37. Зависимость коэффициентов передачи тока от тока эмиттера

Область I: 1. с ↑ Iэ (снижение высоты потенциального барьера) ↓ Iрекомбинации в ОПЗ эммитерного p-n перехода (↓ I_RjЭ) → ↓ I_Б → ↑ .

2. с ↑ Iэ → ВУИ → появляется поле в базе → это приводит к удвоению D → → ↑.

Область II: 1. с ↑ Iэ → ВУИ → ↑ → ↓ → ↓.

2. Эффект Кирка – заключается в модуляции толщины базы в сторону ее ↑, обусловленная большими плотностями эммитерного тока.

38. Распределение концентрации неосновных носителей в базе (общий случай)

Рассматривая р⁺-n-переход, запишем уравнение непрерывности для дырок в n-базе

(1.26)

где G_р и R_p — скорости генерации и рекомбинации дырок, соответственно.

Распределение концентрации дырок в n-базе находим при следующих допущениях:

1. Рассматривается одномерная модель р-n-перехода.

2. Все внешнее напряжение падает только на ОПЗ.

3. ОПЗ р-n-перехода бесконечно тонкая, а следовательно, в ней не происходит никаких физических процессов.

4. Отсутствует накопление неосновных носителей на омическом контакте базы, т.е. p_к = p_nо.

5. Учитывается только линейная рекомбинация, т.е. скорость рекомбинации прямо пропорциональна избыточной концентрации неосновных носителейR_р = (р_n(х) – р_n0) / _p = р_n(х) / _р,где _p — время жизни дырок в базе.

6. Отсутствует наполнение неосновных носителей в базе на контакте, т.е. р_n = р_n0.

Выражение для инжектированных неосновных носителей в базу можно записать как:

pn(x)exp(jt) = pn0 + pn(x) + pnexp(jt),

(1.27)

где p_n(x) – избыточная концентрация неосновных носителей в базе.

Подставляя (1.27) в (1.26) и произведя ряд математических преобразований, получим:

pn(x)= pn0+ pn0 (exp )(ch x/Lp- ctg WБ/ Lp ·sh x/ Lp )	(1.28)
39.Эффект Кирка

40.Входное сопротивление, коэффициент усиления по току, коэффициент усиления по напряжению, коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора на низкой частоте в схеме с общим коллектором

Входное сопротивление для схемы с ОК: R_вх = U_вх/I_вх= (U_бэ + U_кэ )/I_б

Коэффициент усиления по току для схемы с ОК: = / = /

Коэффициент усиления по напряжению для схемы с ОК: = / * = / *

Коэффициент усиления по мощности для схемы с ОК: = / * = / *

Параметр	Схема включения
	ОБ	ОЭ	ОК
	<1	>1	>1
	>1	>1	<1
	>1	>1	>1