- Молекула углерода, похожая на футбольный мяч и состоящая из 60 атомов углерода
- молекула углерода, похожая на футбольный мяч и состоящая из 81 атома углерода
Методы получения углеродных нанотрубок
- термовакуумное осаждение, электронно-лучевое осаждение
- термовакуумное осаждение, электронно-лучевое осаждение, химическое осаждение
- лазерное испарение, углеродная дуга, химическое осаждение
Методы синтеза разупорядоченных твёрдотельных структур
- компактирование, быстрое отвердевание, газовая атомизация, гальванический способ
- газовая атомизация, гальванический способ
- , термовакуммное осаждение, компактирование, быстрое отвердевание, газовая атомизация, гальванический способ
Механические свойства наноструктурированного материала
- резкое возрастание прочности
- резкое возрастание пластичности
- резкое повышение температуры плавления
Определение наноэлектроники
- область современной электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем и устройств на их основе с размерами элементов менее 10 нм
- область современной микроэлектроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных микроэлектронных схем и устройств на их основе с размерами элементов менее 100 нм
- область современной электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем и устройств на их основе с размерами элементов менее 100 нм
В чём состоит основная задача наноэлектроники
- В разработке новых электронных устройств со сверхмалыми размерами, создании методов их получения и объединения в интегральные схемы
- в разработке новых микроэлектронных устройств со сверхмалыми размерами, создании методов их получения и объединения в интегральные схемы
- в разработке новых электронных устройств со сверхмалыми размерамиПолная энергия носителей в квантово-размерной пленке складывается из
Зависимость плотности электронных состояний от энергии в квантовой пленке имеет вид
-
-
***
-
Полная энергия носителей в квантово-размерной нити имеет спектр вида
-
-
- ***
На основе квантовых точек были созданы
- миниатюрные источники света с высоким коэффициентом полезного действия
- миниатюрные источники СВЧ излучения с высоким коэффициентом полезного действия
- миниатюрные транзисторы с высоким коэффициентом полезного действия
Фазовая интерференция электронных волн происходит в структурах с размерами порядка
- порядка длины частотной когерентности электрона в данном материале
- Порядка длины фазовой когерентности электрона в данном материале
- порядка длины пространственной когерентности электрона в данном материале
Сущность квантового эффекта Холла
- на графике зависимости напряжения Холла от магнитного поля появляется спадающий участок
- на графике зависимости напряжения Холла от магнитного поля появляется разрыв
- на графике зависимости напряжения Холла от магнитного поля появляется ряд плоских ступенек
Принцип работы интерференционного транзистора
- Ток может течь от истока к стоку либо непосредственно (по коротким траекториям), либо по более длинным путям через волновод. Разность хода (расстояние) между двумя путями прохождения тока может регулироваться с помощью затвора. Электронные волны, если только они не испытывают никаких изменяющих их фазу столкновений, достигая стока по двум разным путям, будут конструктивно интерферировать (складываться) всякий раз, когда разность хода равна целому числу длины волны Ферми. Конструктивная интерференция локализует электроны на выходе согласующего волновода, и проводимость между истоком и стоком увеличивается.
- Ток может течь от истока к стоку либо непосредственно (по коротким траекториям), либо по более длинным путям через волновод. Разность хода (расстояние) между двумя путями прохождения тока может регулироваться с помощью затвора.
- Ток может течь от истока к стоку либо непосредственно (по коротким траекториям), либо по более длинным путям через волновод. Разность хода (расстояние) между двумя путями прохождения тока может регулироваться с помощью затвора. Электронные волны, достигая стока, будут конструктивно интерферировать (складываться). Конструктивная интерференция локализует электроны на выходе согласующего волновода, и проводимость между истоком и стоком увеличивается.
Принцип работы полевых транзисторов на отражённых электронах
- электроны распространяются баллистически между стоком и истоком, кроме случайных столкновений с границами раздела
- изменяя отражение границ раздела с помощью внешнего смещения, можно контролировать ток, текущий между парой контактов, что позволяет строить полевые транзисторы
- полевой транзистор может работать (переключать), находясь между многоканальными выходами и даже многоканальными входами, так как встречные пучки баллистических электронов имеют незначительное взаимодействие
Принцип работы полевых транзисторов на преломлённых электронах
- электроны распространяются баллистически между стоком и истоком, кроме случайных столкновений с границами раздела
- изменяя отражение границ раздела с помощью внешнего смещения, можно контролировать ток, текущий между парой контактов, что позволяет строить полевые транзисторы
- полевой транзистор может работать (переключать), находясь между многоканальными выходами и даже многоканальными входами, так как встречные пучки баллистических электронов имеют незначительное взаимодействие
Что означает термин туннелирование
- перенос частицы через область, ограниченную потенциальным барьером, высота которого больше полной энергии данной частицы (или проникновение в эту область)
- перенос носителей заряда через потенциальный барьер с определенного уровня в эмиттирующей области на энергетически эквивалентный ему уровень в квантовом колодце происходит с сохранением энергии и импульса электрона. Такое совпадение уровней приводит к возрастанию туннельного тока
- перенос частицы через область, ограниченную потенциальным барьером, высота которого больше полной энергии данной частицы (или проникновение в эту область)
Сущность резонансного туннелирования
- перенос частицы через область, ограниченную потенциальным барьером, высота которого больше полной энергии данной частицы (или проникновение в эту область)
- перенос носителей заряда через потенциальный барьер с определенного уровня в эмиттирующей области на энергетически эквивалентный ему уровень в квантовом колодце происходит с сохранением энергии и импульса электрона. Такое совпадение уровней приводит к возрастанию туннельного тока
- перенос частицы через область, ограниченную потенциальным барьером, высота которого больше полной энергии данной частицы (или проникновение в эту область)
Электронные приборы, использующие одноэлектронное туннелирование образованы
- одной или несколькими квантовыми кластерами, соединенными туннельными переходами - как между собой, так и с подводящими электродами
- одной или несколькими p-n переходами, соединенными туннельными переходами как между собой, так и с подводящими электродами
- одной или несколькими квантовыми точками, соединенными туннельными переходами - как между собой, так и с подводящими электродами
Свойства одноэлектронной ловушки
- би- или мультистабильная внутренняя зарядовая память, то есть в пределах определенного диапазона напряжения U, прикладываемого к затвору, ближайший к затвору островок может быть в одном, двух или более устойчивых зарядовых состояниях
- перенос носителей заряда через потенциальный барьер с определенного уровня в эмиттирующей области на энергетически эквивалентный ему уровень в квантовом колодце происходит с сохранением энергии и импульса электрона. Такое совпадение уровней приводит к возрастанию туннельного тока
- перенос частицы через область, ограниченную потенциальным барьером, высота которого больше полной энергии данной частицы (или проникновение в эту область)