210601 Радиоэлектронные системы и комплексы

1

Этапы производства и оптимизация интегральных схем

1.1.1. Характеристика технологических процессов производства ИС.

1.1.2. Технологические операции получения кристалла (чипа) будущей ИС.

1.1.3. Операции сборки и корпусирования ИС

1.2. Оптимизация стоимости одного активного элемента в составе БИС.

1.2.1. Стоимостные характеристики операции получения кристалла и сборки ИС.

1.2.2.Вероятностные характеристики получения годной ИС.

1.2.3. Минимизация стоимости изготовления одного элемента ИС.

1.2.4. Пути экономически обоснованного увеличения степени интеграции.

1.3. Интегральные схемы на КМДП.

1.3.1. КМДП - элемент микромощной микроэлектроники.

1.3.2. Конструктивные особенности КМДП ИС.

1.3.3. Элементы схемотехники КМДП ИС.

1.3.4. Ограничения на уменьшение размеров традиционных МДП элементов ИС.

1.3.5. Полевые транзисторы с барьером Шотки.

1.5.Тенденции развития полупроводниковых интегральных схем

[1] с. 5-24

2

Предельные возможности интегральной микроэлектроники

2.1. Физические ограничения на уменьшение размеров и рост степени интеграции.

2.1.1. Минимально допустимые напряжения и токи в ИС.

2.1.2. Электромиграция. Допустимые плотности токов в шинах ИС.

2.1.3. Статистическая воспроизводимость технологического процесса.

2.1.4. Теплофизические ограничения на рост интеграции.

2.1.5. Задержка и искажение импульсов на связях.

2.2. Технологические ограничения на уменьшение размеров элементов ИС.

2.2.1. Предельные возможности фотолитографии.

2.2.2. Электронная и ионная литография в микроэлектронике.

2.2.3. Формообразующие характеристики процессов легирования.

2.3. Предельная степень интеграции.

2.3.1. Минимальная площадь, занимаемая одним элементом ИС.

2.3.2. Плотность записи МДП ЗУ в функции от размеров элемента ИС.

[3] с. 13-39

3

Приборы с зарядовой связью

3.1. Принцип действия приборов с зарядовой связью.

3.1.1 Устройство активной зоны ПЗС. Носитель информации в ПЗС.

3.1.2. Ввод и вывод информации в ПЗС.

3.1.3. Оптический способ ввода информации в ПЗС.

3.1.4. Перемещение носителя информации в активной зоне ПЗС.

3.1.5. Характерные временные интервалы в ПЗС.

3.2. ПЗС в системах обработки информации.

3.2.1. Линии задержки на ПЗС. Необходимость регенерации сигнала.

3.2.2. Устройства записи информации на ПЗС.

3.2.3. Конвольвер на ПЗС.

3.3. Преобразователь оптического сигнала на ПЗС.

3.3.1. Формирование ТВ - строки на ПЗС. Характерные временные интервалы в ТВ сигнале. Особенности цифровой обработки ТВ сигнала. Цифровая фотография.

3.3.2. Обработка двумерного изображения ТВ - преобразователем на ПЗС.

3.3.3. Оценка чувствительности ТВ - преобразователя на ПЗС.

3.3.4. Способы использования ТВ - преобразователей на ПЗС при передаче цветных изображении.

[3] c. 39-63

С. 210-249

4

Гетеропереход и двумерный электронный газ

4.1. Основные свойства гетероперехода.

4.1.1 Устройство гетероперехода. Выбор пары, образующий гетеропереход.

4.1.2. Технология гетероперехода.

4.1.3. Энергетическая диаграмма гетероперехода.

4.1.4. Сверхинжекция неравновесных носителей заряда в гетеропереходе.

4.1.5. Понятие о двумерном электронном газе.

4.2. Гетеропереход в устройствах интегральной оптики.

4.2.1. Фотодиод на основе р-перехода. Режимы работы фотодиода.

4.2.2. Светодиод на основе p-n перехода. Роль инжекции неравновесных

носителей заряда в работе светодиода.

4.2.3. Гетеролазер. Характеристики излучения гетеролазера

4.2.4. Пленочный гетеролазер с дифракционными зеркалами.

4.3. Основные характеристики двумерного электронного газа в гетеропереходе.

4.3.1. Количественные характеристики энергетической диаграммы на границе раздела двух полупроводников, образующих гетеропереход.

4.3.2. Квантовое описание потенциальной ямы, возникающей на границе раздела двух полупроводников, образующих гетеропереход.

4.3.3. Допустимая плотность состояний электронов на границе раздела двух полупроводников, образующих гетеропереход.

4.3.4. Подвижность электронов в составе двумерного электронного газа.

4.3.5. Электрическое сопротивление проводящего слоя, образованного двумерным электронным газом.

[1] с. 5-27

5

Сверхбыстродействующие транзисторы на основе гетероперехода

5.1. Биполярные транзисторы на основе гетероперехода.

5.1.1. Особенности конструкции биполярного транзистора.

5.1.2. Гетероструктурные эмиттер и коллектор.

5.1.3. Гетероструктурные биполярные транзисторы.

5.2. Полевые транзисторы на основе гетероперехода.

5.2.1. Нормальная (прямая) структура полевого транзистора на основе гетероперехода

5.2.2. Обратная структура полевых транзисторов на основе гетероперехода.

5.2.3. Полевые транзисторы на основе гетероперехода с р - каналом.

5.3. Сверхмалогабаритные МДП транзисторы на основе гетероперехода.

5.3.1. КМДП транзисторы на гетеропереходах с р и n двумерным газом.

5.3.2. Сведения о технологии КМДП транзисторов на гетеропереходах с р и n двумерным газом.

[1] с. 334-352

6

Микроэлектроника СВЧ

6.1 Область применения микроэлектроники СВЧ.

6.1.1. Спутниковое ТВ вещание.

6.1.2. Сотовая связь с подвижными объектами.

6.1.3. СВЧ электроника в автомобильном транспорте.

6.2. Основные компоненты и характеристики СВЧ ИС.

6.2.1. Линии передачи: микрополосковые, копланарные. Согласование линий передачи. Понятие о фильтрах.

6.2.2. Основные функциональные элементы СВЧ ИС: усилитель, преобразователь частоты, гетеродин.

6.2.3. Шумовые характеристики СВЧ усилителя слабых сигналов.

6.2.4. Выходная мощность и к.п.д. усили>теля мощности в составе СВЧ ИС.

6.3. Особенности конструкции и использования маломощных СВЧ полевых транзисторов.

6.3.1. Конструкция маломощного СВЧ полевого транзистора.

6.3.2. Эквивалентная схема СВЧ полевого транзистора в пассивном и активном режимах.

6.4. Использование маломощных СВЧ полевых транзисторов в СВЧ ИС.

6.4.1. НЕМТ в режиме СВЧ ключа.

6.4.2. Полевой транзистор в режиме СВЧ усилителя.

[1] с. 352-399

7

Основы наноэлектроники

7.5. Технологии создания твердотельных наноструктур

7.5.1. Традиционные методы осаждения пленок

7.5.2. Методы, использующие сканирующие зонды

7.5.3. Нанолитография. Нанопечать. Сравнение нанолитографических методов. 7.5.4.Саморегулирующиеся процессы. Самоупорядочение. Самосборка

7.6. Применение квантово-размерных структур в приборах наноэлектроники

7.6.1. Лазеры с квантовыми ямами и точками

7.6.2. Фотоприемники на квантовых ямах

7.6.3. Квантово-точечные клеточные автоматы и беспроводная электронная логика

7.6.4 Нанокомпьютеры

[1] с. 399-417