1.2. Транзистори.

1.2.1. Програма курсу.

Структури. Умовне позначення. Принцип дії. Режими роботи. Схеми вмикання та їх порівняння. Статичні характеристики та параметри. Робота біполярних транзисторів в підсилюваючих каскадах. Температурні та частотні властивості біполярних транзисторів. Класифікація польових транзисторів. Польові транзистори з керуючим p-n переходом. Робота польових транзисторів у підсилювальних каскадах. МДН – транзистори з вбудованим каналом. МДН – транзистори з індукованим каналом. Польові транзистори на основі арсеніду галія з затвором Шотткі. Схеми вмикання польових транзисторів. Температурні та частотні властивості польових транзисторів. Маркування транзисторів.

Інтегральні мікросхеми і їх різновиди. Характеристики, області їх засто­сування. Техніко-економічні переваги мікроелектроніки.

[1], с. 28 – 52, 61 – 65, 140 - 146; [2], с. 39 – 81, 135 - 140; [3], с. 34 – 63, 703 – 719; [4], с. 53 – 112, 375 - 381.

1.2.2. Методичні вказівки

Транзистором (приладом, що перетворює опір) називається електроперетворювальній

напівпровідниковий прилад, здатний посилювати потужність електричного сигналу. Тому транзистори є активними напівпровідниковими приладами

Наслідком вивчення біполярних і уніполярних (польових) транзисторів є знання їх устрою, принципу дії (як перетворюється опір), співвідношень між струмами і напругами, характеристик і параметрів, особливостей трьох основних схем включення. Потрібно пам’ятати, що біполярний транзистор є „струменевим” приладом, а польовий – „потенційним”. Це означає, що перший керується струмом, а другий – напругою (електричним полем). Необхідно звернути увагу на вигляд статичних характеристик транзисторів у різних схемах включення, вміти визначати параметри транзисторів за переліченими характеристиками. Знати режими роботи, температурні та частотні властивості транзисторів.

Технологія виготовлення інтегральних мікросхем. Параметри інтегральних мікросхем. Напівпровідникові інтегральні мікросхеми. Класифікація інтегральних мікросхем з функціонального призначення.

1.2.3. Контрольні питання.

1. Поясніть принцип роботи транзисторів.

2. Що таке біполярний транзистор? Поясніть його будову та принцип дії. Наведіть умовні позначення.

3. Як можна вмикати біполярний транзистор і який вигляд при цьому мають його вольт-амперні характеристики?

4. Поясніть статичні характеристики біполярного транзистора і їх залежність від температури.

5. Чим пояснюються залежності параметрів біполярного і польового транзисторів від частоти вхідного сигналу?

6. Поясніть принцип дії біполярного транзистора p-n-p типу.

7. Поясніть принцип дії біполярного транзистора n-p-n типу.

8. Чим обумовлена поява зворотного струму колектора?

9. Поясніть фізичний сенс коефіцієнта перенесення носіїв у базі.

10. Які процеси визначають залежність коефіцієнта перенесення носіїв в базі від частоти?

11. Розкажіть про основні експлуатаційні параметри біполярних транзисторів.

12. Як будується динамична характеристика біполярного транзистора? У яких режимах може працювати транзистор?

13. Приведіть статичні характеристики і параметри біполярного транзистора для схеми з загальною базою.

14. Приведіть статичні характеристики і параметри біполярного транзистора для схеми з загальним емітером.

15. Приведіть основні схеми включення біполярного транзистора та вкажіть їх властивості й особливості застосування.

16. Які основні переваги мають польові транзистори у порівнянні з біполярними?

17. Що таке польовий транзистор? Які є різновиди польових транзисторів? Поясніть їх будову і принцип дії, наведіть умовні позначення.

18. У чому відмінності принципу дії і основних характеристик польового транзистора з p – n переходом і МДП – транзистора?

19. Які схеми включення уніполярних транзисторів і їх основні параметри Вам відомі?

20. Які режими роботи біполярного транзистора Вам відомі, і в чому їх особливості?

21. Поясніть устрій і принцип дії польового транзистора з керуючим p-n переходом, приведіть його характеристики і параметри.

22. Поясніть устрій і принцип дії польового транзистора з ізольованим затвором і з вбудованим каналом, приведіть його характеристики і параметри.

23. Поясніть устрій і принцип дії польового транзистора з ізольованим затвором і з індукованим каналом, приведіть його характеристики і параметри.

24. Поясніть принцип посилення польових транзисторів з затвором у вигляді p-n переходу.

25. Поясніть принцип посилення МДН-транзисторів з ізольованим затвором.

26. Який принцип маркування транзисторів?

27. Дайте визначення інтегральної мікросхеми (ІМС) та поясніть зміст слів “інтегральна” та “мікросхема”.

28. Наведіть класифікацію ІМС.

29. Дайте визначення напівпровідникових ІМС.

30. Дайте визначення гібридних ІМС.

31. Дайте визначення біполярних напівпровідникових ІМС.

32. Дайте визначення напівпровідникових МДН ІМС.

33. Охарактеризуйте лінійні ІМС. Наведіть параметри лінійних ІМС.

34. Охарактеризуйте цифрові ІМС. Наведіть параметри цифрових ІМС.