
- •Часть 1
- •1. Задачи, решаемые электронной техникой, и элементы, необходимые для их решения
- •1.1. Электрические сигналы. Временное и спектральное представление
- •1.2. Усиление электрических сигналов
- •1.3. Модуляция сигналов
- •1.3.1. Амплитудная модуляция
- •1.3.2. Импульсно-кодовая модуляция
- •1.3.3. Широтно-импульсная модуляция
- •1.4. Фильтрация сигналов
- •1.5. Хранение и отображение информации
- •1.6. Преобразование электрической энергии
- •А) б) Рис. 1.21. Схема простейшего инвертора (а) и временная диаграмма напряжения в нагрузке (б) Основные результаты 1 главы
- •2. Математический аппарат описания электронных элементов
- •2.1. Описание нелинейных элементов
- •2.2. Линеаризация нелинейных уравнений
- •Линеаризованное уравнение нелинейного элемента
- •2.4. Частотный анализ линеаризованных цепей
- •2.5. Временной анализ линеаризованных цепей
- •Основные результаты 2 главы
- •3. Полупроводники – основа современной элементной базы электроники
- •3.1. Преимущества полупроводниковых элементов перед электровакуумными
- •3.2. Физические основы электропроводности полупроводников
- •3.3. Электропроводность беспримесного (собственного) полупроводника
- •3.4. Электропроводность примесных полупроводников
- •3.4.1. Донорная примесь
- •3.4.2. Акцепторная примесь
- •3.6. Инерционность р-п-перехода
- •3.6.1. Зарядная емкость р-п-перехода
- •3.6.2. Диффузионная емкость
- •3.7. Пробой р-п-перехода
- •3.7.1. Тепловой пробой
- •3.7.2. Электрический пробой
- •3.8. Математическая модель р-п-перехода
- •3.9. Переход металл-полупроводник
- •Основные результаты 3 главы
- •4. Многопереходные электронные элементы
- •4.1. Полупроводниковые триоды (биполярные транзисторы)
- •4.2. Активный режим работы биполярного транзистора
- •4.2. Статические характеристики биполярного транзистора для активного режима
- •4.3. Инерционность биполярного транзистора
- •4.4. Пробой коллекторного перехода
- •4.5. Пробой эмиттерного перехода
- •4.6. Нелинейная модель биполярного транзистора
- •4.7. Линеаризованная модель биполярного транзистора
- •4.8. Ключевой режим биполярного транзистора
- •4.9. Полевые транзисторы
- •4.10. Полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом
- •4.12. Тиристоры
- •Д ля регулирования в течение каждой полуволны знакопеременного ис
- •Основные результаты 4 главы
- •5. Основы теории электронных усилителей
- •5.1. Общие положения
- •5.2. Обратная связь в усилительных устройствах
- •5.3. Операционные усилители (оу)
- •5.4. Усилители мощности
- •5.4.1. Линейные усилители мощности
- •5.4.2. Усилители мощности ключевого типа
- •6. Автогенераторы
- •Автогенераторы гармонических колебаний
- •7. Источники вторичного электропитания электронных устройств
- •7.1. Классическая схема вторичного источника (без преобразования частоты сети)
- •7.2. Вторичные источники с преобразованием частоты сети
- •7.3. Функциональные элементы вторичных источников электропитания
- •7.3.1. Преобразователи переменного напряжения
- •7.3.2. Стабилизаторы постоянного напряжения (спн)
- •Оглавление
- •Электроника
- •Часть 1 Электронная база, аналоговые функциональные устройства
3.6. Инерционность р-п-перехода
Под инерционностью понимается запаздывание реакции р-п-перехода на электрическое воздействие. Под воздействием может пониматься как изменение во времени приложенного напряжения (тогда реакция - это ток через р-п-переход), так и изменение во времени заданного через р-п-переход тока (тогда реакция - напряжение на переходе).
Основным последствием инерционности р-п-перехода является потеря свойства преимущественно односторонней проводимости при быстрых изменениях во времени (высокой частоте) входного воздействия.
Физической причиной инерционности являются конечное время движения основных носителей через переход и конечное время перезаряда паразитных емкостей перехода. Паразитными эти емкости называются потому, что они возникают помимо воли разработчиков-технологов, в силу особенности физических процессов в р-п-переходе. Чаще всего временем переноса носителей из-за малых геометрических размеров можно пренебречь и рассматривать только влияние паразитных емкостей.
3.6.1. Зарядная емкость р-п-перехода
Рассмотрим область р-п-перехода как диэлектрик, а прилегающие низкоомные п- и р-области в качестве проводящих пластин. Тогда р-п-переход можно представить в виде плоского конденсатора (рис. 3.9), обладающего емкостью
Рис.
3.9. Р-п-переход, как
плоский конденсатор
,
(3.11)
где S - площадь р-п-перехода; l - длина р-п-перехода; - диэлектрическая проницаемость.
Площадь S должна быть тем больше, чем больше прямой ток, который протекает через р-п-переход. Следовательно, у сильноточных переходов зарядная емкость, а поэтому и инерционность больше.
Рис. 3.10. Влияние
зарядной емкости
.
Для
скачкообразного изменения Uс
(когда
)
потребовалось бы бесконечное значение
тока iс,
что физически невозможно.
Рис.
3.11. Влияние Сз
на скорость
переключения
р-п-перехода из прово-
дящего
состояния в запертое
l=F(U),
то и зарядная емкость согласно (3.11).тоже зависит от напряжения, то есть является нелинейной емкостью. Эта особенность находит практическое применение в специальных двухполюсных элементах - варикапах - электрически управляемых емкостях, которые можно использовать, например, для дистанционного переключения программ телевидения, когда изменяемая емкость варикапа, подключаемая параллельно резонансному контуру телевизионного приемника, меняет частоту настройки.