Министерство образования и науки российской федерации

ОРЛОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра ПТЭиВС

КУРСОВАЯ РАБОТА

на тему: «Технология изготовления плат для гибридных интегральных схем»

Дисциплина: «Материаловедение и материалы электронных средств»

Выполнил студент ________________________________Пантюхин К.В.

Группа __________________________________________________31-В

Факультет _____________________________________________ФЭ и П

Курсовая работа защищена с оценкой ____________________________

Руководитель __________________________________Косчинская Е.В.

Орел, 2004

Орловский Государственный Технический Университет

Кафедра ПТЭиВС

Задание на курсовую работу

Студент Миронов С.Е. Группа 31-В

Вариант №4

Исходные данные:

1. Материал: Ситалл СТ-50

2. Размеры заготовки: 60х48 мм.

3. Типоразмер платы: №7 16х20 мм.

4. Толщина платы: 0,5 мм.

5. Годовой план: 500000 шт

6. Выход годного по обработке (ВГО): 91%

7. Выход годного по плате (ВГП):98%

СОДЕРЖАНИЕ

Таблица 1— Сравнительная характеристика материалов подложек 8

3. ОБОСНОВАНИЕ ПРИМЕНЕНИЯ МАТЕРИАЛА 8

4. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ СИТАЛЛА 11

5. МЕХАНИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА СИТАЛЛА 14

6.2. РАЗЛАМЫВАНИЕ ПЛАСТИН НА КРИСТАЛЛЫ 20

26

ЗАКЛЮЧЕНИЕ 27

ВВЕДЕНИЕ

Появление микроэлектроники связано с достижениями в области фундаментальных и прикладных наук. Первые интегральные микросхемы (ИМС), созданные в начале 60-х годов в результате успехов в области полупроводниковой и пленочной электроники, постоянно совершенствовались и в настоящее время являются элементарной базой для микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры.

За короткий исторический срок современная микроэлектроника стала одним из важнейших направлений научно-технического прогресса. Создание больших и сверхбольших интегральных микросхем, микропроцессоров и микропроцессорных систем позволило организовать массовое производство электронных вычислительных машин высокого быстродействия, различных видов электронной аппаратуры, аппаратуры управления технологическими процессами, систем связи, систем и устройств автоматического управления и регулирования.

Микроэлектроника продолжает развиваться быстрыми темпами как в направлении совершенствования полупроводниковой интегральной технологии, так и в направлении использования новых физических явлений.

В данной курсовой работе рассмотрена технология изготовления плат тонкопленочных гибридных интегральных микросхем.

Гибридные интегральные микросхемы (ГИМС) – это интегральные микросхемы, в которых пассивные элементы выполняются по толстопленочной или тонкопленочной технологии, а активные элементы являются навесными, т.е. компонентами. Такой метод проектирования ИМС обеспечивает большие производственно-экономические выгоды и расширяет схемотехнические возможности выбора оптимальных режимов работы ИМС. Степень миниатюризации ГИМС определяется количеством используемых навесных компонентов, для реализации которых необходима определенная площадь, и геометрическими размерами пленочных элементов. ГИМС создаются на подложке с хорошими изоляционными свойствами, поэтому материал подложки не оказывает влияния на электрические связи элементов.

ГИМС заняли доминирующее положение в устройствах СВЧ, причем, как показывает опыт, для устройств, работающих на частотах до 1 ГГц, с успехом можно применять толстопленочную технологию, поскольку она не требует жестких допусков и высокой точности нанесения и обработки пленок. Для устройств, работающих на более высоких частотах, когда необходимо обеспечить прецизионное нанесение пленочных элементов очень малых размеров, предпочтительнее тонкопленочная технология. ГИМС применяются также в тех случаях, когда требуется получить конденсаторы большой емкости или резисторы, предназначенные для работы с большими электрическими мощностями.