Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
електр.і мікросхем.редагування.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
1.27 Mб
Скачать

2.4.4. Основні режими роботи біполярноготранзистора

Незалежно від схеми вмикання біполярного транзистора він може працювати у трьох основних режимах, що визначаються полярністю напруги на емітерному UE та колекторному UK переходах:

  1. режим відсічки (UE< 0, UK< 0);

  2. активний режим ФЕ> 0, UK< 0);

  3. режим насичення ФЕ> 0, UK> 0).

ПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ ТА IX СТИСЛА ХАРАКТЕРИСТИКА

Урежимі насичення, який настає при великому відпірному вхідно­му сигналі, колекторний та емітерний переходи зміщені у прямому напрямку, транзистор повністю увімкнений і його струм /mp = Uj IRH, тобто залежить тільки від опору навантаження RH та зовнішньої напруги Цз (вихідний опір транзистора знижується до дуже малої величини).

У режимі відсічки, який настає з поданням до вхідного кола транзис­тора сигналу, що забезпечує повне запирання приладу, обидва перехо­ди зміщені у зворотному напрямі (закритий стан транзистора). При цьому у вихідному колі протікає струм, що є зворотним струмом емі-терного та колекторного переходів, а опір транзистора високий.

Активний режим є проміжним. В ньому емітерний перехід зміщений упрямому напрямку, а колекторний - у зворотньому.

Транзистор у цьому режимі працює як підсилювач сигналу: пропор­ційним змінам вхідного сигналу тут відповідають пропорційні зміни ви­хідного.

Режим роботи, у якому транзистор тривалий час знаходиться в режи­мах відтинання або насичення, називається ключовим режимом.

Р озглянемо наведені вище режими роботи транзистора на прикладі його вмикання за схемою з СЕ, зображеною нарис.2.20.Тут:

БЕ

UK-U

(2,19)

(2.20)

'.« = UKE = EK-IKRK. (2.21)

Рис. 2.20 - Схема вмикання транзистора з СЕ

Де Rp RK - базове та колекторне на­вантаження, UK£ - напруга між колек-*opOM та емітером, Ек - напруга джерела живлення.

Рівняння (2.21) характеризує зв'язок вихідної напруги з вхідним стру-[ і називається динамічною вихідною характеристикою транзисто-l або лінією навантаження.

зона насичення

активний режим

ІБЗ

Н а сім'ї вихідних статичних характеристик побудуємо лінію навантаження, як показано на рис. 2.21. Для цього розглянемо режими холостого ходу (X.X.) та короткого замикання (K.3.).

Для режиму X.X.:

якщо lK= 0, то UKE = Ек .

Для режиму K.3.:

f якщо и.,ґ = 0, то /,.= ^- .

КЕ A p

^K

Ек UKE зона відтинання

Рис. 2.21 - Вихіднадинамічна характеристика транзистора

Точки перетину лінії навантаження з будь-якою BAX називаються робочими точками і відповідають певним значенням вихідного струму та вихідної напруги. Якщо, наприклад, І£= Іт, то цьому відповідає точ­ка P, для якої ивш = UnK, Im = Іок .

Коли робоча точка лежить у межах відрізка аб, транзистор працює в активному (підсилювальному) режимі, де змінам вхідного сигналу відповідають пропорційні зміни вихідного.

Якщо робочу точку намагатися задати нижче точки б, транзистор переходить до режиму відтинанння, якому відповідає власне точка б (транзистор тут відтинає протікання струму у силовому колі).

Якщо ж робочу точку задавати вище точки a ~ транзистор знахо­диться в режимі насичення, якому і відповідає точка а.

Взагалі режимом насичення називають такий режим, коли подаль­шому збільшенню вхідної дії не відповідає збільшення вихідної реакції, що досягла деякого значення.

У режимі насичення через транзистор протікає струм

(2.22)

Ікн —

ПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ ТА IX СТИСЛА ХАРАКТЕРИСТИКА

Для того щоб транзистор увійшов до режиму насичення, необхідно

забезпечити струм бази не менший за ІБН = .

P Ступінь насичення характеризується коефіцієнтом насичення

AO

ПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ ТА IX СТИСЛА ХАРАКТЕРИСТИКА

(2.23)

S - -(S>l, тому що тут L>IKH).

Вактивному режимі S< 1.

До основних параметрів біполярних транзисторів належать:

- максимально допустимий струм колектора /А„ що становить (0,01-100)A;

-допустима робоча напруга UKE, що становить (20-1000) В;

-коефіцієнт передачі по струмуД=20+50;

-допустима потужність на колекторі Рк(якщо Рк< 0,3 Вт, то маємо транзистор малої потужності, якщо Рк= 0,3+1,5 Вт - середньої потуж-яості, якщо Ptf>l,5 Вт - великої потужності).