1. Вимірювання часу затримки

Рисунок 5.1 — Вимірювання часу затримки t_зт¹⁰ (при 10рF)

Рисунок 5.2 — Вимірювання часу затримки t_зт⁰¹ (при 10рF)

Рисунок 5.3 — Вимірювання часу затримки t_зт¹⁰ (при 20рF)

Рисунок 5.4 – Вимірювання часу затримки t_зт⁰¹ (при 20рF)

6. Висновок

Було вивчено теоретичні відомості, що були необхідні для виконання завдань до лабораторної роботи. Були отримані елементарні навички з побудови різноманітних видів ключових схем і досліджено їх статичні та динамічні характеристики за допомогою програми “Electronics Workbench”.

7. Контрольні запитання

1. В чім полягає призначення ключових схем у схемотехніці цифрових пристроїв?

Ключова схема дозволяє формувати два стани, що потрібно для фізичної реалізації сигналу двійкових кодів

2. Якому значенню дорівнює напруга на виході ключової схеми на біполярному транзисторі, якщо транзистор знаходиться в режимі насичення?

Вихідна напруга близька до нульової.

3. Якими засобами можна зменшити час переключення ключових схем на біполярних транзисторах?

За допомогою з звичайного діода або діода Шоткі .

4. Як впливає ємність навантаження на час переключення схеми?

При збільшені ємності навантаження збільшується час переключення схеми.

5. Перерахуйте статичні та динамічні параметри електронного ключа.

Статичні: Uп^,, Uп^,, U1, U0;

Динамічні: t_зт¹⁰, t_зт⁰¹.