4.2. Исследование параметров к1533лн1.
4.2.1. Передаточная характеристика. Из каталога «Интегральные Схемы» программы EWB откройте файл «ИС K1533.ewb». Сохраните его в рабочую папку своей подгруппы. Используя библиотеку Favorites, выберите из предлагаемого перечня схему K1533LN1.
Соберите схему исследования, показанную на рисунке 8 а. Воспользовавшись режимом Analysis>DC Sweep (рисунок 8 б), постройте статическую передаточную характеристику логического элемента (рисунок 8 в). Зарисуйте график в отчет.
Определите с помощью визирных линий уровни U1ВЫХ MIN U0ВЫХ MAX, соответствующие выходному напряжению ИМС, и пороговое напряжение UПОР. Измерьте входные напряжения U0ВХ MAX, U1ВХ MIN, при которых микросхема переходит в усилительный режим. Запишите результаты измерений в отчет.
Подключите к выходу ИМС подтягивающий резистор сопротивлением 1 кОм, постройте передаточную характеристику и повторите измерения.
Сравните полученные результаты с результатами исследования ИМС К555ЛН1. Сделайте выводы.
а) б) в)
Рисунок 8 – Исследование статической передаточной характеристики ИМС К1533ЛН1
4.2.2. Нагрузочная способность. Установите значение сопротивления нагрузки 100 Ом (рисунок 9 а) и, воспользовавшись режимом Analysis>Parameter Sweep… (рисунок 9 б), постройте зависимость выходного напряжения от сопротивления нагрузки (рисунок 9 в). Зарисуйте график в отчет.
а) б) в)
Рисунок 9 – Исследование нагрузочной способности ИМС
Определите с помощью визирных линий значение сопротивления RН MIN, при минимальном напряжении U1ВЫХ. Рассчитайте значение тока I1ВЫХ MAX
Сравните полученные результаты с результатами исследования ИМС К555ЛН1. Сделайте выводы.
4.2.3. Динамические параметры. Соберите схему исследования, показанную на рисунке 10.
Подайте на вход микросхемы импульсы прямоугольной формы и с помощью режима Analysis<Transient получите временные диаграммы входного и выходного напряжений. Зарисуйте графики в отчет. С помощью визирных линий измерьте среднее время задержки распространения сигнала tЗДР.СР и время переключения микросхемы t01 и t10.
Рисунок 10 – Исследование динамических параметров ИМС К1533ЛН1
Подключите предельно допустимую ёмкость нагрузки и повторите эксперимент. Зарисуйте временные диаграммы. С помощью визирных линий измерьте динамические параметры и запишите результаты измерений в отчет.
Сравните полученные результаты с результатами исследования ИМС К555ЛН1. Сделайте выводы.
4.3.Исследование параметров к1554лн1.
4.3.1. Передаточная характеристика. Из каталога «Интегральные Схемы» программы EWB откройте файл «ИС K1554.ewb». Сохраните его в рабочую папку своей подгруппы. Используя библиотеку Favorites, выберите из предлагаемого перечня схему K1554LN1.
Соберите схему исследования, показанную на рисунке 11 а. Воспользовавшись режимом Analysis>DC Sweep (рисунок 11 б), постройте статическую передаточную характеристику логического элемента (рисунок 11 в). Зарисуйте графики в отчет.
Определите с помощью визирных линий уровни U1ВЫХ MIN U0ВЫХ MAX и пороговые напряжения UПОР, соответствующие разным напряжениям питания ИМС. Запишите результаты измерений в отчет.
Сравните полученные результаты с результатами исследования ИМС К555ЛН1. Сделайте выводы.
а) б) в)
Рисунок 11 – Исследование статических передаточных характеристик ИМС К1554ЛН1
4.3.2. Динамические параметры. Соберите схему исследования, показанную на рисунке 12.
Подайте на вход микросхемы импульсы прямоугольной формы и с помощью режима Analysis<Transient получите временные диаграммы входного и выходного напряжений. Зарисуйте графики в отчет. С помощью визирных линий измерьте среднее время задержки распространения сигнала tЗДР.СР и время переключения микросхемы t01 и t10.
Рисунок 12 – Исследование динамических параметров ИМС К1554ЛН1
Подключите предельно допустимую ёмкость нагрузки и повторите эксперимент. Зарисуйте временные диаграммы. С помощью визирных линий измерьте динамические параметры и запишите результаты измерений в отчет.
Сравните полученные результаты с результатами исследования ИМС К555ЛН1. Сделайте выводы.