48. Жадтайтын құрылғылардың (жқ) жіктелуі мен параметрлері. Тұрақты және оперативті жқ-лар.
В современных ЭВМ (в том числе персональных) матричные ОЗУ большой емкости используются для хранения больших массивов числовых данных или программ. Следует иметь в виду, что часть служебных и вспомогательных программ (инициализации, ввода вывода, типовых операции) имеют неизменный “текст” и должны записываться однократно на постоянное хранение, т. е. Требуют для своего хранения постоянных ЗУ (ПЗУ), в которых информация сохраняется даже при отключенном питании (самовосстанавливается при его включении). Большая же часть текущих программ и данных, как правило, непрерывно обновляется и требует для своего хранения оперативных ЗУ (ОЗУ), предусматривающих возможность многократной записи информации: при отключении питания все содержимое ОЗУ стирается, пропадает.
Рисунок 5.1
Основными параметрами ЗУ являются: емкость (число ячеек памяти), разрядность и время обращения.
24.Терістейтін (инверсный) кірістері болатын RS-триггер. Шартты графикалық белгіленуі. Толық және қысқартылған ауыстырып қосу кестесі. ЖӘНЕ-ЕМЕС логикалық элементтерінен жиналған RS-триггердің жұмысын талдаңыз.
Триггердің бұл түрі логикалық ЖӘНЕ-ЕМЕС элементінен құрылған. Бұл жағдайда «0» дәрежесі активті сигнал ал «1» дәрежесі пассивті сигнал болады. Ақпаратты кірістер R, S белгіленеді. Кіріс S=1, R=1 сигналдары активті болады. Бұл жағдайда триггердің кестесі тура кірісті триггердің кестесіндей жұмыс істейді.
ЖӘНЕ-ЕМЕС логикалық элементімен құрылған RS триггері кезінде S= R=0-рұқсат етілмеген комбинация. S= R=1- нейтралды болады.
49. Тұрақты жадтайтын құрылғының (тжқ) құрылымы, жиналу қағидасы және жұмыс істеу.
Рисунок 5.2 5.3 На рис. 5.2 изображена структура типового 8 – разрядного ПЗУ емкостью 29=512 байт =4096 бит, которая хорошо иллюстрирует принципы построения и функционирования ПЗУ.
В узлах матрицы 64 х 64 размещается полупроводниковый прибор (диод, транзистор) с плавкой вставкой(PROM) или без нее(ROM); в каждом угле контакт между адресной и разрядной шинами может быть нарушен посредством разрушения полупроводникового прибора и вставки. У ПЗУ типа PROM в узлах матрицы наносится слой нитрида кремния, который хорошо хранит электрический заряд. Время обращения зависит от технологии изготовления БИС ЗУ и для биполярных ПЗУ составляет 20….50 нс, для биполярных-200….600 нс.
50. Статикалық оперативті жадтайтын құрылғылардың (ожқ) жиналу қағидасы. Ерікті және тізбекті қатынау (доступ).
Рисунок 5.3
Главная задача при построении матричного ОЗУ заключается во вводе/выводе информации в любую ячейку по одной шине данных. Эта задача в принципе просто решается с помощью мультиплексирования - подключение входов всех регистров к входной шине через демультиплексоры, а выходов - к выходной через мультиплексоры, на входы которых поступает адресная информация о номере нужной ячейки памяти. На рисунке 5.3 в качестве примера показано одно из возможных решений этой задачи для регистров с тристабильными входами.
Рисунок 5.4
Вторая задача-это организация одной двунаправленной шины данных, как это имеет место в реальных МП - системах. Пример решения такой задачи дает рисунок 5.4. При подобном представлении каждый регистр ОЗУ может рассматриваться как ячейка, имеющая двунаправленную информационную шину и два адресных входа Ах и Ау. Тогда в матричном ОЗУ большой емкости проблема адресации к нужной ячейке решается с помощью двух дешифраторов номера строк Ах и столбца Ау (см. рисунок 5.5). В ОЗУ такого типа возможен произвольный порядок (доступ) обращения к регистрам. В ОЗУ же с последовательным доступом – только в порядке возрастания или убывания адресов, как, например, в стеке. Следует обратить внимание на программную реализацию стека в специально выделенной области ОЗУ, когда адреса формируются отдельным реверсивным счетчиком, называемым указателем стека.
Рисунок 5.5