
- •Расчёт усилителей на биполярных транзисторах
- •Содержание
- •Приложение 1. Принципиальная схема 30 Приложение 2. Перечень элементов 31 Введение
- •1 Исходные данные
- •2 Выбор режима работы транзистора
- •3 Расчет делителя в цепи базы
- •4 Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам
- •5 Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора
- •6 Расчёт основных параметров каскада
- •7 Оценка нелинейных искажений каскада
- •8 Выбор резисторов и конденсаторов
- •Заключение
- •Список литературы
2 Выбор режима работы транзистора
Необходимо выбрать режим работы транзистора из условия обеспечения максимальной амплитуды выходного напряжения. Для этого построим нагрузочную прямую по двум точкам (0,Е/(Rk+Rэ)) и (Е,0), как показано на рисунке 3.
При токе коллектора Iк=0 напряжение на коллекторе будет равно напряжению источника питания Uкэ= Eп = 12 В.
Определим сопротивление в цепи эмиттера из соотношения (1):
RЭ = 0,2 Rк (1)
RЭ = 0,2·2200 = 440 Ом
Выберем RЭ по ряду Е24 равным 430 Ом.
При Uкэ=0 ток коллектора будет равен :
Рисунок 3 – Выбор рабочей точки на семействе выходных характеристик.
По формуле 2 рассчитаем напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке
UКЭ рт.
Сдвинем рабочую точку, чтобы попасть на характеристику семейства.
UКЭ рт = 4,2 В
IК рт = 3 мА
Определим входные характеристики рабочей точки. Для выбранной рабочей точки IБ рт= 0,0375 мА
Рисунок 4 – входные характеристики транзистора КТ301Е.
Получили напряжение база-эмиттер UБЭ рт = 0,6 В Полученные значения сведем в таблицу 2.
Таблица 2 – Результаты расчетов.
UКЭ рт |
IК рт |
IБ рт |
UБЭ рт |
4,2 В |
3 мА |
0,0375 мА |
0,6 В |
3 Расчет делителя в цепи базы
Рассчитаем сопротивления делителя RБ1,RБ2 в цепи базы. Чем больше будет сквозной ток делителя IД = E/(RБ1 + RБ2), тем стабильнее будет режим работы. На практике сквозной ток делителя выбирают из условия (3):
IД = (3÷10) IБ рт. (3)
IД =0,0375·10=0,375 мА
Рассчитаем сопротивление резистора RБ2 согласно закону Ома (4):
,
(4)
для чего определим напряжение URэ по формуле (5):
URэ = IЭ рт RЭ = (IК рт + IБ рт) RЭ (5)
URэ = (3·10-3+0,0375·10-3)·430=1,451 В
Подставив результаты в формулу (4) вычислим RБ2:
Из ряда Е24 выбираем номинальное значения сопротивления равное RБ2= 5,6 кОм.
Пересчитаем сквозной ток по формуле (6):
Тогда сопротивление резистора RБ1 (7)
Из ряда Е24 выбираем подходящие значения сопротивления равное
=
24 кОм.
Полученные значения сведем в таблицу 3.
Таблица 3 – Результаты расчетов
Iд |
I*д |
RБ1 |
RБ2 |
URэ |
0,375 мА |
0,366 мА |
24 кОм |
5,6 кОм |
1,451 В |
4 Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам
По статическим характеристикам транзистора можно определить три из четырех h-параметров: входное сопротивление h11Э, статический коэффициент передачи тока базы транзистора h21Э и выходную проводимость h22Э.
Входное сопротивление (формула 8) при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (UКЭ = const) определим по входным характеристикам транзистора. Для этого зададим приращение напряжения база-эмиттер ΔUБЭ симметрично относительно рабочей точки и определим соответствующее приращение тока базы ΔIБ (рисунок 5).
Рисунок 5 – приращение тока базы и напряжения база-эмиттер
Статический коэффициент передачи тока базы транзистора (формула 9) при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (UКЭ = const) определим по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра h21Э зададим приращение тока базы ΔIБ и определим соответствующее приращение тока коллектора ΔIК (рисунок 6).
Рисунок 6 – приращение тока коллектора и тока базы
Выходную проводимость (формула 10) в режиме холостого хода на входе транзистора (IБ = const) определим также как и параметр h21Э по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра h22Э зададим приращение напряжения коллектор-эмиттер ΔUКЭ и определим соответствующее приращение тока коллектора ΔIК (рисунок 7). Условию IБ = const будут отвечать точки, лежащие на выходной характеристике, проходящей через рабочую точку транзистора. Поскольку выходные характеристики линейны в широком диапазоне напряжений, то приращение ΔUКЭ может быть достаточно большим, при этом его симметричность относительно рабочей точки не имеет значения.
Рисунок 7 – приращение тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер
Четвертый параметр – коэффициент обратной связи по напряжению h12Э по приводимым в справочниках статическим характеристикам определить невозможно. У маломощных транзисторов коэффициент обратной связи по напряжению h12Э = (1÷10)·10–4.
Полученные значения сведем в таблицу 4.
Таблица 4 – Значения h-параметров
H11э |
H12э |
H21э |
H22э |
444,4 Ом |
(1÷10)·10–4 |
90 |
4,3·10-4 См |