Часть II. Расчет
Определение суммарного припуска на механическую обработку
,
где
– сумма припусков на обработку,
–
припуск на грубую шлифовку,
–
припуск на точную шлифовку,
–
припуск на предварительную полировку,
–
припуск на финишную полировку.
,
,
где
- высота микронеровностей,
– высота нарушенного слоя,
– коэффициент нарушений (для шлифовки
),
– диаметр абразивного зерна.
Следовательно:
а)
Используем абразив
Δ=20
мкм,
мкм (см.Таблица
7, Таблица
8):
,
м,
б)
Используем абразив
:
мкм,
мкм (см.Таблица
7, Таблица
8):
,
м,
Для
полировки
,
,
Следовательно:
в)
Используем абразив
:
мкм,
мкм (см.Таблица
7, Таблица
8):
,
м,
г)
Используем абразив
:
мкм,
мкм (см.Таблица
7, Таблица
8):
,
м,
д)
,
м,
е) Определяем исходную толщину заготовки:
,
где
– толщина заготовки, Z – суммарный
припуск на обработку.
Плотность
ситалла примем 
кг/м
.
кг
з) Определяем массу обработанной заготовки:
·
,
кг
и) Определяем число плат, полученных из одной подложки:
,
где
мм и
мм – размеры платы,
мкм – ширина риски (используется лазерное
скрайбирование).
Определение годового расхода материала
,
где
–
плат запущено на сборку,
–
годовой план,
–
выход годного по сборке.
,
где
–
сколько подложек запущено на разделение,
–
выход годного по плате.
,
где
–
количество заготовок, запущенных на
обработку,
- выход годного по обработке.
Определяем исходную массу материала:
,
где
–
исходная масса материала.
кг
,
где
– полезная масса материала.
кг
,
где
–
коэффициент использования материала.
Заключение
В курсовой работе был разработан технологический процесс для изготовления платы тонкопленочной гибридной интегральной микросхемы из материала ситалл СТ-50. При этом коэффициент использования материала для рассмотренных производственных условий составил 0,42. Низкий коэффициент является следствием того, что при механической обработке пластин имеет место большой расход ситалла. Это говорит о том, что требуется повысить технологичность производства, особенно на этапе обработки заготовок, т. к. выход годного по обработке равен 71%. Значение коэффициента использования материала имеет низкую величину также из-за того, что данный технологический процесс был сравнительно недавно внедрен на производстве.
Список использованной литературы
Материаловедение: под ред. Б.Н. Арзамасова. — М.: Машиностроение, 1986.— 384 с., ил.
Березин А.С., Мочалкина О.Р.: Технология и конструирование интегральных микросхем. — М.: Высш. шк.,1988. — 379 с., ил.
Коледов Л. А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов. — М.: Радио и связь,1989. — 400 с., ил.
Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование.: под ред. Л. А. Коледова. — М.: Высш. шк.,1984. — 231 с., ил.
Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы: Учебник для вузов. — 7-е изд., перераб. и доп. — Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1985. — 304 с., ил.
Пасынков В. В. Сорокин В. С. Материалы электронной техники: Учебник для вузов. — М.: Высш. шк., 1986. — 367 с., ил.
Ефимов И. Е., Козырь И. Я. Основы микроэлектроники: Учебник для вузов. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. шк., 1983. — 384 с., ил.