Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
схемотехника 1 вариант.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
1.52 Mб
Скачать

2 Выбор режима работы транзистора

Необходимо выбрать режим работы транзистора из условия обеспечения максимальной амплитуды выходного напряжения. Для этого построим нагрузочную прямую по двум точкам (0,Е/(Rk+Rэ)) и (Е,0), как показано на рисунке 3.

  1. При токе коллектора Iк=0 напряжение на коллекторе будет равно напряжению источника питания Uкэ= Eп = 12 В.

  2. Определим сопротивление в цепи эмиттера из соотношения (1):

RЭ = 0,2 Rк (1)

RЭ = 0,2·2200 = 440 Ом

Выберем RЭ по ряду Е24 равным 430 Ом.

При Uкэ=0 ток коллектора будет равен :

Рисунок 3 – Выбор рабочей точки на семействе выходных характеристик.

По формуле 2 рассчитаем напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке

UКЭ рт.

Сдвинем рабочую точку, чтобы попасть на характеристику семейства.

UКЭ рт = 4,2 В

IК рт = 3 мА

Определим входные характеристики рабочей точки. Для выбранной рабочей точки IБ рт= 0,0375 мА

Рисунок 4 – входные характеристики транзистора КТ301Е.

Получили напряжение база-эмиттер UБЭ рт = 0,6 В Полученные значения сведем в таблицу 2.

Таблица 2 – Результаты расчетов.

UКЭ рт

IК рт

IБ рт

UБЭ рт

4,2 В

3 мА

0,0375 мА

0,6 В

3 Расчет делителя в цепи базы

Рассчитаем сопротивления делителя RБ1,RБ2 в цепи базы. Чем больше будет сквозной ток делителя IД = E/(RБ1 + RБ2), тем стабильнее будет режим работы. На практике сквозной ток делителя выбирают из условия (3):

IД = (3÷10) IБ рт. (3)

IД =0,0375·10=0,375 мА

Рассчитаем сопротивление резистора RБ2 согласно закону Ома (4):

, (4)

для чего определим напряжение URэ по формуле (5):

URэ = IЭ рт RЭ = (IК рт + IБ рт) RЭ (5)

URэ = (3·10-3+0,0375·10-3)·430=1,451 В

Подставив результаты в формулу (4) вычислим RБ2:

Из ряда Е24 выбираем номинальное значения сопротивления равное RБ2= 5,6 кОм.

Пересчитаем сквозной ток по формуле (6):

Тогда сопротивление резистора RБ1 (7)

Из ряда Е24 выбираем подходящие значения сопротивления равное

= 24 кОм.

Полученные значения сведем в таблицу 3.

Таблица 3 – Результаты расчетов

Iд

I*д

RБ1

RБ2

URэ

0,375 мА

0,366 мА

24 кОм

5,6 кОм

1,451 В

4 Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам

По статическим характеристикам транзистора можно определить три из четырех h-параметров: входное сопротивление h11Э, статический коэффициент передачи тока базы транзистора h21Э и выходную проводимость h22Э.

Входное сопротивление (формула 8) при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (UКЭ = const) определим по входным характеристикам транзистора. Для этого зададим приращение напряжения база-эмиттер ΔUБЭ симметрично относительно рабочей точки и определим соответствующее приращение тока базы ΔIБ (рисунок 5).

Рисунок 5 – приращение тока базы и напряжения база-эмиттер

Статический коэффициент передачи тока базы транзистора (формула 9) при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (UКЭ = const) определим по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра h21Э  зададим приращение тока базы ΔIБ и определим соответствующее приращение тока коллектора ΔIК (рисунок 6).

Рисунок 6 – приращение тока коллектора и тока базы

Выходную проводимость (формула 10) в режиме холостого хода на входе транзистора (IБ = const) определим также как и параметр h21Э по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра h22Э  зададим приращение напряжения коллектор-эмиттер ΔUКЭ и определим соответствующее приращение тока коллектора ΔIК (рисунок 7). Условию IБ = const будут отвечать точки, лежащие на выходной характеристике, проходящей через рабочую точку транзистора. Поскольку выходные характеристики линейны в широком диапазоне напряжений, то приращение ΔUКЭ может быть достаточно большим, при этом его симметричность относительно рабочей точки не имеет значения.

Рисунок 7 – приращение тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер

Четвертый параметр – коэффициент обратной связи по напряжению h12Э по приводимым в справочниках статическим характеристикам определить невозможно. У маломощных транзисторов коэффициент обратной связи по напряжению h12Э = (1÷10)·10–4.

Полученные значения сведем в таблицу 4.

Таблица 4 – Значения h-параметров

H11э

H12э

H21э

H22э

444,4 Ом

(1÷10)·10–4

90

4,3·10-4 См