- Отсутствие жидких травлений; возможность обработки диэлектрических материалов.

- применение жидких травлений.

- применение твердых материалов, возможность обработки диэлектрических подложек.

116. При плазмохимическом методе обработки подложек:

- протекает процесс замещения поверхностного слоя.

- происходит процесс роста поверхностного слоя.

- протекает процесс реактивного травления материала подложки.

117. Назовите виды изоляции между элементами ИС

- изоляция p-n переходами, комбинированная изоляция, диффузионная

- изоляция диэлектрическая, p-n переходами, комбинированная

- комбинированная, диэлектрическая, совмещенная

118. Чем определяется точность воспроизведения сопротивления полупроводникового резистора?

- точностью изготовления фотошаблона и резистивной маски, точностью процесса травления, точностью распределения примеси

- точностью фотошаблона, диффузии, эпитаксии, металлизации

- точностью распределения примесей, толщиной базы, эпитаксией

119. При работе резистора в широком диапазоне частот многослойную структуру резистора рассматривают:

- как набор последовательных конденсаторов

- как структуру с распределенным сопротивлением

- как RC-структуру с распределенными параметрами

120. Предельная частота полупроводниковых резисторов:

- до 10 МГц

- до 100 МГц

- до 1 МГц

121. В полупроводниковых ИС применяют следующие конструктивно-технологические разновидности конденсаторов:

- конденсаторы на основе p-n переходов, тонкопленочные конденсаторы со структурой металл – диэлектрик – полупроводник (МДП), тонкопленочные конденсаторы со структурой металл – диэлектрик – металл (МДМ)

- конденсаторы на основе p-n переходов, конденсаторы на основе пленочных структур, конденсаторы толстопленочные

- конденсаторы толстопленочные, конденсаторы керамические, конденсаторы электролитические

122. Чем определяется точность воспроизведения сопротивления полупроводникового резистора?

- точностью изготовления фотошаблона и резистивной маски, точностью процесса травления, точностью распределения примеси

- точностью фотошаблона, диффузии, эпитаксии, металлизации

- точностью распределения примесей, толщиной базы, эпитаксией

123. Какие материалы применяют в качестве проводников в полупроводниковых ИС?

- алюминий, многослойные проводники, тройные системы

- алюминий, хром, тантал, молибден, медь, золото

- алюминий, хром, тантал, серебро, олово

124. Основными причинами отказов элементов гибридных интегральных схем являются:

- отказы механические, электрические, восстанавливаемые

- недостаточно качество техпроцессов, вибрации, удары

- недостаточное качество техпроцессов, деградация структур конструкции

125. Где формируются полупроводниковые элементы ИС?

- на поверхности полупроводника

- в эпитаксиальном слое

- в приповерхностном слое

126. Достоинство изоляции элементов ИС p-n переходов является:

- простота технологической реализации

- емкости p-n перехода

- сопротивления утечки от сопротивления

127. Комбинированная изоляция элементов в полупроводниковых схемах

- уменьшает токи утечки, увеличивает емкости изолированных областей

- уменьшает паразитные емкости изолированных областей на подложку и токи утечки по сравнению с изоляцией p-n переходом

- уменьшает сопротивление утечки и обратные токи перехода

128. Какие вещества называют фоторезистами?

- вещества, меняющие свою электропроводность под действием актиничного излучения

- светочувствительные вещества, изменяющие свои свойства под действием актиничного света и, прежде всего растворимость

- светочувствительные вещества, изменяющие под действием света механические свойства

129. Какие бывают фоторезисты?

- высокоомные и низкоомные

- высокоомные и высокоточные

- позитивные и негативные

130. Назовите основные свойства фоторезистов

- светочувствительность, кислотостойкость, электропроводность, адгезия к подложке

- разрешающая способность, светочувствительность, кислотостойкость, адгезия к подложке

- разрешающая способность, светочувствительность, механическая прочность, теплостойкость, кислотостойкость,

131. Разрешающая способность фоторезиста это:

- число различимых линий на поверхности подложки

- минимальная ширина линии на поверхности подложки

- число различимых линий, равной толщины, которые без слияния могут быть получены на 1 мм поверхности пластины

132. Какую фотолитографию называют контактной?

- это фотолитография через маску

- это фотолитография через фотошаблон в контакте с подложкой

- это фотолитография через пленку на фоторезист

133. Как наносят фоторезист на подложку?

- центрифугированием, распылением, окунанием, поливом

- центрифугированием, химическим осаждением, распылением

- распылением, центрифугированием, вакуумным распылением, химическим осаждением

134. Самая высокая разрешающая способность характерна для:

- контактной фотолитографии

- для оптической фотолитографии

- для рентгенолитографии

135. Какие виды диффузантов вы знаете?

- газовые, жидкие, твердые

- газовые, твердые, составные

- составные, сплавные, газовые

136. Ионная имплантация это:

- внедрение ионов примеси в структуру полупроводника

- внедрение ионов полупроводника в подложку

- внедрение ионов примеси в p-n переход

137. Назовите основные разновидности сварки для присоединения электрических выводов к омическим контактам кристаллов

- термокомпрессия, электроконтактная, комбинированная

- электроконтактная, точечная, дуговая

- термокомпрессия, электроконтактная, ультразвуковая

138. Холодная сварка – это сварка:

- при низких температурах

- под давлением

- термокомпрессия

139. Чем определяется нестабильность конденсаторов на основе p-n переходов?

- полупроводниковым материалом, площадью обкладок, диэлектрической проницаемостью

- контактной разностью потенциалов, площадью обкладок

- контактной разностью потенциалов, диэлектрической проницаемостью полупроводника.

140. Условия возникновения диффузии примесей

- температура, концентрация примесей

- температура, градиент концентрации примесей

- примеси, неоднородности полупроводника

141. Какие виды диффузантов вы знаете?

- газовые, жидкие, твердые

- газовые, твердые, составные

- составные, сплавные, газовые

142. Линия ликвидуса на диаграмме состояний определяет:

- области начала кристаллизации сплавов при охлаждении

- области начала плавления сплавов при нагреве

- области кристаллизации сплавов

143. Линия солидуса определяет:

- начало области кристаллизации сплава при охлаждении

- начало области плавления сплава при нагреве

- начало диффузии примеси в полупроводник

144. Назовите достоинства электронной литографии

- отсутствие дифракции и, значит, более высокая чёткость, более высокая, чем у оптических систем глубина резкости.

- более высокая глубина резкости и чйткости

- более высокая точность и чёткость

145. Назовите принципиальные ограничения традиционной полупроводниковой технологии.

- ограничения, обусловленные законами физики твердого тела и барьером межсоединений.

- ограничение топологических норм менее0,1 мкм.

- архитектура квантовых приборов не предусматривает межсоединений.

146. Что такое мезоскопия?

- область микроэлектроники с размерами приборов до десятков мкм.

- область микроэлектроники с размерами приборов от десятых долей мкм.

- область микроэлектроники с размерами единиц мкм.

147. Назначение затворов генератора МОП-накопителя:

- первый затвор накопительный, второй затвор разделительный.

- оба затвора накопительные.

- первый затвор разделительный для формирования потенциального барьера, второй затвор накопительный, формирует величину зарядового пакета.

148. Что такое функциональная оптоэлектроника?

- направление функциональной электроники, изучающее явление взаимодействия динамических неоднородностей оптической природы с электромагнитными полями в континуальной среде;

- направление функциональной электроники, изучающее явление взаимодействия неоднородностей оптической природы с электромагнитными полями;

- направление функциональной электроники, изучающее оптические явления.

149. Что такое полупроводниковая функциональная электроника?

- это направление функциональной электроники, изучающее взаимодействие динамических неоднородностей в полупроводниковых средах с физическими полями

- это направление функциональной электроники, изучающее неоднородности в полупроводниках

- это направление функциональной электроники, изучающее распределение примесей в полупроводниках

150. Назовите континуальные среды в полупроводниках

- кристаллическая решётка, твёрдые растворы;

- кристаллическая решётка, твёрдые растворы, аморфные полупроводники и органические полупроводники;

- кристаллическая решётка, сверхрешётки, твёрдый раствор, аморфные и органические полупроводники;

151. Что такое токовые шнуры в полупроводниках?

- каналы проводимости;

- из за неравномерности тока по сечению полупроводника происходит образование областей с большей плотностью тока

- неравномерность проводимости полупроводника

152. Что такое биспин?

- СВЧ прибор;

- преобразователь аналоговых сигналов;

- структура с бисмещённым переходом инжекционной неустойчивости;

153. Дайте понятие термина микроэлектроника:

- микроэлектроника – это область электроники, связанная с электронными приборами

- микроэлектроника – это область электроники, связанная с производством приборов в микроэлектронике, исполнение с использованием групповых технологий

- микроэлектроника – это область электроники, связанная с использованием поведения заряженных частиц в твёрдом теле, под действием различных полей и использованием групповой технологии при создании приборов и устройств.

154. В чём отличия функциональной электроники от наноэлектроники:

- в функциональной электроники сохранена групповая технология в создании микроэлементов, в наноэлектронике он утрачен;

- в функциональной электроники утрачен принцип групповой технологии

- в наноэлектронике сохранена групповая технология микроэлементов

155. В каком виде в приборах схемотехнической электроники, хранится или обрабатывается информация?

- в аналоговых или цифровых сигналах;

- в виде ячеек, в виде заряда, потенциала или тока определённого уровня на определённой статической неоднородности;

- информация хранится в аналоговых или цифровых интегральных схемах.

156. Определите понятие функциональной окустоэлектроники

- это направление функциональной электроники в котором исследуются окустоэлектронныеи эффекты и явления;

- это направление функциональной электроники в различных твёрдых континуальных средах

- явл. частью функциональной электроники

157. Какая система электродов называется встречноштыревыми преобразователями?

- системы из двух фазных электродов

- система радионопарных электродов

- система вложенных друг в друга групп электродов

158. Чем определяется синхронизм преобразователя?

- периодом преобразователя

- условием синхронизма, является равенство периода преобразователя длине ПАВ

- условием синхронизма, неравенством периода преобразователя длине ПАВ

159. В чём заключается импульсный метод сохранения и записи в АЗУ?

- в создании определённого рельефа с последующей фиксацией

- в создании потенциального рельефа плотности заряда в приповерхностном слое полупроводника с его последующей фиксацией

- в создании заряда в слое полупроводника с его фиксацией

160. Что используется в качестве континуальных сред в функциональной диэлектрической электронике

- активные диэлектрики

- твёрдые диэлектрики

- жидкие диэлектрики

161. Назовите перспективные материалы для запоминающих устройств

- сегнетоэлектрики;

- сегнетоэлектрические пленки на основе нитрата калия;

- магнитоэлектрические пленки.

162. Что понимают под активными диэлектриками ?

- однородные диэлектрические материалы;

- диэлектрические материалы в которых могут возбуждаться динамические неоднородности;

- электро-изоляционные диэлектрики.

163. В каком случае не выполняется принцип суперпозиции гармонических колебаний?

- в области нелинейного взаимодействия волны с твёрдым телом;

- в области линейного взаимодействия волны с твёрдым телом;

- в случае взаимодействия акустических волн;

164. Чем определяется выбор континуальных сред ?

- условиями эксплуатации приборов;

- электрическими характеристиками материалов;

- определяется природой используемых динамических неоднородностей.

165. Что является континуальными средами функциональной электроники?

- твердотельные материалы, пьезоэлектрики, пьезополупроводники, сложные слоистые среды;

- как правило твёрдые материалы;

- как правило жидкие среды.

166. Определите понятие функциональной электроники

- функциональная электроника представляет собой область интегральной электроники, изучающей возникновение и взаимодействие динамических неоднородностей в континуальных средах;

- функциональная электроника представляет собой область интегральной электроники, создающей приборы на основе динамических неоднородностей;

- функциональная электроника – совокупность устройств электронной техники.

167. Определите понятие динамической неоднородности

- это объём с отличными от других объёмов свойствами;

- локальный объём на поверхности или внутри среды, которая не имеет статических неоднородностей;

- локальный объём на поверхности или внутри среды с отличными от её окружения свойствами, которые не имеют внутри себя статических неоднородностей и генерируются в результате физико-химических процессов

168. В чём заключается операция стирания сверхрешёток?

- в очищении потенциальных ям сверхрешёток от электронов и дырок.

- в инжекции электронов и дырок в сверхрешётку.

- в генерации электронов и дырок в сверхрешётку.

169. Зачем создаются двумерные структуры?

- для управления динамическими неоднородностями.

- для управления динамическими неоднородностями и создания среды распространения квантово-механических волн.

- для повышения электропроводимости полупроводников.

170. Что такое домен Ганна?

- в полупроводнике возникает неоднородность в виде домена.

- в континуальных средах с междоменным переходом образуется домен.

- в континуальных средах с междоменным переходом электронов возникает отрицательная дифференциальная проводимость и формируется динамическая неоднородность в виде электрического домена.

Контрольные вопросы составил Е.А. Макарецкий

д.т.н., профессор