3.3.2 Расчет параметров схемы в динамическом режиме

Сопротивление выходной цепи транзистора переменному току (в рабочем диапазоне частот ):

, (3.33)

,

,

,

где R_Н – входное сопротивление транзистора VT1, Ом, так как сопротивление нагрузки данного транзистора мало, из-за чего угол наклона полного размаха амплитуды напряжения велико, ток коллектора транзистора будет больше тока насыщения коллектора, что является грубой ошибкой в решении, по этому сопротивление нагрузки принимаем равным среднестатистическим показателям для большинства транзисторов;

Rн = 70 Ом;

Проводим нагрузочную прямую переменного тока через рабочую точку А и точку на оси абсцисс при:

, (3.34)

.

Отмечаем на ней точки В и С, соответствующие полному размаху выходного напряжения амплитудой. Переносим точки В и С на входную характеристику. Для получения заданной амплитуды требуется изменение тока базы от до и напряжения от до.

Рисунок 3.3.2.1 – Входная характеристика транзистора КТ815А

Из рисунка 3.3.2.1 находим наши напряжения соответствующие токам базы.

I_бС = 4,7 мкА, I_бВ = 0,15 мА,

U_бэС = 522 мВ, U_бэВ = 617 мВ.

Следовательно, коэффициент усиления каскада по напряжению:

, (3.35)

.

Входное сопротивление транзистора в точке покоя:

, (3.36)

.

Входное сопротивление каскада:

, (3.37)

.

Рассчитаем значение конденсатора С2. Его значение находится с помощью выражения:

, (3.38)

.

4 Проектирование входного каскада

4.1 Расчет номиналов элементов схемы

Промежуточный каскад так же построен по схеме с ОЭ.

Рисунок 4.1 – Схема промежуточного каскада

Соотношения, для выбора транзистора промежуточного каскада:

, (4.1)

,

, (4.2)

,

, (4.3)

.

По данным значениям выбираем транзистор n-p-n структуры КТ815А.

Для выбора тока покоя коллектора найдем амплитуду тока сигнала в цепи коллектора , определив предварительно амплитуду напряжения сигнала на входе следующего каскада и ориентировочное значение сопротивления резистора :

, (4.4)

,

где I_ВХm – минимальный ток базы, А.

, (4.5)

,

, (4.6)

,

, (4.7)

.

Определяем сопротивления резисторов и :

, (4.8)

,

, (4.9)

.

По входной характеристике транзистора включения с общим эмиттером находим для тока базы соответствующее напряжение смещения база-эмиттер

, (4.10)

.

Рисунок 4.1 – Входная характеристика транзистора КТ815A

= 557,993 мВ.

Зададимся током делителя, который выбирают на порядок большим тока базы VT4 (т.к. базовый делитель должен поддерживать неизменным потенциал базы относительно земли):

, (4.11)

.

Падение напряжения на резисторе равно:

, (4.12)

.

Рассчитаем сопротивления базовых делителей:

(4.13)

.

, (4.14)

.