- •Схемотехника
- •Аналоговых электронных
- •Устройств
- •Учебное пособие
- •1. Полупроводниковые приборы
- •1.1. Полупроводниковые диоды
- •1.1.1. Устройство и классификация полупроводниковых диодов
- •1.1.2. Физические процессы в p-n-переходе
- •1.1.3. Работа диода при подключении внешнего обратного напряжения
- •1.1.3.1. Тепловой ток диода
- •1.1.3.2. Токи генерации и утечки в реальных диодах
- •1.1.4. Работа диода при подключении внешнего прямого напряжения
- •1.1.5. Основные параметры диодов
- •1.1.5.1. Сопротивления диода
- •1.1.5.2. Емкости диода
- •1.1.6. Типы полупроводниковых диодов
- •1.1.6.1. Выпрямительные диоды
- •1.1.6.2. Стабилитроны
- •1.1.6.3. Варикапы
- •1.1.6.3.1. Вольт-фарадная характеристика варикапа
- •1.1.6.3.2. Добротность варикапа
- •1.1.6.4. Туннельный диод
- •1.1.6.4.1. Принцип квантово-механического туннелирования
- •1.1.6.4.2. Вольт-амперная характеристика туннельного диода
- •1.1.6.5. Импульсные диоды
- •1.1.6.6. Диоды с накоплением заряда
- •1.1.6.7. Диоды с барьером Шоттки
- •1.1.6.8. Лавинно пролетные диоды
- •1.1.6.9. Фотодиод
- •Рассмотрим общие характеристики фотодиодов.
- •1.2. Биполярные транзисторы
- •1.2.1. Устройство и режимы работы транзистора
- •1.2.2. Физические процессы, протекающие в транзисторе, работающем в активном режиме
- •1.2.3. Схемы включения, основные характеристики и параметры транзисторов
- •1.2.3.1. Схема включения транзистора с общей базой (об)
- •1.2.3.2. Основные параметры транзистора с об
- •1.2.3.3. Схема включения транзистора с общим эмиттером (оэ)
- •1.2.3.4. Выходные и входные характеристики транзистора , включенного по схеме с оэ
- •1.2.3.5. Параметры транзистора, включенного по схеме с оэ
- •1.2.3.6. Схема включения транзистора с общим коллектором (ок)
- •1.2.3.7. Параметры транзистора с ок
- •1.2.4. Эквивалентные схемы транзисторов
- •1.2.4.1. Эквивалентная схема транзистора в виде модели Эберса-Молла
- •1.2.4.2. Дифференциальные параметры и малосигнальные эквивалентные схемы транзистора
- •1.2.4.3. Эквивалентная схема транзистора в h-параметрах
- •1.2.4.5. Эквивалентная схема транзистора в y-параметрах
- •1.2.5. Инерционные свойства биполярного транзистора. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты.
- •1.2.5.1. Процессы в схеме с общей базой
- •1.2.5.2. Процессы в схеме с оэ
- •1.3. Полевые транзисторы
- •1.3.1. Транзисторы с управляющим p-n-переходом.
- •1.3.1.1. Устройство и принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •1.3.2. Полевой транзистор, включенный по схеме с ои а) с n-каналом,
- •1.3.2. Дифференциальные параметры.
- •1.3.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •1.4. Тиристоры
- •1.5. Интегральные схемы
- •1.6. Полупроводниковые датчики и индикаторные приборы
- •1.6.1. Полупроводниковые датчики температуры
- •1.6.2. Магнитополупроводниковые приборы
- •1.6.3. Приборы с зарядовой связью
- •1.6.4. Фотоэлектрические приборы. Понятие об оптоэлектронных приборах.
1.1.6.3. Варикапы
1.1.6.3.1. Вольт-фарадная характеристика варикапа
Ваpикапами называют полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения. Ваpикапы предназначены для применения в качестве элементов с электрически управляемой емкостью. Ваpикапы используемые в схемах умножения частоты сигнала, называют варакторами, а в схемах параметрических усилителей сигналов сверхвысоких частот - параметрическими полупроводниковыми диодами.
Основной
характеристикой ваpикапа является
вольт-фаpадная характеристика - это
зависимость емкости варикапа от обратного
напряжения
,
где
- общая емкость ваpикапа, т.е. емкость,
измеренная между его выводами.
Общая емкость
содержит не только барьерную емкость
электрического перехода
,
но и емкость корпуса
,
в который заключен прибор. Поскольку
,
вольт-фаpадные характеристики ваpикапов
идентичны вольтфаpадным хаpактеpистикам
p-n-пеpехода, представленным на pис.
1.1.12, где 1 кривая соответствует плавному
переходу,2 - резкому переходу, 3 - переходу
со сложной функцией изменения концентрации
примеси.
Из этих кривых видно, что характер зависимости определяется видом перехода, и наиболее резкая зависимость наблюдается на переходе с наиболее сложной функцией изменения концентрации примесей.
О
Рис. 1.1.12.
Вольт-фарадная характеристика варикапа
,
где
и
- общие емкости варикапа при заданных
значениях обратного напряжения
и
,
который используется для оценки
зависимости
,
и коэффициент нелинейности
,
с
помощью которого оценивается нелинейность
вольтфарадной характеристики. Оба
коэффициента взаимосвязаны, так как
при большой нелинейности вольтфаpадной
характеристики интервал изменения
емкости
может быть перекрыт при меньших изменениях
напряжения. Так, например, в ваpикапах
со сплавным переходом коэффициент
достигает 10 при изменении обратного
напряжения от нуля до нескольких десятков
вольт. В ваpикапах с резкой вольт-фаpадной
характеристикой изменение напряжения
в интервале от нуля до -10В обеспечивает
величину
.
1.1.6.3.2. Добротность варикапа
Качество
ваpикапа оценивают добротностью
,
равной отношению реактивного сопротивления
ваpикапа на заданной частоте сигнала к
сопротивлению потерь при заданном
значении емкости. Ваpикап может быть
представлен эквивалентной схемой,
которая изображена на рис. 1.1.13, тогда
добротность рассчитывается по следующей
формуле
,
(1.1.24)
из которой видно, что добротность зависит от частоты.
Определим из (1.1.24) частоту, соответствующую максимальной добротности, для чего возьмем производную от данного выражения и приравняем ее к нулю.
Т
Рис.1.1.13. Эквивалентная
схема варикапа
,
(1.1.25)
.
(1.1.26)
В
реальных ваpикапах отношение
,
вследствие чего формулы (1.1.25) и (1.1.26)
можно записать следующим образом:
Рис.
1.1.14. График зависимости
добротности от
частоты
,
(1.1.27)
. (1.1.28)
На низких частотах обычно сопротивлением базы пренебрегают, тогда добротность варикапа в этом случае можно определить как
.
(1.1.29)
На
высоких частотах сопротивление
уменьшается (рис.1.1.13) и поэтому, в данном
случае, можно пренебречь параллельным
сопротивлением
.
В этом случае добротность варикапа
определяется как:
(1.1.30)
Из
соотношений (1.1.29) и (1.1.30) видно, что
низкочастотные ваpикапы должны обладать
высокими значениями
и
.
Это требование удовлетворяется при
использовании материалов с широкой
запрещенной зоной, т.е. когда величина
обратного тока
на единицу площади перехода достаточно
мала. Емкость
при
достигает сотых долей микрофарады.
Для
высокочастотных ваpикапов необходимы
минимальные значения
и
.
Уменьшение сопротивления
может быть получено за счет повышения
концентрации примесей в базе, однако
при этом снижается значение напряжения
пробоя, что нежелательно. Для повышения
напряжения пробоя необходимо использовать
материалы с высокой подвижностью
носителей. Рабочий диапазон частот
ваpикапа оценивают значениями верхней
и нижней
частот, соответствующими минимально
допустимому значению добротности
(рис.
1.1.14). За минимальное значение добротности
обычно принимают
.
Использование ваpикапа в параметрических
системах при
нецелесообразно, Поэтому в этих случаях
принимают
,
например
.
Значение частоты
,
соответствующее
называют критической
частотой.
.
(1.1.31)
Параметры
ваpикапов существенно зависят от
температуры, хотя ёмкость
изменяется с температурой незначительно.
С повышением температуры резко уменьшается
сопротивление
вследствие роста обратного тока. Ввиду
этого на низких частотах заметно
снижается добротность
,
поэтому ваpикапы
удовлетворительно работают лишь при
относительно невысоких температурах:
для приборов на арсениде галлия
,
а для германиевых ваpикапов
.
Зависимость
параметров ваpикапа от температуры
принято характеризовать температурным
коэффициентом емкости ваpикапа
и температурным
коэффициентом добротности
ваpикапа
,
где
- интервал изменения температуры
окружающей среды.
