- •Отчет о выполнении лабораторной работы №1: «Изучение методов формирования тонких пленок»
- •1)Критерии выбора метода изготовления тонкопленочных структур
- •2)Термовакуумное распыление
- •3)Катодное и ионно-плазменное распыление
- •Катодное распыление
- •4)Конденсация испарения пара на подложке
- •Отчет о выполнении лабораторной работы №2: «Изучение методов контроля параметров пленок»
- •1)Методы измерения и контроля параметров тонких пленок
- •2)Оборудование для промышленного изготовления тонких пленок
- •Отчет о выполнении лабораторной работы №3: «Исследование свойств тонких пленок»
- •1)Причины различия свойств тонких пленок и массивного образца
- •Отчет о выполнении лабораторной работы №4: «Изучение методов формирования конфигурации элементов с применением процессов литографии»
- •1) Фотолитография
- •2)Электронно-лучевая литография
- •3)Рентгеновская литография
- •4)Ионно-лучевая литография
4)Ионно-лучевая литография
Формирование рисунка на кремниевой пластине Возможно также при помощи ионных пучков. Преимуществами этого метода являются меньшее рассеивание ионов вследствие их массы и большее разрешение по сравнению с электроннолучевой литографией ввиду отсутствия эффекта близости. Ионно-лучевая литография применяется как для непосредственного нанесения рисунка на пластину, так и для изготовления шаблонов. Формирование рисунка также возможно с помощью радикального повреждения окиси кремния SiO2 ионами водорода и гелия. Повреждения участков пластины, вызванные ионным пучком, ускоряют последующие процессы травления или распыления. Использование тонких сфокусированных ионных пучков позволяет изменять электрические и механические свойства полупроводниковых материалов при имплантации, непосредственно формировать рисунки на тонких металлических слоях. Этот метод применим и для изготовления шаблонов методом мультиплицирования в масштабе 1 : 1 для рентгеновской литографии. Единственным сдерживающим фактором широкого применения метода ионно-лучевой литографии в настоящее время является слабая интенсивность ионных источников, что сказывается на производительности метода.
Тенденции развития процесса литографии и основные ограничения в уменьшении предельных размеров И С
Существуют две основные причины сдерживания степени интеграции ИС: имеющиеся возможности получения требуемых размеров элементов схем и физические принципы работы приборов. Основные ограничения литографических методов определяются точностью изготовления шаблонов и травления рисунка элементов ИС.