
- •Розділ 1
- •1.1. Напівпровідники. Загальні відомості
- •1.2. Фізичні основи роботи електронно-діркового переходу (p-n переходу)
- •Розділ 2
- •2.1. Класифікація напівпровідниковихприладів
- •2.2. Напівпровідникові резистори
- •2.3. Напівпровідниковідіоди
- •2.4. Біполярні транзистори
- •2.4.1. Побудова та принцип дГГтранзистора
- •2.4.4. Основні режими роботи біполярноготранзистора
- •2.4.5. Одноперехідний транзистор
- •2.5. Уніполярні (польові) транзистори
- •2.5.1. Загальні відомості
- •2.5.5. Біполярнітранзисторизізольованимзатвором (бтіз)
- •2.6.2.Триністор(керованийдіод)
- •2. Напівпровідниковіприлади та їх стисла характеристика
- •2 .6.3. Спеціальні типи тиристорів (симістор, фототиристор, двоопераційний тиристор, оптронний тиристор)
- •2. Напівпровідниковіприлади та їхстисла характеристика
- •2.6.4. Електростатичні тиристори
- •2.6.5. Запірний тиристор з мон-керуванням
- •Розділ 3
- •3.1. Загальні відомості про підсилювачі таїхкласифікація
- •3. Підсилювачі електричних сигналів
- •3.2. Основні параметри і характеристики підсилювачів
- •3.3. Принципи побудови підсилювачів
- •3.4. Основні режими (класи) роботи підсилювачів
- •3.5. Кола зміщення підсилюючих каскадів
- •3.6. Температурна стабілізація підсилювачів
- •3.7. Каскади попереднього підсилення
- •3.7.1. Каскад попереднього підсилення на біполярному транзисторі з се
- •3. Підсилювачі електричних сигналів
- •3.7.2. Підсилюючий каскад з ск (емітерний повторювач)
- •3.7.3. Підсилюючий каскад з сб
- •3.8. Каскади попереднього підсилення на польовихтранзисторах
- •3.8.1. Підсилюючий каскад з cb
- •3.8.2. Підсилюючий каскадзСс
- •3. Підсилювачі електричних сигналів
- •3.8.3. Зворотні зв'язки в підсилювачах
- •3. ПідСилювачі електричних сигналів
- •3.9. Багатокаскадні підсилювачі
- •3.9.1. Багатокаскадні підсилювачі з резистивно-ємнісними міжкаскадними зв'язками
- •3.9.2. Багатокаскадні підсилювачі зтрансформаторним зв'язком
- •3.9.3. Безтрансформаторні вихідні каскади підсилення
- •Розділ 4
- •4.1. Загальні відомості
- •4. Підсилюва 41 постійного струму
- •4.2. Підсилювач прямого підсилення
- •4. ПідСилювАчі постійного струму
- •4.3. Балансні ппс
- •4. ПідсилюваЧі пОстійного струму
- •4.4. Диференційний ппс
- •4.5. Підсилювачі з подвійним перетворенням
- •4. ПідсилюваЧі постійного струму
- •4.6.2. Інвертуючий підсилювач
- •4.6.3. Неінвертуючий підсилювач
- •4.6.4. Перетворювач струму в напругу
- •4.6.5. Інвертуючийсуматор
- •4.6.6. Неінвертуючийсуматор
- •4. Підсилювачі постійного струму
- •4.6.7. Інтегруючий підсилювач (інтегратор)
- •4.6.8. Диференціюючий підсилювач (диференціатор)
- •4.6.9. Компаратори (схеми порівняння)
- •4.6.11. Збільшення потужності вихідного сигналу оп
- •4.6.12. Прецизійний випрямляч
- •4. ПідСилювачі постійного струму
- •Розділ 5
- •5. Імпульсні пристрої
- •5.2. Електронні ключі та найпростіші схеми формування імпульсів
- •5. Імпульсні пристрої
- •5. Імпульсні пристрої
- •5.3. Мультивібратори
- •5.3.1. Загальні відомості
- •5.3.2. Мультивібратор з колекторно-базовими зв'язками в автоколивальному режимі
- •5. Імпульсні пристрої
- •5.3.3. Мультивібратор на оп
- •5.3.4. Одновібратор з колекторно-базовими зв'язками (чекаючий мультивібратор)
3.7. Каскади попереднього підсилення
3.7.1. Каскад попереднього підсилення на біполярному транзисторі з се
VT1
Найбільш розповсюджена схема каскаду попереднього підсилення на біполярному транзисторі з СЕ наведена на рис. 3.13.
(2) _L (4)
Рис. 3.13 - Каскадпопереднього підсилення на біполярномутранзисторі з СЕ
Розглянемо склад схеми та призначення елементів.
VT1 - біполярний транзистор - підсилюючий елемент.
RH - навантаження, на якому виділяється підсилений сигнал.
RK - колекторне навантаження транзистора за постійним струмом.
Ек - джерело живлення.
Зазначимо: VT1 разом із RK і Ек утворюють головне коло підсилювача, в якому здійснюється підсилення сигналу. Решта елементів схеми виконують допоміжну роль.
Так, дільник напруги R:,R2 задає режим спокою класу А, подаючи на вхід каскаду постійну напругу U .
R£, CE - забезпечують температурну стабілізацію режиму спокою.
3. Підсилювачі електричних сигналів
C , С2-розділяючі конденсатори: Ct виключає потрапляння постійної напруги Ud на джерело вхідного сигналу; С,виключає потрапляння постійної напруги на колекторі UOK на навантаження (конденсатори розділяють ланцюги за постійним струмом).
Вхідний сигнал, що підлягає підсиленню, подається на клеми (l)-(2): е - джерело вхідного сигналу; Rdx - його внутрішній опір.
Для цієї схеми необхідно дотримуватись таких співвідношень:
1
-<<R,
«R;
w«C£
де сон - нижня грань діапазону частот підсилюваного сигналу. Навантаження каскаду за змінним струмом
(3.11)
Я..=-
RH+RK
Роботу каскаду ілюструють часові діаграми, наведені на рис. 3.14.
Можна бачити, що, наприклад, при додатній півхвилі вхідної напруги із зростанням базового струму іБ зростає і колекторний струм i^ якийу^ разів більший за іе При цьому колекторна напруга мА, яка дорівнює різниці між Ек і спадом напруги на R^ знижується: у даній схемі поряд з підсиленням сигналу має місце зміна його фази на 180 ел. град, (інверсія).
Такий підсилювач можна розрахувати аналітично за допомогою h-параметрів або на підставі фізичної моделі транзистора. Такий метод прийнятний за невеликих змін вхідного сигналу, тобто коли транзистор працює на лінійних ділянках BAX.
Більш універсальним є графоаналітичний метод розрахунку, який проводиться по вихідній динамічній характеристиці транзистора за постійним струмом. Крім того, використовуються вихідні статичні характеристики транзистора.
3. Підсилювачі електричних сигналів
Рис. 3.14-Часовідіаграми роботи каскадупідсиленнязСЕ
На рис. 3.15,a зображено вхідну характеристику транзистора, на рис. З.15,б-вихідні статичніхарактеристики, наякихбудуєтьсялінія навантаження за постійним струмом. Вона і е вихідною динамічною характеристикою за постійним струмом:
UKE=EK-IK(RK+RE} (3.12)
Будується лінія навантаження за двома точками, що відповідають:
режиму X.X. транзистора - UKE - Ек при Ік = 0,
режиму K.3. транзистора - /А.= Ек/( RK+ RE) при UKE = 0.
аб - лінія навантаження за постійним струмом. За її допомогою знаходять положення точки спокою P, яка для режиму класу А має лежати посередині відрізка яб. Із вхідної характеристики знаходимо значення UOE. Тобто за допомогою лінії навантаження за постійним струмом, вхідної та вихідної характеристик транзистора знаходимо параметри, що характеризують транзистор за постійним струмом при Ue = 0. Знаючи Uoe> можна розрахувати параметри дільника напруги Rp Ry.
Щоб знайти вихідні параметри каскаду, необхідно використати лінію навантаження за змінним струмом.
Виходячи з того, що
iK=IOK+ImsmW, (3.13)
(3.14) (3.15)
(3.16)
(3.17)
ик =
Um = I,,,R,,,
т _ К
*m ~
з виразу (3 . 1 3 ) знаходимо
sincof У вираз (3.14) підставимо (3.15) і (3.16). Одержимо
Це і c вихідна динамічна характеристика транзистора за змінним струмом.
За умови: uL, - U^L. маємо i., = /,,,.
J л ил л ил
За цими точками будуємо лінію вг, яка й характеризує роботу каскаду за змінним струмом.
Визначимо основні параметри каскаду. 1. Коефіцієнт підсилення за струмом
'нт 'rn^K О Кк
(3.18)
к,=
(3.19)
2. Коефіцієнт підсилення за напругою
11 f R
U «хт * Бт**• вх
З.Вхіднийопір
n _ "ас
(3.20)
Квх — -— •
Якщо вважати і=ІВ (без врахування дільника Rr R
n ^Bm
Наявність дільника Rr R, знижує вхідний опір. Зверніть увагу: відносно вхідного сигналу змінного струму резистори Rt і Я, виявляються увімкненими паралельно: від едж струм тече не тільки через R, (що очевидно), а й через Rt і далі через Ек (з опором, що дорівнює нулю - джерело напруги).
4. Вихідний опір каскаду R^ = RK, оскільки опір транзистора з боку колектора нескінченний феально - сотні кілоом), як у джерела струму (див. розділ 2.4).
Обмеження, яких необхідно дотримуватись при розрахунку каскаду:
l)/^=(l,05H-l,2)/_;
2) (Іок + 1 )< Ік (максимально допустимого струму транзистора);
(UOK+Um)< UKmiK (максимально допустимої робочої напруги);
Рк= IQKUOK< Pdon (допустимої потужності).
Каскади з СЕ зручно сполучаються один з одним, оскільки їх вхідний і вихідний опори досить близькі.