
- •Розділ 1
- •1.1. Напівпровідники. Загальні відомості
- •1.2. Фізичні основи роботи електронно-діркового переходу (p-n переходу)
- •Розділ 2
- •2.1. Класифікація напівпровідниковихприладів
- •2.2. Напівпровідникові резистори
- •2.3. Напівпровідниковідіоди
- •2.4. Біполярні транзистори
- •2.4.1. Побудова та принцип дГГтранзистора
- •2.4.4. Основні режими роботи біполярноготранзистора
- •2.4.5. Одноперехідний транзистор
- •2.5. Уніполярні (польові) транзистори
- •2.5.1. Загальні відомості
- •2.5.5. Біполярнітранзисторизізольованимзатвором (бтіз)
- •2.6.2.Триністор(керованийдіод)
- •2. Напівпровідниковіприлади та їх стисла характеристика
- •2 .6.3. Спеціальні типи тиристорів (симістор, фототиристор, двоопераційний тиристор, оптронний тиристор)
- •2. Напівпровідниковіприлади та їхстисла характеристика
- •2.6.4. Електростатичні тиристори
- •2.6.5. Запірний тиристор з мон-керуванням
- •Розділ 3
- •3.1. Загальні відомості про підсилювачі таїхкласифікація
- •3. Підсилювачі електричних сигналів
- •3.2. Основні параметри і характеристики підсилювачів
- •3.3. Принципи побудови підсилювачів
- •3.4. Основні режими (класи) роботи підсилювачів
- •3.5. Кола зміщення підсилюючих каскадів
- •3.6. Температурна стабілізація підсилювачів
- •3.7. Каскади попереднього підсилення
- •3.7.1. Каскад попереднього підсилення на біполярному транзисторі з се
- •3. Підсилювачі електричних сигналів
- •3.7.2. Підсилюючий каскад з ск (емітерний повторювач)
- •3.7.3. Підсилюючий каскад з сб
- •3.8. Каскади попереднього підсилення на польовихтранзисторах
- •3.8.1. Підсилюючий каскад з cb
- •3.8.2. Підсилюючий каскадзСс
- •3. Підсилювачі електричних сигналів
- •3.8.3. Зворотні зв'язки в підсилювачах
- •3. ПідСилювачі електричних сигналів
- •3.9. Багатокаскадні підсилювачі
- •3.9.1. Багатокаскадні підсилювачі з резистивно-ємнісними міжкаскадними зв'язками
- •3.9.2. Багатокаскадні підсилювачі зтрансформаторним зв'язком
- •3.9.3. Безтрансформаторні вихідні каскади підсилення
- •Розділ 4
- •4.1. Загальні відомості
- •4. Підсилюва 41 постійного струму
- •4.2. Підсилювач прямого підсилення
- •4. ПідСилювАчі постійного струму
- •4.3. Балансні ппс
- •4. ПідсилюваЧі пОстійного струму
- •4.4. Диференційний ппс
- •4.5. Підсилювачі з подвійним перетворенням
- •4. ПідсилюваЧі постійного струму
- •4.6.2. Інвертуючий підсилювач
- •4.6.3. Неінвертуючий підсилювач
- •4.6.4. Перетворювач струму в напругу
- •4.6.5. Інвертуючийсуматор
- •4.6.6. Неінвертуючийсуматор
- •4. Підсилювачі постійного струму
- •4.6.7. Інтегруючий підсилювач (інтегратор)
- •4.6.8. Диференціюючий підсилювач (диференціатор)
- •4.6.9. Компаратори (схеми порівняння)
- •4.6.11. Збільшення потужності вихідного сигналу оп
- •4.6.12. Прецизійний випрямляч
- •4. ПідСилювачі постійного струму
- •Розділ 5
- •5. Імпульсні пристрої
- •5.2. Електронні ключі та найпростіші схеми формування імпульсів
- •5. Імпульсні пристрої
- •5. Імпульсні пристрої
- •5.3. Мультивібратори
- •5.3.1. Загальні відомості
- •5.3.2. Мультивібратор з колекторно-базовими зв'язками в автоколивальному режимі
- •5. Імпульсні пристрої
- •5.3.3. Мультивібратор на оп
- •5.3.4. Одновібратор з колекторно-базовими зв'язками (чекаючий мультивібратор)
5.3.2. Мультивібратор з колекторно-базовими зв'язками в автоколивальному режимі
На транзисторах автоколивальний мультивібратор найчастіше бу-дують за симетричною схемою з колекторно-базовими зв'язками.
5
ІМПУЛЬСНІПРИСТРОІ
__.,.~rf»»w>»*'i««t«»«Miiii««|ii«w
Він складається з двох одинакових каскадів підсилення з СЕ. Для за-; безпечення додатнього зворотного зв'язку, за рахунок якого мультивіб- j раторсамозбуджується, вихіднанапруга кожногозкаскадів подаєтьсяі на вхід іншого. Схема такого мультивібратора зображена на рис. 5.9.1 j хоча зараз її практично не застосовують (бо використовують, в основ-1 ному, мультивібратори на IMC), вона якнайкраще підходить для здобут- ] тя навиків аншІізу роботи імпульсних пристроїв.
ІЯЄ7 , "||+ , |
Гіг |
' . І]_ т. ^—> |
VT2 и ^. Veux* |
Симетрія схеми] забезпечується тим, J що задають RKI=Rt T:aREI=R^(вони при- j значені для забезпе- j чення насиченого!
ють зв язок між кас- і кадами). Відповідно, { параметри транзис- ]
(УК2) стану транзисторів), 9 CBI = СБ2 (забезпечу-
Рис. 5.9 - Мультивібратор з колекторно-базовими зв'язками
торів повинні бути повністю ідентичні. I така ідеальна схема буде непрацездатною: обидва транзистори будуть відкриті. Неможливість реально забезпечити абсолютну симетрію і наявність додатнього зворотного зв'язку призводять до того, що після подачі напруги живлення один із транзисторів повністю відкривається, а другий - закривається.
Роботу мультивібратора ілюструють часові діаграми, наведені на рис.5.10.
Отже, мультивібратор має два квазісталих стани:
- транзистор VT1 відкритий, a VT2 закритий;
- транзистор VT2 відкритий, a VT1 закритий.
Уявимо, що початковий стан мультивібратора такий: К77відкритий (знаходиться у режимі насичення), a VT2 закритий (знаходиться у режимі відтинання). При цьому і надалі:
через VT1 і RKI від Ек протікає колекторний струм насичення Ік];
через REI і базо-емітерний перехід VT1 протікає струм бази /, який утримує VT1 в режимі насичення (маємо схему зміщення фіксо ваним струмом бази);
Рис. 5.10 - Часові діаграми роботи мультивібратора з колекторно-базовими зв'язками
конденсатор СБІ заряджається струмом Ihap від Ек через RK2 i базо-емітернийперехід VT1;
конденсатор C заряджений з вказаною на схемі полярністю до напруги, рівної Ек (у попередньому такті роботи схеми), і через VT1
5. ІМПУЛЬСНІ ПРИСТРОЇ
(замкнений ключ) підімкнений до нульової точки, за рахунок чого через нього протікає струм І2 з від Ек через R^; цей струм намагається перезарядити СБ2 від напруги - Ек до напруги +E^ при цьому від'ємна напруга з СБ2 подається на базу VT2 відносно його емітера і утримує транзистор в закритому стані (розімкнений ключ);
процес перезарядки конденсатора С£2 триває доти, доки напруга на ньому не перетне нульового рівня і не стане вищою за порогову напругу базо-емітерного переходу транзистора VT2 USEHac~0,6 B, після чого потече базовий струм VT2 і він почне відкриватися;
через VT2, що перейшов у активний режим, конденсатор СБ] об кладкою «+» підмикається до нульової точки і від'ємна напруга з СБ2 подається на базу VT1 відносно його емітера, закриваючи транзистор;
як тільки VT1 починає закриватися, збільшується додатня на пруга на його колекторі і починає заряджатися Сю від Ек через RKl i базо-емітерний перехід VT2, за рахунок чого останній відкривається ще більше-діє додатній зворотний зв'язок: розвивається лавиноподіб ний регенеративний процес, по закінченні якого VT1 повністю закри вається, a VT2 відкривається і мультивібратор переходить до свого другого квазісталого стану.
Далі процеси в схемі протікають аналогічно, тільки тепер заряджається СБ2, а перезаряджається СБ].
Таким чином, пристрій фактично працює за рахунок автоматичної комутації конденсаторів ключами-транзисторами.
Умовами працездатності мультивібратора є:
RK2 СБ1
RK1 СБ2
V'-V RK&>RE2- (5-15)
Тривалість імпульсів, що знімаються з колекторів транзисторів VT1
(5.16) (5.17)
Період надходження імпульсів T= tt+ t2. Для симетричної схеми T = 1,4R C,
Співвідношення величин tj і ^(щільність) можна змінювати, порушуючи симетрію схеми: наприклад, збільшуючи величину R£l i пропорційно зменшуючи величину R£2. При цьому тривалість періоду залишається незмінною.
Якщо змінювати величину тільки одного з резисторів або конденсаторів, то при постійній тривалості імпульсу (або паузи) будуть змінюватись період і шпаруватість.
Недоліком розглянутої схеми є значно спотворений передній фронт генерованих імпульхів (він являє собою експоненту). Це відбувається через те, що вихіднимсигналом пристрою є напруга, яка знімається з транзисторного ключа і під'єднаного паралельно до нього конденсатора - фактично це є напруга на конденсаторі, що заряджається.
Скоротити тривалість фронтів (час заряду конденсаторів) можна, наприклад, зменшивши величину колекторних резисторів RKJ і R^. Але це призведе до значних енергетичних втрат: через транзистори в режимі насичення буде протікати великий струм.
П M
|
VD1 И |
СЄ2 3Jt |
|
N' |
k II |
1

О
скільки
причиною спотворення є процес заряду
конденсаторів, то забезпечити
якість генерованих імпульсів можна,
відключаючи колектори
транзисторів від кіл заряду конденсаторів.
Для цього в схему мультивібратора
необхідно ввести допоміжні ключі -
наприклад, діоди VD1
і
VD2,
як
це показано на рис. 5.11. Для створення
кіл заряду конденсаторів
тут вве-денорезистори^і
Я2.Урезультаті,ді-одні
ключі відтинають кола заряду від
колекторів
на час заряду.
Тому такий мультивібратор називають
мультивібратором
з від- Рис.5.11 -Мультивібраторз відтинаючими
діодами тинаючими діодами. Перезаряджатися
конденсаторам діодні ключі не заважають.
Тепер довжина фронтів імпульсів
практично однакова і визначається
частотними властивостями транзисторів
і діодів, а також паразитними ємностями
схеми.