30

Министерство образования Российской Федерации

Орловский Государственный Технический Университет

Кафедра «ПТЭ и ВС»

Курсовая работа

На тему: «Технология изготовления плат тонкоплёночных гибридных интегральных схем»

Дисциплина: «Материаловедение и материалы электронных средств»

Выполнил : Бондарев А.А.

Группа 31– В Шифр 2205

Факультет ЭиП

Курсовая работа защищена с оценкой _____________

Руководитель: Косчинская Е.В._________

Орёл 2003г.

Орловский Государственный Технический Университет

Кафедра «ПТЭ и ВС»

Задание на курсовую работу

Студент Бондарев А.А. шифр 2205 группа 31 – В

Вариант №29

Таблица 1 – Исходные данные

1	Материал	Стекло С - 41-1
2	Размер заготовки	S = 60 × 48 мм
3	Типоразмер платы	№5 24 × 30 мм
4	Толщена платы	0,4 мм
5	Годовой план	800000 штук
6	Выход годного по сборке	G1 = 80%
7	Выход годного по плате	G2 = 93%
8	Выход годного по обработке	G3 = 68%

Содержание

Введение 5

Часть 1 Аналитический обзор 7

Требования к подложкам ИМС 7

Характеристика материала 8

Обоснование применения материала 12

2. Технология получения материала 15

3. Процесс механической обработки материала 18

Резка слитков на подложки 18

Шлифовка 20

Таблица 5 – Микропорошки для шлифовки подложек стекла С-41-1 21

2. Процесс разделения 22

Скрайбирование 22

Механическое скрайбирование 22

Лазерное скрайбирование 23

Ломка подложек на платы 24

Часть 2 Расчётное задание 26

Определение суммарного припуска на механическую обработку 26

Определение исходной толщины заготовки 26

Определение исходной массы заготовки 26

Определение годового расхода материала 27

Определение исходной массы материала 28

Определение полезной массы материала 28

Определение коэффициента использования материала 28

Заключение 29

Список литературы 30

Введение

В настоящее время микроэлектроника является важнейшим направлением в создании средств вычислительной техники, радиотехники и автоматики.

Основополагающая идея микроэлектроники – конструктивное объединение элементов электронной схемы – приводит к тесной взаимосвязи схемотехнических, конструкторских и технологических решений при создании интегральных микросхем (ИМС). Главная задача всех этапов проектирования – это обеспечение высокой надежности ИМС. Это заключается в устойчивой работе при низких уровнях мощности (малая допустимая мощность рассеяния), в условиях сильных паразитных связей (высокая плотность упаковки) и при ограничениях по точности и стабильности параметров элементов. Потенциальная надежность ИМС оценивается с учетом возможностей выбранного структурно-топологического варианта ИМС и его технологической реализации.

Конструктор определяет оптимальную топологию, выбирает материалы и технологические методы, обеспечивающие надежные электрические соединения, а также защиту от окружающей среды и механических воздействий с учетом технологических возможностей и ограничений. Подбирается наилучшая структура технологического процесса обработки и сборки, позволяющая максимально использовать отработанные, типовые процессы и обеспечивать высокую производительность труда, минимальные трудоемкость и стоимость с учетом конструкторских требований.

Для обеспечения качества и надежности ИМС должны быть разработаны методы контроля на всех этапах производства, в частности входного контроля основных и вспомогательных материалов и комплектующих изделий, контроля в процессе обработки, межоперационного контроля полуфабрикатов и выходного контроля готовых изделий.

В данной курсовой работе рассмотрена технология изготовления плат тонкопленочных гибридных интегральных микросхем.

Гибридные интегральные микросхемы (ГИМС) – это интегральные микросхемы, в которых пассивные элементы выполняются по толстопленочной или тонкопленочной технологии, а активные элементы являются навесными, т.е. компонентами. Такой метод проектирования ИМС обеспечивает большие производственно-экономические выгоды и расширяет схемотехнические возможности выбора оптимальных режимов работы ИМС. Степень миниатюризации ГИМС определяется количеством используемых навесных компонентов, для реализации которых необходима определенная площадь, и геометрическими размерами пленочных элементов. ГИМС создаются на подложке с хорошими изоляционными свойствами, поэтому материал подложки не оказывает влияния на электрические связи элементов.

ГИМС заняли доминирующее положение в устройствах СВЧ, причем, как показывает опыт, для устройств, работающих на частотах до 1 ГГц, с успехом можно применять толстопленочную технологию, поскольку она не требует жестких допусков и высокой точности нанесения и обработки пленок. Для устройств, работающих на более высоких частотах, когда необходимо обеспечить прецизионное нанесение пленочных элементов очень малых размеров, предпочтительнее тонкопленочная технология. ГИМС применяются также в тех случаях, когда требуется получить конденсаторы большой емкости или резисторы, предназначенные для работы с большими электрическими мощностями.