Лабы / Лабораторные по ФОМ КГТУ(ЮЗГУ) / ЛР6 (расчеты)

Экспериментальная часть.

1. Измерение удельного сопротивления.

I, мкА	1	2	3	4
U, В	1,02	1,919	2,754	3,648

Найдем зависимость U(I) применяя метод наименьших квадратов.

Коэффициенты линии регрессии:

Зависимость примет вид:

U, В

I, А

Определим сопротивление по тангенсу угла наклона графика:

Ом

Величина удельной проводимости датчика Холла равна:

2. Измерение э.д.с. Холла.

Паразитная э.д.с. Холла:

Таблица измерений

Iмаг, А	0		0,25		0,50		0,75		1,0
В, Тл	0		0,12		0,22		0,27		0,29
Полярность	Верх	низ	верх	низ	верх	низ	верх	низ	верх	низ
Uх, измер.,мВ	117,9	-114,7	165,4	-163,6	208,4	-201,5	222,1	-218,7	235,5	-228,2
Uх, сред., мВ	116,3		164,5		205		220,4		231,9
Uх, факт., мВ	1,8		50		90,5		105,9		117,4

Найдем постоянную Холла:

Найдем концентрацию основных носителей заряда:

Подвижность электронов:

Наиболее близким значением подвижности является значение подвижности кремния, предполагаем, что материал датчика Холла – кремний.

Определим концентрацию неосновных носителей заряда:

Рассчитаем концентрацию основных носителей заряда из удельной проводимости:

Таблица: Параметры полупроводника, из которого изготовлен датчик Холла.

№	Название параметра	Величина
1	Тип проводимости	n-тип
2	Э.д.с. Холла, мВ
3	Продольный ток
4	Постоянная Холла, м3/Кл
5	Концентрация основных носителей, м-3
6	Продольное сопротивление образца, Ом
7	Удельная проводимость, См/м
8	Подвижность основных носителей, м2/Вс
9	Материал датчика Холла	кремний
10	Концентрация неосновных носителей заряда, м-3
11	Концентрация основных носителей заряда, рассчитанная из удельной проводимости, м-3

Вывод: Проведенные исследования позволили определить с помощью эффекта Холла основные параметры полупроводника.