Министерство науки и образования Российской Федерации

ФГБОУ ВПО «Тульский государственный университет»

Институт высокоточных систем им. В.П. Грязева

КАФЕДРА РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

методические указания

к практическим занятиям

по дисциплине

«ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ»

Специальность подготовки:

210601 Радиоэлектронные системы и устройства

Форма обучения очная

Тула 2012

Методические указания разработаны профессором кафедры радиоэлектроники, д.т.н. Макарецким Е.А. и обсуждены на заседании кафедры «Радиоэлектроника» факультета САУ ИВТС им. В.П. Грязева,

протокол №_8_ от “_18_” _января_______ 2012 г.

Зав. кафедрой РЭ______________________Н.А.Зайцев

Методические указания пересмотрены и утверждены на заседании кафедры «Радиоэлектроника» факультета САУ ИВТС им. В.П. Грязева,

протокол №___ от “__” ____________________________ 200___ г.

Зав. кафедрой РЭ______________________

1. Цели и задачи практических занятий и их место в учебном процессе

Опыт проведения практических занятий показывает, что решение различных инженерных задач, ознакомление с примерами расчета реаль­ных схем, а также самостоятельное выполнение домашних заданий зна­чительно облегчает изучение курса "Основы микроэлектроники". Практические занятия помогают студентам уяснить суть физичес­ких явлений, прививают навыки применения теоретических знаний на практике.

При проведении практических занятий большое внимание уделяется временным и спектральным характеристикам различных сигналов, а так­же основным характеристикам различных радиотехнических цепей и уме­нию проанализировать взаимодействие сигналов с линейными, нелиней­ными и параметрическими радиотехническими цепями.

Аудиторные практические занятия проводятся в течение 5 и 6 се­местров по 17 часов в каждом. Самостоятельная работа студентов сос­тавляет по 8 часов в 5 и 6 семестре. Для изучения всех плановых тем практических занятий необхо­димо использовать литературные источники, приведенные в библиографическом описке.

В результате проведения практических занятий под руководством преподавателя и самостоятельного решения задач и упражнений вне ау­дитории студенты должны:

знать:

- физические принципы функционирования изделий микроэлектроники и наноэлектроники;

–технологические методы производства перспективных изделий микроэлектроники и наноэлек-троники;

– физические ограничения и особенности применения микроэлектронных изделий;

– особенности конструкций изделий микроэлектроники и наноэлектроники;

уметь:

– использовать современные принципы проектирования радиоэлектронных систем и комплек-сов на основе передовых микроэлектронных технологий;

– применять современные методы проектирования радиоэлектронных систем и комплексов на основе передовой компонентной базы.

владеть:

– современными принципами проектирования радиоэлектронных систем и комплексов на основе передовых микроэлектронных технологий;;

– современными методами проектирования радиоэлектронных систем и комплексов на основе передовой компонентной базы.

2. План практических занятий

N пр. зан.	Наименование практи­ческого занятия	Количество часов ауд. занятий					Bнеауд. СРС
		Все­го	Конт­роль подго­товки	Решение типовых задач	CРC под РП	Под-вед. ито­гов
1	Расчёт плёночных резисторов тонкоплёночных элементов ГИС	2	0,2	0,8	0,8	0,2	1
2	Расчёт плёночных конденсаторов тонкоплёночных элементов ГИС	2 2	0,2	0,8	0,8	0,2	1
3	Проектирование тонкоплёночных гибридных ИС	2 2	0,2	0,8	0,8	0,2	1
4	Расчёт плёночных резисторов толстоплёночных элементов ГИС	2	0,2	0,8	0.8	0,2	1
5	Расчёт плёночных конденсаторов толстоплёночных элементов ГИС	2	0,2	0.8	0,8	0,2	1
6	Проектирование толстоплёночных гибридных ИС	2 2	0,2	0.8	0.8	0.2	1
7	Изучение методов изоляции полупроводниковых ИМС	2	0,2	0,8	0.8	0,2	1
8	Расчёт и проектирование пассивных элементов полупроводниковых ИС	2 2	0,2	0,8	0,8	0,2	1
9	Расчёт и проектирование биполярных транзисторов полупроводниковых ИС	2	0,2	0,8	0,8	0,2	1
10	Расчёт и проектирование полевых транзисторов полупроводниковых ИС	2
11	Расчёт и проектирование полевых транзисторов с изолированным затвором полупроводниковых ИС	2
12	Изучение конструкций СВЧ транзисторов	2