2.6. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии

Если к p-n-переходу подключить источник напряжения, равновесное состояние нарушится, и в цепи будет протекать ток. Различают прямое и обратное включения p-n-перехода.

Прямое включение. Пусть внешнее напряжение приложено плюсом к p‑области, а минусом – к n-области (рис. 2.8, а, б).

При этом оно противоположно по знаку контактной разности потенциалов. Так как концентрация подвижных носителей в p-n-переходе значительно ниже, чем в p- и n-областях, сопротивление p-n-перехода значительно выше сопротивления p- и n-областей. Можно считать, что приложенное напряжение полностью падает на переходе. Основные носители будут двигаться к контакту, с

а

окращая дефицит носителей в p-n-переходе и уменьшать сопротивление и толщину p-n-перехода. Результирующее поле в p-n-п

б

ереходе будет равно . Поток основных носителей через контакт увеличится. Ток, протекающий через переход, в данном случае называется прямым, а напряжение, приложенное к перехо- ду – прямым напряжением. При потенциальный барьер для основных носителей исчезает, и ток ограничивается обычным омическим сопротивлением объема полупроводника.

Диффузия дырок через переход приводит к увеличению концентрации дырок за переходом. Возникающий при этом градиент концентрации дырок обусловливает диффузионное проникновение их в глубь n-области, где они являются неосновными носителями. Это явление называется инжекцией (впрыскиванием). Инжекция дырок не нарушает электрической нейтральности в n-области, т.к. она сопровождается поступлением из внешней цепи такого же количества электронов.

Толщина перехода в этом случае

а

. (2.43)

Диффузионная составляющая будет превышать дрейфовую составляющую. В результате

. (2.44)

О

б

братное включение. Если внешнее напряжение приложено плюсом к n-области, а минусом к – p-области, то оно совпадает по знаку с контактной разностью потенциалов (рис. 2.9, а, б). В этом случае напряжение на переходе возрастает, и высота потенциального барьера становится выше, чем при отсутствии напряжения . Толщина перехода возрастает

. (2.45)

Результирующая напряженность электрического поля в переходе будет выше, что приведет к увеличению дрейфового тока:

; . (2.46)

Направление результирующего тока противоположно направлению прямого тока, поэтому он называется обратным током, а напряжение, вызывающее обратный ток, называется обратным напряжением. Поле в переходе является ускоряющим лишь для неосновных носителей. Под действием этого поля концентрация неосновных носителей на границе перехода снижается и появляется градиент концентрации носителей заряда. Это явление называется экстракцией носителей. Значение тока экстракции определяется числом неосновных носителей заряда, возникающих в полупроводнике в единицу времени на расстоянии, которое они могут пройти за время жизни. Это расстояние называется диффузионной длиной электронов и дырок. Концентрация неосновных носителей на расстоянии диффузионной длины убывает в раз.

, , (2.47)

где – коэффициенты диффузии электронов и дырок;

τ_n, τ_p – время жизни электронов и дырок;

– диффузионная длина электронов и дырок.

Так как число неосновных носителей мало, ток экстракции через переход намного меньше прямого тока. Он практически не зависит от приложенного напряжения и является током насыщения.

Таким образом, p-n-переход обладает несимметричной проводимостью: проводимость в прямом направлении значительно превышает проводимость p‑n‑перехода в обратном направлении, что нашло широкое применение при изготовлении полупроводниковых приборов.

2.7. Вольт-амперная характеристика p-n‑перехода

Вольт-амперная характеристика p-n-перехода представляет собой зависимость тока через p-n-переход от величины и полярности приложенного напряжения.

При выводе вольт-амперной характеристики можно предположить, что токи неосновных носителей заряда через переход с изменением полярности и величины приложенного напряжения не изменяются. Токи основных носителей меняются существенно и при приложении обратного напряжения резко уменьшаются.

Токи основных носителей можно рассматривать как токи эмиссии зарядов через контактный слой, скачок потенциальной энергии на котором равен работе выхода электрона. При этом предположении токи основных носителей с увеличением обратного напряжения будут уменьшаться по экспоненциальному закону.

Плотность тока основных носителей можно записать так:

; . (2.48)

Если прикладывать прямое напряжение, высота барьера уменьшается и токи основных носителей будут экспоненциально возрастать. Плотность полного тока через переход будет равна

,

где .

Полный ток можно записать , где – площадь p-n-перехода.

Тогда , (2.49)

где — обратный ток, называемый тепловым током, или током насыщения: . (2.50)

П о своей физической природе он представляет собой ток экстракции, следовательно, величина его очень мала. Вольт-амперная характеристика, соответствующая этому выражению, показана на рис. 2.10.

При величина , поэтому при относительно небольшом прямом напряжении ток через переход резко возрастает. При подаче обратного напряжения ток, изменив направление, быстро достигает значения , а далее остается постоянным независимо от величины приложенного напряжения.

Реальная характеристика p-n-перехода отличается от теоретической (рис. 2.11). Эти различия обусловлены термогенерацией носителей в запирающем слое перехода, падением напряжения на сопротивлениях областей полупроводника, а также явлением пробоя при обратном напряжении.