлық болып бөлінеді.

Ортақ база схемасы және олардың негізгі параметрлері Ортақ коллектор схемасы және олардың негізгі параметрлері Ортақ эмиттер схемасы және олардың негізгі параметрлері Екі немесе бірнеше электрлік р-n өтуі бар, қуатты күшейтуге жарайтын, үш немесе одан да көп сыртқы қосылғышы бар электрлік түрлендіргіш шала өткізгіш аспапты биполярлық транзисторлар дейміз. Транзисторларды күшейту және электрлік толқындарды генерациялау немесе электрлік тізбекті коммутациялау үшін қолданылады. Биполярлық транзисторыларды түрлеріне байланысты бөледі p-n-p және n-p-n типтерге, қуат бойынша (кіші , орташа және үлкен ), жұмыстық жиілік бойынша(төменгі, орташа және үлкен жиілікті) және де басқа жағдайлар бойынша. Суретте биполярлық транзистордың құрылымдық схемасы мен шартты белгісі көрсетілген.Электрлік қосылғышы бар кристаллдың ортанғы бөлімін база деп атаймыз (Б), тікелей қосылған өткелді – эмиттер дейміз (Э), екіншісі кері қосылғанды - коллектор деп атаймыз (К).Эмиттер, база және коллектор арасында екі р-n өткел бар, ол эмиттерлік өткел және коллекторлық өткел аталады. сурет. Биполярлық транзистордың құрылымы мен шартты белгіленуіТранзисторда екі р-n өтуі болатындықтан олардың тура және кері қосылуына байланысты транзистор негізінен белсенді, қиылу және қанығу режимінде қосылу мүмкіндігі бар. Белсенді режимде эмиттерлік өту тура, коллекторлық өту кері қосылады, қанығу режимінде эмиттерлік және коллекторлық өтулер кері қосылады, ал қанығу режимінде екі өту де тура қосылады. Қанығу және қиылу режимдері импульстық сұлбалар мен ажыратып қосу режимдерінде қолданылады. Сигналды күшейту үшін транзистордың белсенді режимі қолданылады.

Өрістік транзистордың қосылу сұлбаларыӨрістік транзисторлардың негізгі шамалары: сипаттаманың тіктігі S, күшейту коэффициенті μ ішкі кедергі R_i. Өрістік транзистордың сипаттамасының тіктігі деп S шығыс тоғының өзгеруінің оның өзгеруіне әкелген U_си = const болғанда қақпадағы кедергісіне қатынасын айтады: S = (dI_c/dU_зи)|U_си = constӨрістік транзистордың күшейткіш коэффициенті μ деп S шығыс тоғының өзгеруінің оның өзгеруіне әкелген I_с = const болғанда қақпадағы кедергісіне қатынасын айтады: μ = (dU_си/dU_зи)|I_с = constӨрістік транзистордың ішкі кедергісі R_i деп S шығыс тоғының өзгеруінің оның өзгеруіне әкелген U_зи = const болғанда қақпадағы кедергісіне қатынасын айтады: R_i = (dU_си/dI_с)|U_зи = constӨрістік транзистордың күшейткіш коэффициенті, сипаттамасының тіктігі және ішкі кедергісі өзара арақатынаспен біріктірілген:μ = S R_i Температура өскенде тіктігі де, табалдырықты кедергісі де азаяды, оның үстіне бұл шамалардың азаюы тоққа кері бағыттарда әсер етеді. Тоқтың олар теңесетін I_c мәндері бар. Бұл тұрақты мәнді ауыспалы тоқ деп атайды. Ауыспалы тоқтың бар болуы – МДЖ–транзисторлардың маңызды ерекшелігі; ол жеңіл жолмен – жұмыс тоқты алумен температуралық тұрақтандыру мүмкіншілігін қамтамасыз етеді Өрістік транзисторлардың сипаттамаларының жұмыс аумағы қазіргі заманғы өрістік транзисторлар үшін S = 0,3...30 мА/В, ал R_i бірнеше мегаом құрайтын динамикалық теңдік аумағы болып табылады. Өрістік транзисторлардың маңызды еркшеліктері олардың өте үлкен кіру кедергілері (10¹⁵ Ом-ға дейін) және шекті жиілігі (1 ГГц-қа дейін) болып табылады. Қосу сұлбалары. Статикалық сипаттамалары және шектері. Электронды сұлбаларда қолдану ерекшеліктері Биполярлық транзисторларға ұқсастығына қарай тұрақты потенциал нүктесіне қандай электрод қосылғанына байланысты қосу сұлбаларын үшке бөледі: кірісті, шығысты және қақпалы. Ортақ бастау сұлбасыОртақ бастаумен сұлба биполярлы транзисторлар үшін ортақ эмиттермен сұлбаға сай келеді. 5-сурет.