
- •Розділ 1
- •1.1. Напівпровідники. Загальні відомості
- •1.2. Фізичні основи роботи електронно-діркового переходу (p-n переходу)
- •Розділ 2
- •2.1. Класифікація напівпровідниковихприладів
- •2.2. Напівпровідникові резистори
- •2.3. Напівпровідниковідіоди
- •2.4. Біполярні транзистори
- •2.4.1. Побудова та принцип дГГтранзистора
- •2.4.4. Основні режими роботи біполярноготранзистора
- •2.4.5. Одноперехідний транзистор
- •2.5. Уніполярні (польові) транзистори
- •2.5.1. Загальні відомості
- •2.5.5. Біполярнітранзисторизізольованимзатвором (бтіз)
- •2.6.2.Триністор(керованийдіод)
- •2. Напівпровідниковіприлади та їх стисла характеристика
- •2 .6.3. Спеціальні типи тиристорів (симістор, фототиристор, двоопераційний тиристор, оптронний тиристор)
- •2. Напівпровідниковіприлади та їхстисла характеристика
- •2.6.4. Електростатичні тиристори
- •2.6.5. Запірний тиристор з мон-керуванням
- •Розділ 3
- •3.1. Загальні відомості про підсилювачі таїхкласифікація
- •3. Підсилювачі електричних сигналів
- •3.2. Основні параметри і характеристики підсилювачів
- •3.3. Принципи побудови підсилювачів
- •3.4. Основні режими (класи) роботи підсилювачів
- •3.5. Кола зміщення підсилюючих каскадів
- •3.6. Температурна стабілізація підсилювачів
- •3.7. Каскади попереднього підсилення
- •3.7.1. Каскад попереднього підсилення на біполярному транзисторі з се
- •3. Підсилювачі електричних сигналів
- •3.7.2. Підсилюючий каскад з ск (емітерний повторювач)
- •3.7.3. Підсилюючий каскад з сб
- •3.8. Каскади попереднього підсилення на польовихтранзисторах
- •3.8.1. Підсилюючий каскад з cb
- •3.8.2. Підсилюючий каскадзСс
- •3. Підсилювачі електричних сигналів
- •3.8.3. Зворотні зв'язки в підсилювачах
- •3. ПідСилювачі електричних сигналів
- •3.9. Багатокаскадні підсилювачі
- •3.9.1. Багатокаскадні підсилювачі з резистивно-ємнісними міжкаскадними зв'язками
- •3.9.2. Багатокаскадні підсилювачі зтрансформаторним зв'язком
- •3.9.3. Безтрансформаторні вихідні каскади підсилення
- •Розділ 4
- •4.1. Загальні відомості
- •4. Підсилюва 41 постійного струму
- •4.2. Підсилювач прямого підсилення
- •4. ПідСилювАчі постійного струму
- •4.3. Балансні ппс
- •4. ПідсилюваЧі пОстійного струму
- •4.4. Диференційний ппс
- •4.5. Підсилювачі з подвійним перетворенням
- •4. ПідсилюваЧі постійного струму
- •4.6.2. Інвертуючий підсилювач
- •4.6.3. Неінвертуючий підсилювач
- •4.6.4. Перетворювач струму в напругу
- •4.6.5. Інвертуючийсуматор
- •4.6.6. Неінвертуючийсуматор
- •4. Підсилювачі постійного струму
- •4.6.7. Інтегруючий підсилювач (інтегратор)
- •4.6.8. Диференціюючий підсилювач (диференціатор)
- •4.6.9. Компаратори (схеми порівняння)
- •4.6.11. Збільшення потужності вихідного сигналу оп
- •4.6.12. Прецизійний випрямляч
- •4. ПідСилювачі постійного струму
- •Розділ 5
- •5. Імпульсні пристрої
- •5.2. Електронні ключі та найпростіші схеми формування імпульсів
- •5. Імпульсні пристрої
- •5. Імпульсні пристрої
- •5.3. Мультивібратори
- •5.3.1. Загальні відомості
- •5.3.2. Мультивібратор з колекторно-базовими зв'язками в автоколивальному режимі
- •5. Імпульсні пристрої
- •5.3.3. Мультивібратор на оп
- •5.3.4. Одновібратор з колекторно-базовими зв'язками (чекаючий мультивібратор)
2.4.4. Основні режими роботи біполярноготранзистора
Незалежно від схеми вмикання біполярного транзистора він може працювати у трьох основних режимах, що визначаються полярністю напруги на емітерному UE та колекторному UK переходах:
режим відсічки (UE< 0, UK< 0);
активний режим ФЕ> 0, UK< 0);
режим насичення ФЕ> 0, UK> 0).
ПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ ТА IX СТИСЛА ХАРАКТЕРИСТИКА
Урежимі насичення, який настає при великому відпірному вхідному сигналі, колекторний та емітерний переходи зміщені у прямому напрямку, транзистор повністю увімкнений і його струм /mp = Uj IRH, тобто залежить тільки від опору навантаження RH та зовнішньої напруги Цз (вихідний опір транзистора знижується до дуже малої величини).
У режимі відсічки, який настає з поданням до вхідного кола транзистора сигналу, що забезпечує повне запирання приладу, обидва переходи зміщені у зворотному напрямі (закритий стан транзистора). При цьому у вихідному колі протікає струм, що є зворотним струмом емі-терного та колекторного переходів, а опір транзистора високий.
Активний режим є проміжним. В ньому емітерний перехід зміщений упрямому напрямку, а колекторний - у зворотньому.
Транзистор у цьому режимі працює як підсилювач сигналу: пропорційним змінам вхідного сигналу тут відповідають пропорційні зміни вихідного.
Режим роботи, у якому транзистор тривалий час знаходиться в режимах відтинання або насичення, називається ключовим режимом.
Р
озглянемо
наведені вище режими роботи
транзистора на прикладі його вмикання
за схемою з СЕ, зображеною нарис.2.20.Тут:
БЕ
UK-U
(2,19)
(2.20)
'.« = UKE = EK-IKRK. (2.21)
Рис. 2.20 - Схема вмикання транзистора з СЕ
Де Rp RK - базове та колекторне навантаження, UK£ - напруга між колек-*opOM та емітером, Ек - напруга джерела живлення.
Рівняння (2.21) характеризує зв'язок вихідної напруги з вхідним стру-[ і називається динамічною вихідною характеристикою транзисто-l або лінією навантаження.
зона насичення
активний режим
ІБЗ
Н
а
сім'ї вихідних статичних характеристик
побудуємо лінію навантаження,
як показано на рис.
2.21. Для цього розглянемо режими холостого
ходу (X.X.)
та короткого замикання
(K.3.).
Для режиму X.X.:
якщо lK= 0, то UKE = Ек .
Для режиму K.3.:
f якщо и.,ґ = 0, то /,.= ^- .
КЕ A p
^K
Ек UKE зона відтинання
Рис. 2.21 - Вихіднадинамічна характеристика транзистора
Точки перетину лінії навантаження з будь-якою BAX називаються робочими точками і відповідають певним значенням вихідного струму та вихідної напруги. Якщо, наприклад, І£= Іт, то цьому відповідає точка P, для якої ивш = UnK, Im = Іок .
Коли робоча точка лежить у межах відрізка аб, транзистор працює в активному (підсилювальному) режимі, де змінам вхідного сигналу відповідають пропорційні зміни вихідного.
Якщо робочу точку намагатися задати нижче точки б, транзистор переходить до режиму відтинанння, якому відповідає власне точка б (транзистор тут відтинає протікання струму у силовому колі).
Якщо ж робочу точку задавати вище точки a ~ транзистор знаходиться в режимі насичення, якому і відповідає точка а.
Взагалі режимом насичення називають такий режим, коли подальшому збільшенню вхідної дії не відповідає збільшення вихідної реакції, що досягла деякого значення.
У режимі насичення через транзистор протікає струм
(2.22)
Ікн —
ПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ ТА IX СТИСЛА ХАРАКТЕРИСТИКА
Для того щоб транзистор увійшов до режиму насичення, необхідно
забезпечити струм бази не менший за ІБН = .
P Ступінь насичення характеризується коефіцієнтом насичення
AO
ПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ ТА IX СТИСЛА ХАРАКТЕРИСТИКА
(2.23)
S - -— (S>l, тому що тут L>IKH).
Вактивному режимі S< 1.
До основних параметрів біполярних транзисторів належать:
- максимально допустимий струм колектора /А„ що становить (0,01-100)A;
-допустима робоча напруга UKE, що становить (20-1000) В;
-коефіцієнт передачі по струмуД=20+50;
-допустима потужність на колекторі Рк(якщо Рк< 0,3 Вт, то маємо транзистор малої потужності, якщо Рк= 0,3+1,5 Вт - середньої потуж-яості, якщо Ptf>l,5 Вт - великої потужності).